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扩散的，其磷源片种类很多，主要成分有磷酸镧、CeP5O14、SiP2O7几种，硼源片的主要成分有B2O3、BN和SiO2的混合物两种，扩散时在源片的同一石英舟上放上要扩散的硅片，待炉温加热至850℃的
硅片体内。早期就有人提出SiNx是理想的减反射膜，而且还可以同时达到表面钝化和体内钝化的效果。PECVD法沉积的氮化硅膜的折射率可以通过调节反应气体的流量进行调整，一般可调范围在1.9～2.5之间

主要成分有B2O3、BN和SiO2的混合物两种，扩散时在源片的同一石英舟上放上要扩散的硅片，待炉温加热至850℃的时候缓慢将石英舟推入恒温区，并一直通氮气，P扩散一小时后其方阻约在R=20～30/sq的
硅片少子寿命的下降，并引起衬底掺杂浓度的再分布。许多有害杂质也会在高温条件下扩散到硅片体内。早期就有人提出SiNx是理想的减反射膜，而且还可以同时达到表面钝化和体内钝化的效果。PECVD法沉积的氮化硅膜

采访。　　SPVI：据我们了解，N型技术就是将磷材料替代运用于P型硅片生产中的硼掺杂物。相比于传统P型工艺，我们发现使用硼材料制造发射器存有挑战，而且在进行钝化处理时使用氮化硅仍存在困难。不过
发射器仍存有挑战，这点其实众所周知。不过，通过Tempress、ECN与英利联合合作，这类问题已得以解决，生产同质量的硼发射器成本已经等同磷发射器。其实，结合氮化硅生产钝化层更为困难。ECN已经发明一种

就是将磷材料替代运用于P型硅片生产中的硼掺杂物。相比于传统P型工艺，我们发现使用硼材料制造发射器存有挑战，而且在进行钝化处理时使用氮化硅仍存在困难。不过，诸如离子注入与大气压强化学气相沉积（APCVD
Tempress、ECN与英利联合合作，这类问题已得以解决，生产同质量的硼发射器成本已经等同磷发射器。其实，结合氮化硅生产钝化层更为困难。ECN已经发明一种新型钝化工艺，并已植入英利的熊猫电池之中。离子植入与

给出了建议。 1 N 型背结背接触晶体硅电池高转化效率机理首先，与掺硼(B)的P型晶体硅材料相比，掺磷(P)的N型晶体硅材料具有如下优势：（1）N型材料中的杂质（如一些常见的金属离子）对
2009 年，荷兰国家能源研究中心(ECN)采用液态 B 扩散技术在 N 型太阳能级衬底上形成背部p 型发射极，并实现了N型 125125cm 2电池片的规模化生产。然而，采用液态B扩散技术存在着扩散

忽略不计。在p-Cz材料中由于光照会形成B-O络合物，这在氧中是相当富集的，使材料的体载流子寿命降低。这将严重限制用这些硅片能得到的高效率。第二，发现n型材料对过渡金属杂质（例如Fe）灵敏度低得多。这使n
扩散高。这使同时形成n型电池的发射极和BSF是一个挑战。此外，用氮化硅（SiNx）钝化发射极的常规方法对p+硼发射极效果较小，这是因为在SiNX/Si界面附近形成了固定的正电荷。这些将产生p+发射极

冷却水流量，提高炉壁温度使硅油挥发。3、彩棒问题：一般而言，多晶硅生产中产生的彩棒颜色一般为深灰色或是七彩色。深灰色一般是由于系统中含有氮气而生成氮化硅造成的。而七彩色一般是由于系统中进入少量氧气而生
系统，甚至到精馏系统。这样的话，时间一长，无定形硅会在尾气回收系统和精馏系统里面沉积，尤其是阀门、法兰、塔填料及精馏塔的底部及换热器处，这样就会导致系统堵塞，并可能引起产品质量下降;B、无定形硅的大量

等离子体刻蚀的几种基本方法示意图。(a)溅射法是由于能量离子的撞击而引起表面物质的原子急速蒸发和向外喷射的纯物理过程，这种方法选择性差，易引起器件损伤。(b)化学法是在化学方法刻蚀中，等离子体使中性原子基活化
刻蚀，也可用于半导体工艺中多晶硅、氮化硅的刻蚀和去胶。2.工作原理及结构特征(1)设备的基本结构本光伏设备由反应室、真空系统、送气系统、高频电源、匹配器等部分组成，见图5.5所示。图5.5等离子体刻蚀

避免密封胶黄化和电池不能接受到短波长光线的问题。太阳电池的表面沉积了一层氮化硅结构的减反射膜，折射率约为2.1,其上有EVA和钢化玻璃（两者的折射率约为1.48左右），为使组件的透射率达到最大的减反效果
电流；不适合的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。封装试验及讨论不同氮化硅膜厚电池的封装对比选族三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶

