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(a)和(b)中，没有显示背面银电极。B. 太阳能电池制造本文所研究的pSPEER和pSPEERPET采用6英寸掺镓直拉硅PERC电池，工艺流程如图2所示。图2. 6英寸p型Cz-Si生产
，通过在电池侧切面边缘镀一层钝化层来降低边缘处的有效边缘复合速度。“pSPEERPET”是PET工艺边缘钝化后的太阳能电池，如图1(b)。在本文中，PET工艺由两个步骤组成：太阳能电池激光切割后沉积

设备与产业协会 WSTS指世界半导体贸易统计组织半导体材料指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料单晶硅指整块硅晶体中的硅原子按周期性排列的单晶硅，是用高纯度多晶硅为原料，主要通过直拉法和区熔法
取得抛光片指对切割研磨后再经过抛光获得的硅片直拉法指切克劳斯基(Czochralski)方法，一种制备单晶硅的主要方法，利用旋转着的籽晶从坩埚中提拉制备出单晶区熔法指一种利用悬浮区熔技术制备

应用场景。与储能产业密切相关的光伏产业去年经历了531新政，并在2018年下半年形成产业调整。 1.储能分论坛A：储能商业创新分论坛 2.储能分论坛B：储能技术创新分论坛 3.光伏论坛：光伏商业与
技术，一个叫铸造技术，一个叫直拉技术，最右边是做单晶常用的直拉技术，左边是一个技术，叫铸造技术。铸造技术在2018年以前，几乎100%做多晶，大家经常听到多晶硅片。潘少峰，常务副院长，林洋新能源

的边部红区，提高硅锭整体质量。 2.3铸造单晶技术铸造准单晶硅由于其生产成本低于直拉单晶，其太阳电池的转换效率高于传统铸造多晶硅，一直是光伏行业研究的热点。铸造单晶是在坩埚底部铺设特定晶向的籽晶
侯炜强过改进铸锭炉的结构和对工艺优化，形成的准单晶技术，促进了铸锭工艺的进步。常州天合的刘依依等单晶硅中掺杂有Ga、B、Ge三种元素，降低硼氧复合体的产生，从而降低了电池的光致衰减;同时提高了电池片的

%、21.9%这样一个比例超过了50%，结合22%以上的，大概基本上是70%以上的比例。那么鑫单晶如果要跟直拉单晶PK或者是同台竞争，目前21.8%的效率是远不够的。那么我们就说除了这样一个效率
这是最新的提效结果。目前鑫单晶电池平均效率达到了21.95%，已经是接近22%的量产平均效率。所以说，到2019年底鑫单晶的平均量产效率超过22%，或者是跟直拉单晶的平均量产效率差保持在

是江苏大全集团。早在几年前，其就在新疆投资50亿元打造了大全光伏产业园项目，并成立新疆大全新能源公司。2017年10月，新疆大全年产1.3万吨多晶硅项目B阶段开工建设，并于2018年11月投产
半导体级多晶硅生产工艺，纯度可达到9N到11N(多晶硅纯度表示方法，N为小数点前后9的个数，如4N即为99.99%)，完全可以满足N型单晶及CCZ直拉单晶的需求。据介绍，保利协鑫是国内唯一可以做到单线

1.晶硅组件的光衰硼(B)掺杂的P型单晶硅(Cz-直拉法)电池的光衰现象早在1973年已发现，该光衰之后被发现可一定程度恢复的。Jan Schmidt发现了该光衰主要是B-O对引起的并给出
了该缺陷的结构(2003)。Axel Herguth提出了再生态理论解释初始光衰后功率恢复并保持稳定的原理(2006)。P型多晶硅电池的衰减则因氧含量相对少而恢复过程不明显，该衰减被认为不仅与B-O对

领先的工业级生产商，保利协鑫拥有雄厚的科技储备，正在致力于将半导体级高纯多晶硅、FBR硅烷流化床法颗粒硅、CCz连续直拉单晶等前沿科技投入产业化应用，让光伏科技造福清洁能源生活。张家港
协鑫集成智能制造重点围绕打造全自动、无人化、集中控制的黑灯工厂智能车间，打造按需定制的太阳能组件智能制造B2C新模式，向着基于订单的7天交付的全流程可视的智能制造云管理平台跨越。协鑫新能源基于协鑫28年电力、9

数字信号电缆、五主栅晶体硅太阳能组件、应急救援可视化设备、机车线缆用耐油辐照交联低烟无卤阻燃聚烯烃等19项产品获得高新产品认证。中环股份 2018年上半年项目： 8-12 英寸半导体直拉单晶
开发，磁性材料智能化技改，永磁材料生产线自动化智能化网络信息化等。 2017年：无线充电用高磁导率铁氧体磁片项目、单晶PERC电池量产化项目、高容量18650型汽车动力锂电池项目、DMS321-B

