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02包正极涂布系统 150m/min 负极涂布系统 150m/min 03包正极辊压分切 150m/min 负极辊压分切 150m/min 04包制片卷绕A 50PPM 制片卷绕B
50PPM 05包组装线 48PPM 06包激光焊接系统(含一次氦检) 48PPM 注液孔激光封口焊接(含二次氦检) 48PPM 刻码机 / 07包烘箱 48PPM 冷却箱

GW。 PERC工艺(通过2个生产系统完成升级)：完整的PERC生产线 A：硅片检测;B：损伤层去除/制绒;C：扩散;D：去PSG(磷硅玻璃);E：MAiA背面沉积;F：SiNA正面沉积
;G：激光;H：金属化;I：测试和分选上述系统也可以通过对双面PERC工艺(PERC+)进行少量改动实现升级：这需要对太阳能电池片镀膜的生产工艺方案进行细微调整，从而提高透明度，同时将

今年才9年。小米2010年成立，到现在成立才8年， OPPO品牌是2004年创立的，华为虽然1987年就成立了，但是真正的下决心开始做消费电子市场，抛弃B2B给运营商定制手机，真正的开始做
提升我们的成熟和先进技术平台，提供客户全面有竞争力的服务。这里面的信息其实很明确，那就是28nm的新工艺良率已经成熟，同时中芯国际表示其14nmFinFET工艺将在明年上半年量产，客户是来自于

200~350C的加热条件下使用高强度激光照射单晶电池，使户外曝晒下缓慢发生的再生过程在几秒钟内完成，B-O等缺陷被钝化，从而解决PERC技术带来的更高光衰问题，处理后的单晶PERC电池光衰明显低于
最大。2017年4月，隆基与新南威尔士大学、帝尔激光联合对外宣布向行业公开低衰减技术LIR(光致再生)技术，可有效控制单晶PERC电池的光衰。一年后，隆基进一步公开解决方案，并承诺帮助单晶硅片客户将

。 2017年项目：节能环保LOW-E中空玻璃，镀膜中空玻璃。东方日升 2018年上半年项目：电池片研发方面：N/P型单晶双面太阳电池制备工艺的研究、高效太阳电池激光技术应用的研究、黑硅
、N型双面太阳电池制备工艺的研究、太阳电池激光制绒技术的研究、黑硅电池五主栅电池技术的研究、黑硅电池与组件材料匹配性研究、航天机电 2018上半年：大汽车热系统技术研发和资金投入，组串级逆变

：电池片研发方面：N/P型单晶双面太阳电池制备工艺的研究、高效太阳电池激光技术应用的研究、黑硅电池与组件材料匹配性研究、背抛光技术技改的研究等。组件研发方面：双面双玻组件的研究、高CTM
EVA胶膜的研发等。 2017项目： PERC单多晶高效太阳能电池、MBB低电流太阳能双玻组件、N型双面太阳电池制备工艺的研究、太阳电池激光制绒技术的研究、黑硅电池五主栅电池技术的研究、黑硅电池与

包括904nm的激光注入产生电子-空穴对(Fig.2-3a)，导致样品的电导率增加，当撤去外界光注入时(Fig.2-3b)，电导率随时间指数衰减，这一趋势间接反应少数载流子的衰减趋势，从而通过微波探测
电导率随时间变化的趋势得到载流子的寿命。 Fig.2-3a激光激发 Fig.2-3b微波探测 2.4方块电阻扫描(SHR) SHR测试探头在中心有一个激光源(Fig.2-4

。 PERC工艺(通过2个生产系统完成升级) 完整的PERC生产线(A：硅片检测;B：损伤层去除/制绒;C：扩散;D：去PSG(磷硅玻璃);E：MAiA背面沉积;F：SiNA正面沉积;G
：激光;H：金属化;I：测试和分选上述系统也可以通过对双面PERC工艺(PERC+)进行少量改动实现升级：这需要对太阳能电池片镀膜的生产工艺方案进行细微调整，从而提高透明度，同时将背面印刷从全面