。下一页太阳电池的表面沉积了一层氮化硅结构的减反射膜，折射率约为2.1，其上有EVA和钢化玻璃（两者的折射率约为1.48左右），为使组件的
焊接过程中存在虚焊、漏焊等焊接不良的问题，会造成较高的接触电阻，降低组件的输出电流；不合适的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。　　封装实验及讨论不同氮化硅

避免密封胶黄化和电池不能接受到短波长光线的问题。　　太阳电池的表面沉积了一层氮化硅结构的减反射膜，折射率约为2.1，其上有EVA和钢化玻璃（两者的折射率约为1.48左右），为使组件的透射率达到最大的减反
的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。　　封装实验及讨论　　不同氮化硅膜厚电池的封装对比　　选取三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶

因子和20．8％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高
太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可产生氢钝化的效果。　　在高效太阳电池上常采用表面氧钝化的技术来提高太阳电池的效率，近年来在光伏级的晶体硅

％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高的主要因素。PERC和PERL
硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可产生氢钝化的效果。在高效太阳电池上常采用表面

索比光伏网讯:氮化硅膜作为晶体硅太阳能电池减反射钝化膜是目前太阳能电池制备的主流，然而由于用PECVD来制备的氮化硅膜，是以SixNyHz方式来表达的，其中的x,y,z的数值直接影响了膜的光学性能和
分子被直接排出系统之外。（7）到达衬底表面的各种化学基团发生各种沉积反应并释放出反应产物。假设一个极端的情况：假设在衬底表面处，反应进行得很彻底，没有残余的反应物存在；假设在装置的上界面Y=B处，物质

出现问题，则很容易发生这种情况；ｂ，导轮磨损过大，导轮使用寿命有限制，超过一定时间则需要更换导轮；ｃ，钢线张力太小，线弓过大产生滑移，一般在工艺稳定的情况下，这种情况不易发生，如为此种情况，须适当调整
夹杂物，钢丝的断面照片可以明显看到成不相容相的颗粒；③钢丝存在表面缺陷，当切割受力时这些杂质和缺陷成为应力承受的薄弱部位，易于断裂。ｂ，收（放）线端异常受力，如①工字轮变形引起排线松动或夹丝；②放线

科技股份有限公司研发总监。　　摘要：本文针对目前国内在太阳能电池行业使用管式PECVD沉积氮化硅减反射膜时为了实现均匀性而随意调整工艺气体流量而做出实验性分析，避免在工艺过程中发现电池转换效率下降了而难以找到原因
。通过改变工艺气体的流量，对各项技术指标进行测量分析，结合国内外的一些文献，得出了工艺气体流量对氮化硅膜的直接影响，同时也直接导致了电池转换效率的变化。通过这些研究为制备高性能电池减反射膜提供实验基础，为

，也是国内新兴的光伏设备制造商。拥有FT500，KR-800A，KR-800B等多晶硅铸锭炉产品，其中KR-800B型可投料900Kg。目前拥有无锡尚德、保利协鑫、旭阳雷迪、河南朝歌等用户。刘杰指出
氮化硅粉在表面的沉积，提高头部的少子寿命、降低切片破片率并节省氩气用量，约10m3/锭。吉阳集团的首席运营官齐鸣博士也做了精彩发言，该集团公司于2004年5月由孙良欣董事长和18个行业最具实力的企业作为

，进行了一次纯技术性的演讲，也引起了各企业代表的积极提问。开日能源科技股份有限公司是一家专业制造太阳能光伏设备的企业，也是国内新兴的光伏设备制造商。拥有FT500，KR-800A， KR-800B等多晶硅
铸锭炉产品，其中KR-800B型可投料900Kg。目前拥有无锡尚德、保利协鑫、旭阳雷迪、河南朝歌等用户。刘杰指出，多晶硅铸锭发展趋势是“多、快、好、省”，分别指装料多、周期短、品质高、省消耗。在提高

、HCPV-TDB3B156、HCPV-TDB125W。 8 9 10 11 12 1111118 下一页余下全文　　巨力
安装一个旁路二极管，可有效防止热斑效应。使用由深蓝色氮化硅层或二氧化钛层作减反射膜的太阳能电池片，确保了组件的良好外观。优质铝合金边框确保组件具有很高的抗风等级，结构合理便于安装。采用密封防水性良好

的均匀性是一项很重要的指标，目前市场上太阳电池标准订的越来越高，尽管有些色差片的效率很高，也只能按照B级片处理。各种设备的标称均匀性列于表3。表3 各种PECVD法的均匀性比较
。　　四结论　　目前，产业化的SiNx镀膜技术还在不断的发展，每一种技术都有其特性点，也都有其不足。太阳电池向着新型特种结构和工艺的方向发展，对氮化硅膜提出了一些新的要求。　　例如，有一种新型