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ZnO，由于制备的TCO表面具有一定绒度，可直接用在电池上。研究人员通过优化LPCVD沉积工艺参数获得的ZnO:B整体性能优于FTO，在此基础上获得单结非晶硅薄膜电池稳定效率达到9.1%。研究人员研究
使用N型硅片作为衬底，不存在P型硅片中的B-O复合对，在光照一段时间后不会产生由B-O复合对引起的光致衰减问题。IWO薄膜性能影响因素研究掺钨氧化铟(In2O3:W，IWO)薄膜由于具有较高的载流子

、H2O2、HF、添加剂等，主要是大宗化学品，非常成熟。添加剂目前还是进口为主，有企业在尝试国产化，进口添加剂成本约8分/片，如果国产化成功，可以降到2分/片。 PECVD：主要是TMB、B
2H6、PH3等气体，非常成熟，成本占比可以忽略。 PVD/RPD：氩气、靶材。先导、映日、壹纳等国内厂商已经突破，价格大幅低于海外厂商，未来需求放量，价格还有下降空间。靶材核心成分是氧化铟，质量占比在

在这些方面均具备实力。林德提供光伏加工所需的综合型气体与化学品产品组合。用于生产光伏电池的大宗气体为氮气(N2)、氢气(H2)、氧气(O2)、氩气(Ar)，还有某些情况下所使用的氦气(He)。用于生产
光伏的特种气体为硅烷(SiH 4 )、氨气(NH 3 )、氧化亚氮(N 2 O)、二氧化碳(CO 2 )、甲烷(CH 4 )、氟化氢(HF)、磷化氢(PH 3 )和乙硼烷(B 2 H 6 )。除了由在

材料 2.1单晶硅生长炉　　生产单晶硅主要有Cz法和浮游带区(Fz)法。图1是Cz单晶硅炉的结构示意图，在氩气保护下，将多晶硅加热到1500℃左右，使其熔融：由炉上部旋转垂放晶籽(种)拉线
（B）的示意图　　 C/C坩埚除用CVD法沉积热解碳外，也可用沉积SiC层。SiC层不仅可填堵表面的孔，而且可缓和它们之间的热膨胀率之差而引起应力导致热龟裂。硅在液相的密度要比固相大，熔融或

把熔体与坩埚底部隔离，能避免在坩埚底部形成小尺寸晶粒。由此，原料熔融过程中必须很好地保存籽晶。为了很好地保存籽晶，要求二个条件：(a) 在硅范围内有足够大的温度梯度;(b) 尽可能平坦或稍凸的籽晶
结构对有籽晶DS系统内籽晶保存的影响。本研究中，考虑熔体对流、氩气流动、固体热传导和热辐射，以及相变后，为工业用硅锭有籽晶DS过程建立了一个全局模型。在此模型的基础上，我们用数值方法研究隔热环几何结构

，也是国内新兴的光伏设备制造商。拥有FT500，KR-800A，KR-800B等多晶硅铸锭炉产品，其中KR-800B型可投料900Kg。目前拥有无锡尚德、保利协鑫、旭阳雷迪、河南朝歌等用户。刘杰指出
氮化硅粉在表面的沉积，提高头部的少子寿命、降低切片破片率并节省氩气用量，约10m3/锭。吉阳集团的首席运营官齐鸣博士也做了精彩发言，该集团公司于2004年5月由孙良欣董事长和18个行业最具实力的企业作为

，进行了一次纯技术性的演讲，也引起了各企业代表的积极提问。开日能源科技股份有限公司是一家专业制造太阳能光伏设备的企业，也是国内新兴的光伏设备制造商。拥有FT500，KR-800A， KR-800B等多晶硅
铸锭炉产品，其中KR-800B型可投料900Kg。目前拥有无锡尚德、保利协鑫、旭阳雷迪、河南朝歌等用户。刘杰指出，多晶硅铸锭发展趋势是“多、快、好、省”，分别指装料多、周期短、品质高、省消耗。在提高

）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。　　（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定
，是最普遍被采用的。酸性腐蚀液由硝酸（HNO3），氢氟酸（HF），及一些缓冲酸（CH3COCH，H3PO4）组成。　　　　　　　　（B）碱性腐蚀，碱性腐蚀液由KOH或NaOH加纯水组成。　　抛光