光伏咨询搜索-索比光伏网

图3：两个组件的EL图像;组件编号1显示了一些不太严重的裂缝，而组件编号2则显示了一些非常严重的缺陷。通过评估单个批次中的多个图像，通过缺陷数量与分布情况确定大致的质量水平成为可能。
通过EL成像，能确定各种不同类型的缺陷，每种都有其根本原因和性能影响。根据常规方法评估EL图像可提供与PV组件可靠性有关的有用信息。图3显示了两种组件，每种都存在不同数量、严重程度各不相同的裂缝。

三种不同浆料印刷后的电池片在EL测试仪下测试，EL图像见图2。可以看出:无网结+晶银印刷的电池片无断栅虚印，无网结网版+杜邦则会有两三根轻微的断栅虚印，无网结网版+帝科有比较严重的断栅虚印。
实验二:在生产前对原硅片进行分选，实验分为3组，每组400片;分别采用不同正银浆料，实验A组使用帝科正银浆料，实验B组使用杜邦正银浆料，实验C组使用晶银正银实验浆料，其他工艺不变。

该两次印刷组合可在大规模生产中确保零 EL 缺陷，同时还可提供 A+A and A+B 组合的解决方案，进一步提高开路电压和填充因子。
两次印刷正银浆料组合 9642A/9642B 兼顾上一代产品的所有优势升级版两次印刷的 SOL9642A 和 SOL9642B 正银浆料组合，兼顾了 SOL9641A 和 9641B 系列的所有优势

4)硼铁(Fe-B)对的分解-复合模型。Fe-B对分解成Fe和B，高能级的Fe复合中心使硅片受到Fe污染，从而引起电池性能下降。
MC-Si相比较CZ-Si晶界以及缺陷较多，针对缺陷是否会造成LID的差异这一问题，我们进行了研究，结果表明，缺陷对LID影响不大。这与王朋等对关于MC-Si中缺陷对LID的影响研究结果相吻合。

3、关于EL测试，电池隐裂、蜗牛纹以及其它缺陷。
外观缺陷一般肉眼可见，主要有以下几类：a)电池缺陷：如崩边、缺角、色差、轻微划伤、印刷漏浆、副栅断栅、栅线粗细不均、轻微隐裂等；b)互联条、汇流条缺陷：如互联条焊接偏移，互联条、汇流条色差等；c)电池串缺陷

（三）组件工艺以及电池片、硅片工艺　　需要减少隐裂的发生，做到如下　　A.加强工厂内部控制组件，电池片的EL 　　B.包装方式，控制由于运输引起的隐裂　　C.组件强度评估（玻璃，铝框，安装方式等
硅片端均可能是隐裂后产生蜗牛纹的诱因　　1.1 硅片裂纹　　硅片的微裂纹　　由于硅片生产中也会产生微裂纹，实际出厂中还是很多被通过了，在电池片表面镀上氮化硅膜后，很难检测出这种细小的裂纹缺陷