第一作者:Dhruba B. Khadka通讯作者:Dhruba B. Khadka、Yasuhiro Shirai、Andrey Lyalin研究亮点:1. 所有器件在1至100
kHz范围内呈现出台地区域,PZDI处理的器件显示出略低的值,这可能源于HP中的缺陷密度。低频电容响应对于控制器件来说更为陡峭,这归因于界面电荷积累或离子极化。
陈江照教授长期从事新能源材料与器件研究,共发表SCI论文103篇,总引用8300余次,H指数为34。其中,以第一或通讯作者发表SCI论文81篇,包括1篇Nat. Energy、7篇Adv. c) Schematic
structure of the (b) DJ 2D/3D perovksite heterojunction based on HDACl2wher 2D
perovskites