光伏咨询搜索-索比光伏网

着重研究直拉单晶硅电池及铸锭多晶硅电池衰减的差异，以及导致差异形成的原因。结果表明，该差异的形成主要受B-O 复合体、碳含量、分凝系数及金属离子的影响。引言太阳电池和发电技术的大面积推广，对传
统化石燃料发电技术形成了强大冲击，在能源日益枯竭和环境污染日趋加剧的今天，其研究备受关注。太阳电池按照所用材料的区别，主要分为硅材料电池、半导体化合物电池、有机化合物电池，以及近年来研究活跃的钙钛矿电池

着重研究直拉单晶硅电池及铸锭多晶硅电池衰减的差异，以及导致差异形成的原因。结果表明，该差异的形成主要受B-O 复合体、碳含量、分凝系数及金属离子的影响。引言太阳电池和发电技术的大面积推广
，对传统化石燃料发电技术形成了强大冲击，在能源日益枯竭和环境污染日趋加剧的今天，其研究备受关注。太阳电池按照所用材料的区别，主要分为硅材料电池、半导体化合物电池、有机化合物电池，以及近年来研究活跃的

以人民币现金出资27，593万元；协鑫光伏电力科技控股有限公司以等值美元现汇出资人民币12，536万元，以其持有的江苏协鑫硅材料科技发展有限公司2.43%的股权出资人民币1，762万元；富多国
际发展有限公司以其持有的江苏协鑫硅材料科技发展有限公司的36%的股权出资人民币26，109万元，变更后的注册资本为人民币136，000万元。根据发行人董事会决议及苏州工业园区管理委员会《关于保利协鑫（苏州

Solamet PV19B系列浆料以及杜邦Tedlar 聚氟乙烯薄膜等先进材料在乐叶光伏高效单晶组件中的应用，另一方面针对美国、印度、欧洲、中东等市场进行联合营销。这一系列举措将使光伏在应对
全球能源快速增长的过程中，进一步拓宽应用范围、加快应用速度。乐叶光伏总部位于西安，注册资本6.65亿元，是全球领先的单晶硅光伏产品制造商西安隆基硅材料股份有限公司(SH601012)的全资子公司

SolametPV19B系列浆料以及杜邦Tedlar聚氟乙烯薄膜等先进材料在乐叶光伏高效单晶组件中的应用，另一方面针对美国、印度、欧洲、中东等市场进行联合营销。这一系列举措将使光伏在应对全球能源快速增长的过程中
，进一步拓宽应用范围、加快应用速度。乐叶光伏总部位于西安，注册资本6.65亿元，是全球领先的单晶硅光伏产品制造商西安隆基硅材料股份有限公司（SH601012）的全资子公司。乐叶光伏专注于太阳能单晶电池及

)采用毫米级硅料作为形核中心进行外延生长，铸造低缺陷高品质的多晶硅锭。无籽晶高效多晶硅技术(全熔)采用非硅材料在坩埚底部制备表面粗糙的异质形核层，通过控制形核层的粗糙度与形核时过冷度来获得较大形核率，铸造
低缺陷高品质多晶硅锭。这一理论来源于经典的形核理论。有籽晶和无籽晶高效多晶硅技术通过形核层与工艺的优化同样都可以获得小而均匀的晶粒尺寸。有籽晶高效多晶硅技术是硅材料的外延生长，而无籽晶高效

对侧墙进行钝化处理，形成绒面结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。图2A. 单晶电池金字塔绒面图 2B. RIE制备的多晶电池绒面减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从
5B. 选择性发射极电池对晶体硅电池而言，提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于P型晶体硅电池的扩散层是N型导电层，使用目前的SiNx减反射薄膜内带有固定正电荷

钝化处理，形成绒面结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的
，但Al作为受主杂质在硅材料内部的固溶度较低，铝背场提供的场钝化效果比较弱。能够显着改善背面钝化效果的是AlOx/SiNx钝化薄膜，一方面AlOx薄膜内部的固定负电荷密度较高，能够提供较强的场钝化能力

