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，低温系数和坚固的双玻璃设计使该太阳能组件稳坐“主打产品“的宝座。AS-M1089B-GA(M10)高压太阳能电池板目前有三种版本，输出功率为445W至455W，功率转换效率范围为22.8%~23.3
毫米的玻璃，阳极氧化铝制成的黑色框架，以及IP68等级。最大系统电压为1500V，工作温度范围为-40℃至85℃，温度系数为-0.29%/℃。AEG提供40年的产品保修和40年的功率输出保证。40年终端输出功率保证不小于额定输出功率的83.4%。

侧切面边缘沉积Al2O3钝化层和高温退火工艺组成，例如，氧化铝(Al2O3)钝化层具有优异的钝化质量和效果，通过高温处理(也称为退火)进行激活，这两种工艺温度都可以小于250℃，因此，PET工艺对
电池宽26.46 mm*158.75 mm█ 实验计划实验计划如图2所示，包含三个子实验，分别表示为实验A到实验C：实验A目标优化TLS无损切割工艺，将TOPCon整片电池切割成叠瓦电池。实验B目标

微米的侧切面进行钝化，通过沉积由氮化硅覆盖的氧化铝和氧化硅层来实现，侧切面损坏性蚀刻之后进行钝化工艺。然而，生产这种电池需要几个额外的预金属化工艺步骤或金属化后化学蚀刻工艺，这就使得实现工业化量产具有
，通过在电池侧切面边缘镀一层钝化层来降低边缘处的有效边缘复合速度。“pSPEERPET”是PET工艺边缘钝化后的太阳能电池，如图1(b)。在本文中，PET工艺由两个步骤组成：太阳能电池激光切割后沉积

、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝沉积、正背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试分选，约12步左右。其中，氧化层钝接结构制备为TOPCon在PERC的基础上增加的主要工序，也是TOPCon的核心工序，工艺路线
( BBr3 )以及三氯化硼(BCl3)。其中，三溴化硼扩散的副产物对石英器件损伤严重，部分厂商开始使用三氯化硼作为硼源，虽然三氯化硼的副产物对石英器件基本无损伤，但受制于B-CL键能较大，扩散

包括氮化硅膜，氧化铝膜，二氧化硅膜，非晶硅膜，透明导电膜等。PERC，TOPcon，HJT，P-IBC 等电池技术通过使用不同的膜层来达到提效目的。氮化硅膜：减反作用和钝化作用。减反射膜原理
在制备的过程中可引入大量的氢原子，经退火后起到良好的氢钝化作用。氧化铝膜：钝化作用。硅片在生长时硅原子的周期性被打乱而产生悬空键，容易形成复合中心，从而降低电池效率。氧化铝具有较高的固定负电荷

包括氮化硅膜，氧化铝膜，二氧化硅膜，非晶硅膜，透明导电膜等。PERC，TOPcon，HJT，P-IBC 等电池技术通过使用不同的膜层来达到提效目的。氮化硅膜：减反作用和钝化作用。减反射膜原理在于
过程中可引入大量的氢原子，经退火后起到良好的氢钝化作用。 氧化铝膜：钝化作用。硅片在生长时硅原子的周期性被打乱而产生悬空键，容易形成复合中心，从而降低电池效率。氧化铝具有较高的固定负电荷密度，可

8,933,525B2时表示：该专利试图涵盖一种具有三层钝化结构的特定类型PERC太阳能电池，包括化学钝化层、场效应钝化层和氮化硅覆盖层，其中场效应钝化层中含有氧化铝。虽然韩华此前已在许多国家提交专利申请并成
中被驳回。隆基报告说，美国专利商标局（USPTO）下属的专利审判与上诉委员会（PTAB）已于6月28日就双方复审（IPR）程序发布了最终书面裁决，宣布韩华Q-Cells的美国专利8,933,525B

SOL6700B主栅的组合在客户端也得到了广泛的认可。图6. 分步印刷示意图 SOL6700B 独特的非接触型设计，使浆料对氮化硅或氧化铝钝化层的腐蚀非常低。EL的图示也显示出新的
以及无网结网版的引进可明显降低细栅线造成的金属化遮光，而优良的浆料在此基础上可以适应更窄的网版开口，进一步降低金属化遮光。Heraeus最新一代的SOL9671B得益于有机系统的升级从而在超细线印刷

