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电池片硅片上印刷更大高宽比的超细栅线，帮助电池实现超细密栅电池，匹配选择性发射极技术，提升太阳能电池效率的同时，大幅度节省浆料耗量20%以上，最终降低电池生产、发电成本。2. 激光转印技术优势
变形。a. 当工作激光低于激光功率阈值时，不进行转移b. 最佳传输，激光功率略高于阈值c. 当激光功率明显高于激光功率阈值时爆炸，印刷电极的几何形状取决于激光功率，激光功率越高，电极的纵横比越低

当前，市场上的太阳电池大多以P型单晶硅电池为主，其制备工艺相对简单、成本较低，再加上单晶PERC技术和选择性发射极技术的引入，使得P型单晶电池组件效率得到大幅提升，目前量产效率已突破23%。但由于P
P型硅相比，N型硅少子寿命更长，对Fe等金属有更高的容忍度，以N型硅为基底的电池片理论转换效率更高，且不会发生由于B-O复合体导致的LID(Light Induced Degradation)光致

。值得一提的是，该电池采用了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备的新型多晶硅化物薄膜，可显著增强表面钝化、降低中长波段寄生吸收，同时兼顾载流子选择性收集，能够全面提升填充因子、短路电流及开路
电压，展现出了巨大的产业应用潜力。图1丨福建计量科学研究院国家光伏产业计量测试中心认证报告截图图2丨(a)中科院宁波材料所TOPCon电池结构示意图;(b

输出功率和转换效率。贺利氏相信，其超细线和出色接触性能的金属化解决方案及提供选择性发射极保护的产品能够帮助客户将PERC电池效率提高至24%这也是全行业的共同目标。赛得能源&中环艾能光储系统项目
制造环节的核心设备，作为行业有代表性的串焊机生产厂家，奥特维在本届SNEC大会上推出了成熟的MS100B大尺寸电池串焊机，助力行业早日实现大尺寸电池组件全面量产化。产能、良率、兼容性是串焊机的重要技术指标

选择性发射极(iveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合
磷硅玻璃层作为掺杂源进行激光扫描，形成重掺杂区。激光掺杂选择性发射极太阳电池生产线，工艺上只需增加激光掺杂一个步骤，从设备上来说，只需增加掺杂用激光设备，与常规产线的工艺及设备兼容性很高，是行业研究的

选择性发射极(selectiveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面
是采用扩散时产生的磷硅玻璃层作为掺杂源进行激光扫描，形成重掺杂区。激光掺杂选择性发射极太阳电池生产线，工艺上只需增加激光掺杂一个步骤，从设备上来说，只需增加掺杂用激光设备，与常规产线的工艺及设备兼容性

金属化浆料SOL966X系列。该系列银浆可满足电池厂商的各种需求，帮助他们提高转换效率和性价比，其中包括： SOL9661B系列，适用于高效PERC电池：该产品专为超细线印刷而设计，可在规模化
生产中，实现在小于26m的丝网开口上完美印刷。凭借独特的化学成分，浆料的烧结峰值温度很低且烧结温度范围广，确保发射极在烧结过程中得到可靠保护。该产品可改善接触性能，同时提高短路电流(Isc)和填充因子

提供更高的势垒阻挡其隧穿，因而该层具有载流子选择性。TOPCon太阳电池的隧穿氧化层钝化接触结构的能带图和其结构示意图如图6a、b所示。 Fraunhofer研究所采用N型FZ硅片，正面采用普通
电池的优异钝化性能、多晶硅/c-Si选择性输运和TOPCon的隧穿氧化钝化特性，Stodolny等提出了称之为钝化发射极及背部多晶硅氧化物选择性接触(PERPloy)的新型结构的硅电池，取得了超过22

隧穿氧化层，而电子则能够轻易达到。相比于电子，超薄氧化层也会为空穴提供更高的势垒阻挡其隧穿，因而该层具有载流子选择性。TOPCon太阳电池的隧穿氧化层钝化接触结构的能带图和其结构示意图如图6a、b所示
了称之为钝化发射极及背部多晶硅氧化物选择性接触(PERPloy)的新型结构的硅电池，取得了超过22%的转化效率。ISFH研究所Hasse等采用N型硅片衬底制备POLO电池，他们改善了POLO太阳电池的

)、P3(MCCE+DWS)、P4(多晶硅PERC)、P5(下一代多晶硅)。在现有平均效率超过20%的P4产品基础上，下一步将整合先进技术(包括双面发电、选择性发射极、多主栅和浆料优化等
POCl3扩散以形成n+-Si发射极。然后在下一步移除磷硅酸盐玻璃(PSG)和清除电池背面。图一：分别展示了传统多晶硅电池(左)和CSI的高效多晶硅PERC电池(右)的工艺流程。使用原子层沉积

技术的研发，但均无量产上的突破。上海交通大学太阳能研究所所长沈文忠教授认为，准单晶技术是向低成本的完美晶体结构又近了一步。目前一些高效光伏电池都在采用选择性发射极(SE)技术，而这种技术对单晶和
200m20和180m20两种，TTV30m,弯曲度15m，大晶粒晶向1005。　　技术方面，凤凰光伏在理论上得出，准单晶A区比普通多晶高0.1%0.2%，准单晶B区比普通多晶高0.40.6%，准单晶C

效率为22.1%，在量产中取得的平均效率约为21%，同时采用选择性发射极技术的电池达到了21.4%的效率。6月份在慕尼黑举行的2016第32届EUPVSEC大会上，SoLayTec在其报告中宣称，通过
介质层钝化、激光开口、丝网印刷铝背电场和选择性发射极。其后SolarWorld的常规生产线全面升级为PERC。目前，SolarWorld已安装的PERC产能为1.1GW，并且正在进行全面升级总量为

掺杂磷技术，以扩散后的PSG层为磷源，利用激光可选择性加热的特性，在电池正表面电极位置进行磷的二次掺杂，形成选择性重掺的n++层。双面PERC技术图2单面PERC电池结构图3双面PERC电池结构通过
晶体硅电池更高的衰减，尤其是多晶PERC电池，较多晶常规电池的光致衰减高6~10%。单晶PERC电池的衰减主要与B-O缺陷对有关，通过降低硅片中的氧含量，采用掺Ga代替掺B可有效控制光致衰减。而多晶

掺杂、激光退火等，如激光掺杂磷技术，以扩散后的PSG层为磷源，利用激光可选择性加热的特性，在电池正表面电极位置进行磷的二次掺杂，形成选择性重掺的n++层。双面PERC技术图2单面PERC电池结构图3双面PERC
相较其他晶体硅电池更高的衰减，尤其是多晶PERC电池，较多晶常规电池的光致衰减高6~10%。单晶PERC电池的衰减主要与B-O缺陷对有关，通过降低硅片中的氧含量，采用掺Ga代替掺B可有效控制光致衰减