19项产品获得高新产品认证。中环股份 2018年上半年项目： 8-12 英寸半导体直拉单晶研发，立 8-12 英寸集成电路级抛光片，8 英寸半导体抛光片，钻石线切割超薄硅片项目，整体太阳能
铁氧体磁片项目、单晶PERC电池量产化项目、高容量18650型汽车动力锂电池项目、DMS321-B高强度、高性能注塑PPS-铁氧体颗粒料等。林洋能源 2018上半年:加大对光伏电池和组件的研发

的Panda-TOPCon双面电池。 2电池结构 Panda-TOPCon电池是在常规Panda电池的基础上引入隧穿氧化层和磷掺杂的多晶硅层，如图1所示。电池采用直拉法N型单晶硅片，正面依次为硼
156cm156cm的N型Cz硅片，分别进行双面硼扩散(B|B)对称结构，双面SiOx/polySi(P|P)对称结构，正面硼扩散+背面SiOx/polySi(B|P)非对称结构。之后，将这三种样品同时进行

直拉法硅片，集成正反面钝化及反光衰等先进的工业钝化发射极触点电池技术。在多晶PERC上，2015年11月，天合光能大面积P型多晶硅PERC太阳电池光电转换率达到21.25%，创造了新的世界纪录
接触区域的复合，如采用局部B掺杂; (5)采用高质量硅片，如提高硅片的少子寿命; (6)双面PERC电池。来源：B Min, M Mller , H Wagner, ARoadmap

，依托其领先业内的技术，将在各个全球领先的各个领域上(多晶硅、单晶硅、硅片、电站运营)上疾行到怎样的高度; B.出口竞争力：保利协鑫的硅料生产已是全球第一，并已出口到全球第二的韩国，随着成本的降低，将在
元/公斤的业内最低成本，可以看出GCL工艺法的优势。除了现有工艺技术领先，保利协鑫还掌握着下一代多晶硅料和单晶硅料的工艺技术。多晶硅料的FBR颗粒硅技术，还有单晶硅料的CCZ连续直拉单晶技术，皆为

硼Cz-Si太阳电池的光衰减问题，如图1所示。该研究表示1cm掺硼直拉硅电池在光照一段时间后电池性能衰减较为明显;随光照时间的延长，衰减趋于稳定达到饱和值;后在一定温度光照一定时长后，电池性能得到完全
恢复。经过几年的联合研究，通过大量的实验清楚的认识了Cz-Si光衰减的缺陷，证实了引起Cz-Si光衰减缺陷的主要成分是硼和氧。研究指出在晶体硅中硅的原子半径要比B的原子半径大25%，故后者更易于吸引硅

会更进一步提升至70张)，而多晶为59片(出片量数据均包含B片)。由于单晶的“长晶”成本更高，更细的金刚线带来的出片量的提升明显更有利于单晶硅片的成本降低，所以我们现在看到的就是：单晶企业普遍
提升对长晶环节的摊销降低”这一概念的含义不太好理解，此处花一些时间更进一步地解释一下—— 单晶硅片与多晶硅片制造过程最根本的不同点在于“长晶”的过程。单晶为了保障内部晶格序列一致，往往是采用直拉

杂质点缺陷，如硅晶体中的磷、硼、碳等杂质原子 B、间隙杂质点缺陷，如硅晶体中的氧等 1.3点缺陷之间相互作用一个空位和一个间隙原子结合使空位和间隙原子同时湮灭(复合)，两个空位形成双空位或空位团
形貌技术，红外显微技术等方法。 2.3微缺陷结构直拉单晶中微缺陷比较复杂。TEM观察到在原生直拉硅单晶中，存在着间隙位错环，位错团和小的堆跺层错等构成的微缺陷，以及板片状SiO2沉积物，退火Cz

普遍为200微米，金刚线切割以后有利于薄片化，所以1kg准方锭金刚线的出片量目前为65片(隆基股份实际的出片量还更高，明年导入50线以后会更进一步提升至70张)，而多晶为59片(出片量数据均包含B片
提升对长晶环节的摊销降低这一概念的含义不太好理解，此处花一些时间更进一步地解释一下。单晶硅片与多晶硅片制造过程最根本的不同点在于长晶的过程，单晶为了保障内部晶格序列一致，往往是采用直拉单晶炉缓慢生长

为200微米，金刚线切割以后有利于薄片化，所以1kg准方锭金刚线的出片量目前为65片（隆基股份实际的出片量还更高，明年导入50线以后会更进一步提升至70张），而多晶为59片（出片量数据均包含B片
长晶环节的摊销降低这一概念的含义不太好理解，此处花一些时间更进一步地解释一下。单晶硅片与多晶硅片制造过程最根本的不同点在于长晶的过程，单晶为了保障内部晶格序列一致，往往是采用直拉单晶炉缓慢生长单晶硅棒