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)、210mm(G12)等更大尺寸硅片。 (b)大尺寸快速普及自2018年以来，硅片尺寸快速迭代，18年晶科率先推出G1硅片，19年韩华、隆基、中环相继推出M4、M6、G12硅片，大硅片迅速成为市场新宠
(来源IRENA,2019.11) 另一方面，高功率组件可有效降低度电成本，但存在诸多限制。第一，高效电池技术的应用可显著提升组件功率，但近年量产的多晶PERC、铸锭单晶PERC、单晶PERC等效

电站，该电站为目前亚太地区最大的光伏项目之一。项目位于越南平顺省虹峰，1A和1B期工程已于近期成功并入越南国家电网，预计每年将实现太阳能发电5.2亿千瓦时，节约标煤17.5万吨，减少二氧化碳
/瓦，相比1.21~1.22元/瓦下调0.05~0.06元/瓦。同时158.75尺寸价格为1.19元元/瓦，相比1.24~1.25元/瓦下调0.05~0.06元/瓦。增加铸锭单晶PERC电池单双面报价

侯炜强过改进铸锭炉的结构和对工艺优化，形成的准单晶技术，促进了铸锭工艺的进步。常州天合的刘依依等单晶硅中掺杂有Ga、B、Ge三种元素，降低硼氧复合体的产生，从而降低了电池的光致衰减;同时提高了电池片的
，努力做到籽晶保留面积达到100%，提高整锭电池效率0.1%左右; b)通过共掺杂技术，解决多晶电池的光衰问题，为提升电池效率的PERC工艺奠定基础; c)铸造更大尺寸的多晶硅锭也是未来发展的方向，G8

组件，连60片版型都能达到415W，超出了很多人的想象。包括协鑫、阿特斯这样深耕多晶技术的企业，也全面转向铸锭单晶、黑硅等高效路线。同时，天合、晶科、隆基、赛拉弗等多家企业负责人表示，他们的高效产品
，受影响最大的也是这些逆变器企业。许多去年还热热闹闹办活动的企业已经放弃参加今年SNEC展，或缩在角落里悄无声息地观望，有人上门才小心翼翼递上名片。正如一位前辈所言，逆变器是一个to B市场，外行看热闹

。张淳博士主要观点认为：多晶黑硅PERC目前量产平均效率达到21%，对应60片组件功率300W+。鑫单晶（铸锭单晶）PERC目前量产平均效率达到21.8%，对应72片组件功率370W+
一个结果。实际温度是超过了80度。所以说无论是掺B和掺Ga的，基本上是控制在2%以内，没有用抗光衰工艺的衰减幅度大，目前鑫单晶PERC是沿用多晶抗光衰工艺，当然多晶抗光衰工艺是否符合这样一个产品特性

物甘胜泉成为新赛维的掌舵人。半年以后，甘胜泉将赛维整合包装之后，开始了新一轮股权融资，据说准备募资5亿元，用于投资布局铸锭单晶及HIT电池领域，并计划未来三年内实现IPO。当然，这一切都跟彭小峰无关
成立了一家根据会员的需求定制商品的C2B网站非凡定美社。他用自己的彭式速度开始在互联网行业蒙眼狂奔。2013年3月，彭小峰的电商公司开始筹备，2013年7月中旬注册成立公司，2013年9月1日非凡定

这一极具创新力的单晶新品吸引了电池、组件厂商的关注，来自天合、阿特斯、晶澳、台湾茂迪等一众ink"光伏大咖为其展台。据了解，全新一代G3铸锭单晶硅片在技术上取得了多项突破，硅片的单晶面积可达99
、单晶硅片的优势互补。这已经是保利协鑫研发的第三代铸锭单晶产品。不同于采用直拉法制备的传统单晶，新产品采用铸锭技术，单次投料量大，生产成本明显优于采用一炉三根、一炉四根的直拉法单晶。同时，由于铸锭单晶

单晶。其中，以铸锭单晶替代普通单晶，“经客户验证，铸锭单晶硅片的转化效率和直拉单晶相当，但却显著降低了生产的能耗成本。而协鑫也可以根据市场对单多晶硅片的需求，只需要对现有铸锭设备加以热场改造，便可实现
所有M全给我去掉，改成B!(年收入300亿)”、“如果你们做不到，那只有3种可能：1.PPT上其他话全是扯淡;2.你们该为自己的无能羞愧;3.我压根不会数数。”其实每次你们碰到的困惑，我也常碰到，这时

颗粒硅生产工艺、高效多晶硅铸锭工艺、铸锭单晶工艺、金刚线切割工艺都是为了进一步降低硅料和硅片的成本。目前看来，硅料、硅片的价格走势基本稳定，未来光伏市场的需求依然旺盛。短期来看硅料硅片的价格有波动，但是
，单晶硅片厂商无法大规模地批量生产同一规格，如A公司要的是一个硅片尺寸，B公司要另一个尺寸，在我们生产端就要用不同的生产装置。而如果A公司的效益不好，其可能采购硅片的数量不够，我们又会增加相应库存，并且这

致力于技术创新、工艺优化和精益生产，为晶硅光伏产业提供了大量质优价廉的硅料。保利协鑫努力推行的硅烷流化法高纯度颗粒硅生产工艺、高效多晶硅铸锭工艺、铸锭单晶工艺、金刚线切割工艺都是为了进一步降低硅料和硅片的
的直径（如200毫米到210毫米）和边距尺寸，但仍令客户出现选择性困难。规格不统一的话，单晶硅片厂商无法大规模地批量生产同一规格，如A公司要的是一个硅片尺寸，B公司要另一个尺寸，在我们生产端就要

就是用多晶硅的成本，生产单晶硅的技术。由于多晶硅电池存在较多的晶界复合，以及所采用的酸制绒技术无法达到单晶硅碱制绒的完美制绒效果，一般的多晶硅电池光电转化效率要低于单晶硅1~2%。通过铸锭单晶硅技术
的填装方式如附图2a、2b所示，掺杂剂为硼、稼或磷，掺杂后目标晶体的电阻率为1.50～2.0.cm。装料后抽真空，控制功率进行加热;进入熔化阶段后，采用温度控制分段加温，到熔化最后一步将加热器控制温度