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性能低于设计标准。PID现象严重时，会引起一块组件功率衰减50%以上，从而影响整个组串的功率输出。高温、高湿、高盐碱的沿海地区最易发生PID现象。造成组件PID现象的原因主要有以下三个方面： 1
的。那在A厂标定的250W的组件，到了B厂，可能就是245W的组件的。 2）现场检测所用的仪器精确度较差，据说5%以内的误差都是可以接受的。用误差5%的仪器，测2%（1年）的衰减，难度有些大，结果也

。我们每平方多少瓦，不是老百姓问我们的和专业问的是一样的。而是每平方多少钱?每平方能发多少电?320W的组件就是164.9瓦，在峰值是1.649度电。 组件功率衰减，单晶、多晶转化率不能低于15.5
。组件主要是电池片(电池片分为多晶和单晶)、玻璃、背板构成。，分为A、B、C类组件。晶硅电池片生产流程组件的生产工艺流程，基本是原材料采购、入库、生产。最关键是自动焊接和承压。关键是EL

中，按照行业标准的相关要求以及客户的验收标准，会有一定的次品率，所以有降级的组件产生。这些组件会根据组件工厂的技术要求和质量标准标注为B级、C级和废品。一般来说，B级组件是不影响产品性能（包括输出功率
、衰减速率、使用寿命、质保承诺等所有指标），只是外观上有一定瑕疵的组件。C级组件则是有一定瑕疵并有可能影响产品性能的组件，如衰减速率有可能会大于优质组件，质保承诺可能达不到25年而可能会降低为15或10年

和背板存在类似问题。背板变色发黄是一种常见的外观失效，根据现场IV测试结果显示：黄变组件的平均功率衰减为11%左右，显著高于户外使用4年组件功率衰减不超过5%的要求。图2宁夏使用4年单层
，导致水汽进入组件。图6（b）和图6（c）是PVDF背板内层起泡和脱层，据随机片区抽样统计，起泡脱层组件比例约为6.2%。根据现场IV测试结果显示，有PVDF背板脱层组件的功率衰减达到11%～14.7

，低效片混入)。 D.热损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。 E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。 F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要
LID光衰情况。减少单晶原料的衰减可以考虑一下方法，A.模仿多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控拉晶工艺或着区熔单晶工艺，减少氧含量的引入，提高单晶硅棒的品质。C.由掺硼改为掺镓，避免硼氧复合的出现

损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗
OFwek太阳能光伏网讯：本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼

会引起的输出功率下降。E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗。光学损耗产生的
损失要低于单晶。要改善单晶CTM可以想办法减少单晶产品的LID光衰情况。减少单晶原料的衰减可以考虑一下方法，A.模仿多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控拉晶工艺或着区熔单晶工艺，减少氧含量的引入，提高

负载计算 11.1电流组件电流=负载日耗电量（Wh）/系统直流电压（V）峰值日照时数（h）系统效率系数系统效率系数：含蓄电池充电效率0.9，逆变器转换效率0.85，组件功率衰减+线路损耗
）=选定组件峰值工作电流（A）峰值日照时数（h）斜面修正系数组件衰减损耗系数峰值日照时数和倾斜面修正系数为系统安装地的实际数据：组件衰减损耗修正系数主要指因组件组合、组件功率衰减、组件灰尘遮盖