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形技术已可应用，并由英利太阳能投入生产，商标名称是Panda电池（熊猫电池）。本文将n型H形在正面和背面有接触网格的非缠绕电池定名为n-PasHa（代表n型电池、所有侧面上钝化、有H形网格）。为了
。例如，上述二种电池结构除了电池加工复杂外，还要求质量非常高的硅材料和表面钝化，而且IBC电池要求背面上金属触点的高对准精度。相比之下，MWT电池工艺技术仍然接近于常规电池加工，MWT电池背面接触图形

所谓的B/P共渗工艺。该工艺与我们卓越的钝化工艺相结合，可促使N型电池的转换效率超过20%。目前，ECN已经获得这两项工艺的专利权。ECN认为这将是非常有效并具有成本效益的工业工艺。替代品亦能展现同等
采访。　　SPVI：据我们了解，N型技术就是将磷材料替代运用于P型硅片生产中的硼掺杂物。相比于传统P型工艺，我们发现使用硼材料制造发射器存有挑战，而且在进行钝化处理时使用氮化硅仍存在困难。不过

、剂量以及退火条件正确结合在一起。目前为止，该项目仍处于研发阶段。ECN与Tempress联合开发一项智能简单采用著名工业扩散设备的工艺，即所谓的B/P共渗工艺。该工艺与我们卓越的钝化工艺相结合，可促使
就是将磷材料替代运用于P型硅片生产中的硼掺杂物。相比于传统P型工艺，我们发现使用硼材料制造发射器存有挑战，而且在进行钝化处理时使用氮化硅仍存在困难。不过，诸如离子注入与大气压强化学气相沉积（APCVD

主流制造方法是在约180m厚的晶体Si硅片上加工太阳能电池，在正面有Ag金属栅，背面完全覆盖Al-BSF。由于金属化（浆料、丝网）方面的进步，工业生产中似乎能达到18.5-19%的效率。下一步，我们
硅片-硅片间重复性是1.4%（1），而硅片内的不均匀性低至0.6%（1）。B注入避免了与B扩散和去除B-氧化物有关的难点。与硬掩膜结合也能使工艺步骤数显著减少，实现PERL和IBC电池概念中的局部掺杂区

P区和N区的表面钝化和隔离等上述七大优化的研究，提高了IBC电池的转化效率。此外，还开展了B扩散技术、离子注入技术形成p型发射极的IBC电池的研究。如图5展示了中科院微电子研究所太阳能研究中心制备的
给出了建议。 1 N 型背结背接触晶体硅电池高转化效率机理首先，与掺硼(B)的P型晶体硅材料相比，掺磷(P)的N型晶体硅材料具有如下优势：（1）N型材料中的杂质（如一些常见的金属离子）对

,从而使开路电压得以提高。在前表面的钝化层下又进行了浅磷扩散以形成n+前表面场,提高短波响应。背面电极与硅片之间通过SiO2钝化层中的接触孔实现了点接触,减少了金属电极与硅片的接触面积,进一步降低
通过PECVD沉积双层SiNx薄膜,以起到减反射和表面钝化作用。电池背面利用局部激光烧蚀技术,烧蚀成高低不同、呈叉指状交叉排列的两片区域。这种台阶结构成为RISE电池最大的结构特点。背面经磷扩散后

。在太阳电池的常见工艺中，常常是在含硼的磷型硅片上扩磷，所以要去除的主要是周边扩散了磷的部分。为了将扩散所得的硅片制成P-N结，我们得把四周的N型层去掉。背面的N型层可以用补偿法消除，用丝网印刷铝浆
等离子体刻蚀的几种基本方法示意图。(a)溅射法是由于能量离子的撞击而引起表面物质的原子急速蒸发和向外喷射的纯物理过程，这种方法选择性差，易引起器件损伤。(b)化学法是在化学方法刻蚀中，等离子体使中性原子基活化

　　中科院电工研究所王文静一引言　　为了降低晶体硅太阳电池的效率，通常需要减少太阳电池正表面的反射，还需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。　　硅的
，对于N 型发射区的非平衡载流子具有很强的吸引力，使得少数载流子发生复合作用，从而减少电流。因此需要使用一些原子或分子将这些表面的悬挂键饱和。实验发现，含氢的SiNx膜对于硅表面具有很强的钝化