结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的不同，管式PECVD通常采用
SiOx/SiNx薄膜能够进一步提高界面的介质钝化效果。在晶体硅电池背面，目前的铝背面场可以提供一定的场钝化效果，但Al作为受主杂质在硅材料内部的固溶度较低，铝背场提供的场钝化效果比较弱。能够显著改善背面

性能、机械性能方面与单晶相比有显著差异。因此，两种材料的生产工艺与结构决定了单晶具有以下优势：1) 单晶硅比多晶硅材料具有更低的晶格缺陷。2) 单晶硅片比多晶硅片有更高的机械强度，更低的碎片率。3
左右。并且，即便多晶金刚线切割硅片通过增加额外投资的方式解决了制绒问题，多晶硅材料晶界的疏松特性和存在的硬质点将始终成为阻碍其切割速率提升和进行薄片化切割的主要障碍。单晶切片领域目前已普遍采用金刚线切片

多晶硅片在晶体品质、电学性能、机械性能方面与单晶相比有显著差异。因此，两种材料的生产工艺与结构决定了单晶具有以下优势： 1) 单晶硅比多晶硅材料具有更低的晶格缺陷。 2) 单晶硅片比多晶硅片有更高
成本。其中，仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片左右。并且，即便多晶金刚线切割硅片通过增加额外投资的方式解决了制绒问题，多晶硅材料晶界的疏松特性和存在的硬质点将始终

增长35.8%。 B 累计装机量最大在政策支持加强、国内市场不断启动的情况下，我国光伏行业逐步走出低谷，2015年加速回暖，光伏新增装机量将达到16.5GW，继续位居全球首位，累计装机有望超过
席位，其余两家为美国企业。低成本硅材料、价格战争、政府资金的撤回，以及趋于稳定的市场需求，仍令行业整合继续进行。实际上，我国光伏组件企业的竞争中，一线组件企业和二线中小企业分化较为严重，截至目前

%。 B 累计装机量最大在政策支持加强、国内市场不断启动的情况下，我国光伏行业逐步走出低谷，2015年加速回暖，光伏新增装机量将达到16.5GW，继续位居全球首位，累计装机有望超过43GW，超越德国成为
太阳能组件制造商名单中，我国企业占据7个席位，其余两家为美国企业。低成本硅材料、价格战争、政府资金的撤回，以及趋于稳定的市场需求，仍令行业整合继续进行。实际上，我国光伏组件企业的竞争中，一线组件企业和

为7%，即I2/I1=7%；前表面二次反射率为90%，即I6/I5=90%。反射率、扩散方阻以及硅材料本身的参数设定后，改变特定厚度下的表面复合速率，即可得到同一厚度下不同复合速率的硅片模拟效率。改变
样品出现失效问题。图8（a）、图8（b）分别是失效电池样品和正常样品的EL测试图。失效片只有边缘部分可以导通，其原因有待探究，但不是电极反印造成。其他厚度的片子翘曲度不大，所以没有出现失效的情况。可见

发射结均匀性差导致填充因子较低，并且长期使用或存放时，由于发射结表面钝化不理想等原因电池性能会发生衰退。另外，B2O3的沸点很高，扩散过程中始终处于液态状态，扩散均匀性难以控制，且与磷扩散相比，为了获得
的最高转换效率本文论述了n型单晶硅及电池组件的优势，并介绍了各种N型单晶高效电池结构和特点，相关技术发展现状及产业化前景。2.N型单晶硅材料及电池组件的优势与P型单晶硅相比，n单晶硅的生产制备没有本质

的接触。交叉排布的发射区与基区电极几乎覆盖了背表面的大部分，十分有利于电流的引出。结构见图1。　　图1（a）IBC电池基本结构图　　图1（b）IBC电池基本结构图这种背电极的设计实现了电池正面零遮挡
。EWT电池的主要工艺流程如图3（b）所示：　　图3（b）EWT电池主要工艺步骤下一页 2.2、PERL电池PERL