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℃；3、高开路电压，其Voc达到了750mV；4、温度特性好；5、光照稳定性好，HIT电池中没有发现Staebler-Wronski效应，转换效率无因光照而衰退的现象，也不存在B-O对导致的光之衰减现象
较高，HIT电池由于其工艺温度限制，与传统热扩散型晶体硅太阳能电池使用的电极浆料（800℃左右烧结）不同，其电极制作也需要在200℃左右进行，要求其既要具有较高的导电性，同时与TCO薄膜间的接触

着重研究直拉单晶硅电池及铸锭多晶硅电池衰减的差异，以及导致差异形成的原因。结果表明，该差异的形成主要受B-O 复合体、碳含量、分凝系数及金属离子的影响。引言太阳电池和发电技术的大面积推广，对传
。其中，硅材料电池中的晶体硅电池又分为单晶硅和多晶硅电池两大类，占据了90%左右的市场份额。众所周知，单晶硅电池光致衰减(LID)一直是困扰行业的一大难题，特别是近年来新开发和产业化的钝化发射极和局部背

和局部背接触(PERC)电池，其LID值更是高达3%～5%;然而同为p型多晶硅电池的LID却始终较低。同样的掺硼电池，不同的晶体生长方式最终导致不同的LID值。本文着重研究LID的影响因素，以及不同
着重研究直拉单晶硅电池及铸锭多晶硅电池衰减的差异，以及导致差异形成的原因。结果表明，该差异的形成主要受B-O 复合体、碳含量、分凝系数及金属离子的影响。引言太阳电池和发电技术的大面积推广

光伏制造业的整合。晶澳技术研发路线晶澳是全球首家大规模量产选择性发射极、MWT、背钝化及铝背场及黑硅技术电池的光伏企业，也是首家将二次印刷技术运用到所有生产线中的公司。晶澳于2013年10月便推出
21%升至61%，平均效率提升大于2Wp。　　图二是B客户将多晶硅片由S2升级为S4之后，270Wp多晶组件的比例由23%提升至78%。　　由上述数据可以得出，使用大尺寸多晶硅片将可以较大幅度的提升

都已经烧化，但经过重新接线后，仍然正常工作。再如云南林场一批老组件，经过现场户外功率测试仪分析，已经运行 20年的老组件功率衰减共计约14.5%，年均功率衰减约为0.7%。同时，经检测，黄度b*值变化
光伏发电的商业化运用成为可能，随后在2011年前后，当时低磷浓度扩散电极技术从理论上可行，但没人做得出来：原因在于传统正银浆料无法实现好的欧姆接触。2011年，杜邦推出了革命性的产品杜邦Solamet

，减少组件内部电能损耗，优化电池和封装材料匹配性、减少损耗等。如局部背钝化PERC电池、背接触式IBC电池等效率提升显著。此外，升级太阳能电池的关键原材料导电银浆也是增效的现实路径之一。以杜邦
SolametPV19B正面银导电浆料为例，可实现更窄、更高的导电栅线，为光伏电池与组件制造商再提升超过0.1%的电池转换效率。尽管光伏企业致力于不断提升电池组件的转换效率，但仍不得不面对的现实是，晶硅电池的

组件内部电能损耗，优化电池和封装材料匹配性、减少损耗等。如局部背钝化PERC电池、背接触式IBC电池等效率提升显著。此外，升级太阳能电池的关键原材料导电银浆也是增效的现实路径之一。以杜邦
SolametPV19B正面银导电浆料为例，可实现更窄、更高的导电栅线，为光伏电池与组件制造商再提升超过0.1%的电池转换效率。尽管光伏企业致力于不断提升电池组件的转换效率，但仍不得不面对的现实是，晶硅电池的转换效率

，以及金属和硅片的接触电阻等的损失。这其中最关键的是降低光生载流子的复合，它直接影响太阳能电池的开路电压。当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，背表面的复合速度对太阳能电池特性的
(受光面)完全没有遮光损失。此外，P+和N+区接触电极的覆盖面积几乎达到了背表面的1/2，大大降低了串联电阻。图4. IBC电池及其结构示意图 (3)减小电阻损耗：减小正面电极的电阻损耗

金属和硅片的接触电阻等的损失。这其中最关键的是降低光生载流子的复合，它直接影响太阳能电池的开路电压。当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，背表面的复合速度对太阳能电池特性的影响将比
，形成有指状交叉排列的P+区和N+区，以及相对应的P区金属电极和N区金属电极。所有的金属电极都排列在电池背面，因此正面(受光面)完全没有遮光损失。此外，P+和N+区接触电极的覆盖面积几乎达到了背表面的1

金属和硅片的接触电阻等的损失。这其中最关键的是降低光生载流子的复合，它直接影响太阳能电池的开路电压。当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，背表面的复合速度对太阳能电池特性的影响将比
应的P区金属电极和N区金属电极。所有的金属电极都排列在电池背面，因此正面（受光面）完全没有遮光损失。此外，P+和N+区接触电极的覆盖面积几乎达到了背表面的1/2，大大降低了串联电阻。图4.IBC电池及其

流化床法等产业化进程加快；单晶及多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展；光伏组件封装及抗
全球主要光伏市场，如日本补贴持续下调、美国税收抵免政策到期等带来的波动影响，企业扩产仍需理性。 B 发展趋势（二）产业投资持续增强技术水平不断提升技术水平不断提升，生产成本逐步降低

多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展；光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先企业组件
补贴持续下调、美国税收抵免政策到期等带来的波动影响，企业扩产仍需理性。 B 发展趋势（二）产业投资持续增强技术水平不断提升技术水平不断提升，生产成本逐步降低。2015年，在内外部环境的共同推动下

1 IBC电池概述及研究进展 IBC（Interdigitated back contact指交叉背接触）电池，是指电池正面无电极，正负两极金属栅线呈指状交叉排列于电池背面。IBC电池最大的特点是
PN结和金属接触都处于电池的背面，正面没有金属电极遮挡的影响因此具有更高的短路电流Jsc，同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻Rs从而提高填充因子FF；加上电池前表面场（Front

电池组件，单晶的成本永远比多晶低。目前，单多晶在电池端成本已打平。ITRPV也同样做出权威预测，未来晶硅电池转换效率提升空间与速度较大的电池主要集中在背接触、HIT以及PERC单晶电池上，多晶以及类单晶的
空间与速度下一页另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的衰减高于多晶电池，目前随着低氧P型单晶的成功

预测，未来晶硅电池转换效率提升空间与速度较大的电池主要集中在背接触、HIT以及PERC单晶电池上，多晶以及类单晶的电池转换效率提升将遭遇瓶颈，提升空间有限。2025年，单晶电池最高转换效率有望比多
晶电池效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。图3 ITRPV预测未来晶硅电池转换效率提升空间与速度另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的