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℃，可使用130m甚至更薄的硅片，在设备和材料上降本空间大，未来将最更具成本优势。基于无B-O光衰减、无LeTID，较低的温度系数(基本只有晶硅同质结电池的一半左右)、高双面率、弱光响应优异等特点
，特别是在PECVD/PVD镀膜、金属化和氢钝化等关键制程方面，东方日升已经形成了自己的独特技术。同时东方日升结合半片、多主栅等技术推动异质结组件的大规模量产，我们在浙江宁海的实证电站数据表明，我们的

年SNEC各大组件厂展出的产品看，半片+MBB结合的组件已经成为主流，几乎每家都有对应的产品展示。今年也被视为MBB多主栅技术风口真正来临的一年。然而，这种信号在两三年前就传导到了与高效电池相关的
供应链，并在导电浆料环节引发了更高的定制化需求。 MBB多主栅及其他主栅技术，准确来讲是一种高效组件技术，就电池端而言并不是新的技术。我们从三年前的DK91系列导电银浆起就可以完全支持MBB多主栅电池与

核心部件就是IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，中文名称为绝缘栅双极型晶体管）， IGBT号称电动汽车的"CPU"！因为IGBT约占汽车电机驱动系统成本的
一半，而电机驱动系统占整车成本的15-20%，也就是说IGBT占整车成本的7-10%，是除电池之外成本第二高的元件，也决定了整车的能源效率。 IGBT就是一个高速开关，在汽车发动机和电池中间，通过调节

，光伏技术出现新的整合趋势，产业链上中下游的研发路线都在调整。可增效降本的双玻、双面、半片、MBB、多主栅和叠瓦等趋势更为凸显，代表未来趋势的PERC技术、金刚线切割、高效 HJT 异质结电池等高

交联度控制在85%5%内。 2.加强原材料供应商的改善及原材检验。 3.加强制程过程中成品外观检验。 4.严格控制助焊剂用量，尽量不超过主栅线两侧0.3mm。 3 硅胶不良导致分层&电池
下一工序。 9 焊带偏移或焊接后翘曲破片 1.焊接机定位出现异常会造成焊带偏移现象。 2.电池片原材主栅线偏移会造成焊接后焊带与主栅线偏移。 3.温度过高焊带弯曲硬度过大导致焊接完后电池片弯曲

提升效率和发电能力的潜力。通过与多主栅、选择性发射极和TOPCon等技术的叠加，PERC电池效率可以进一步提升;组合金刚线切割和黑硅技术，可以提高多晶电池性价比。而双面PERC电池在几乎不增加成本的