的掺镓硅片;PERC 电池实验组5～8，同样选用电阻率依次为0.2～1 cm、1～2 cm、2～3 cm、3～4 cm 的掺镓硅片;每组样品数量均为400 片。所有的电池片生产工艺均在常规的
单晶硅太阳电池生产线上进行，主要工艺步骤( 其中步骤4)和6) 为PERC 电池独有的工艺) 如下： 1) 去损伤层、制绒：制绒金字塔大小1.5～2.5 m; 2)PCl3 扩散：高温扩散形成n+

一条线3.3GW、12月投产合肥通威投产一条电池线2.4GW;隆基保山产能三季度完全投产合计新增6GW;大全新能源3B的1.3万吨硅料产能10月点火投产;中环股份的四期项目炉子也在7~8月大批量到位。由于
274瓦的水平，但是根据规则274瓦的组件只能标定为270组件，不符合诸多电站业主的设计要求。结果就是这样的组件没人要，甚至只能按照B级电池片出售，价格仅为正常电池的8折。由于行业内大量的多晶电池

，相对较软，c、d浆料不易屈服，变软的速度较慢。图5为五种浆料3D激光显示印刷后栅线形貌，从图中可以看出b浆料印刷后流平性好，极易过网，几乎看不出网结点，但同时线宽变大，高宽比不及浆料a，而a浆料兼具
晶体硅太阳能电池制造工艺中，使用成本昂贵的蒸镀工艺制作电极，如采用Ti/Pa/Ag结构来降低接触电阻，增加与硅底的附着力。而在实际工业生产中，为降低生产成本，常采用导电性能优越的银浆料，用丝网印刷的

2.5万吨硅料产能9月投产、乐山2.5万吨硅料产能10月投产;通威电池产能10月投产一条线3.3GW、12月投产合肥通威投产一条电池线2.4GW;隆基保山产能三季度完全投产合计新增6GW;大全新能源3B的
甚至可以做到274瓦的水平，但是根据规则274瓦的组件只能标定为270组件，不符合诸多电站业主的设计要求。结果就是这样的组件没人要，甚至只能按照B级电池片出售，价格仅为正常电池的8折。由于行业内大量的

的不同而异。因此，钝化膜沉积设备和膜开口设备(既可以使用激光也可以运用化学蚀刻)都需要在传统的电池生产线上额外增加加工设备。对于较少应用的激光边缘隔绝处理工艺生产线，需要增加一个化学湿式工作台进行背面

工艺极其必要。 2硅片清洗技术 2.1清洗技术的分类和原理常用的硅片清洗技术有湿法清洗和干法清洗。湿法清洗采用具有较强腐蚀性和氧化性的化学溶剂，如H2SO4、H2O2、DHF、NH3H2O等
28KHz的电能转换为机械震荡波，声波传入Q352-B碱性清洗剂、活性剂、去离子水=0.2：1：10的化学清洗液中，在45℃环境下清洗硅片3min，硅片直径10cm，厚度600m。高频声波在化学清洗液中

恢复。经过几年的联合研究，通过大量的实验清楚的认识了Cz-Si光衰减的缺陷，证实了引起Cz-Si光衰减缺陷的主要成分是硼和氧。研究指出在晶体硅中硅的原子半径要比B的原子半径大25%，故后者更易于吸引硅
中的间隙氧原子。同时，由两个间隙氧原子组成的双氧分子O2i与替位的硼原子结合，从而形成B-O复合体。这种观点已得到Adey等的理论计算支持，并提出了如下反应的B-O形成机制模型。 2 改进

金属接触，有效降低背表面的电子复合速度，同时提升了背表面的光反射。 PERC电池实验室制备采用了光刻、蒸镀、热氧钝化、电镀等技术，而产业化PERC工艺采用了PECVD(或ALD)法钝化、激光开孔
，单晶PERC的光衰主要与电池中B-O对有关，此类衰减可通过降低硅片中氧含量、掺Ga、光照+退火等工艺消除。图二单晶PERC电池的LID衰减和恢复机理图三国产PERC电池的光照恢复