黑硅PERC 多晶太阳电池采用背抛光工艺，其背面刻蚀深度在4.00.2 m，在800～1050 nm的光学波长范围内，其反射率较常规刻蚀制备的黑硅多晶太阳电池提升了10% 左右;采用氧化铝及氮化硅
1.1 实验准备 1) 物料：采用p 型多晶硅片，尺寸规格为156.750.25 mm，厚度为190 m，电阻率为1～3 cm。 2) 化学品：时创PS30 抛光剂，台湾长阳IP1257-L 型氧化铝

相比， PERC 电池背面增加了氧化铝 AlOx，氧化硅 SiOx 和氮化硅 SiNx 等钝化叠层，因此电池的表面复合速率大大的降低，电池的开压 VOC 可以提升 15-20mV。而且，由于背面钝化
钝化镀层与钝化层激光开槽两道工序。其中背面钝化镀层包括氧化铝镀层与氮化硅镀层，市场中存在两种技术路线，一是采用 PECVD+PECVD 两台设备，代表厂商为捷佳伟创;二是用

的产品组合：为挖掘多晶电池性价比，我们专门设计了DK93A导电银浆，在配合客户优化提升多晶电池效率的同时显著降低单片银浆用量;针对不同钝化工艺的单晶PERC LDSE电池，我们开发了DK93B高效
导电银浆，着力控制金属化区域的复合水平。我们通过创新金属化技术持续推动的双面氧化铝钝化PERC技术已经取得了大规模的量产实践;随着单晶PERC LDSE方阻的不断提升，DK93D和(或)DK81A

优化提升多晶电池效率的同时显著降低单片银浆用量;针对不同钝化工艺的单晶PERC LDSE电池，我们开发了DK93B高效导电银浆，着力控制金属化区域的复合水平。我们通过创新金属化技术持续推动的双面
氧化铝钝化PERC技术已经取得了大规模的量产实践;随着单晶PERC LDSE方阻的不断提升，DK93D和(或)DK81A等两次印刷和分步印刷方案将发挥更大的作用。在钝化接触TOPCon层面，我们和

22.8%的高转换效率，其基本结构如图2a所示。1999年，UNSW的该团队再次宣布其PERL太阳电池(如图2b所示)转化效率达到24.7%。与传统的单晶硅太阳电池相比，PERL太阳电池的主要特点和优势包括
提供更高的势垒阻挡其隧穿，因而该层具有载流子选择性。TOPCon太阳电池的隧穿氧化层钝化接触结构的能带图和其结构示意图如图6a、b所示。 Fraunhofer研究所采用N型FZ硅片，正面采用普通

SEM图像。由于AAO是用二步法阳极氧化制备的，可以得到孔径及孔间间距分布窄的有序孔结构，见图1(a)。从图1(b)可以证实，在AAO膜底部的氧化铝阻挡层已彻底除去，这使膜能用作真空蒸发时的遮蔽掩膜
导读：采用阳极氧化的超薄氧化铝(AAO)膜作为淀积掩膜被认为是低成本制作纳米图形的潜在方法，因为它们在大面积上的面密度高，且尺寸分布窄。本研究中，我们用超薄AAO模板在玻璃衬底上制备了Ag纳米点

FZ硅片上实现了22.8%的高转换效率，其基本结构如图2a所示。1999年，UNSW的该团队再次宣布其PERL太阳电池(如图2b所示)转化效率达到24.7%。与传统的单晶硅太阳电池相比，PERL
隧穿氧化层，而电子则能够轻易达到。相比于电子，超薄氧化层也会为空穴提供更高的势垒阻挡其隧穿，因而该层具有载流子选择性。TOPCon太阳电池的隧穿氧化层钝化接触结构的能带图和其结构示意图如图6a、b所示

良好的传导性，因而TOPCon电池具有高的开路电压和填充因子。2015年FraunfhoferISE采用N型区熔硅片，正面采用金字塔制绒，硼扩散，氧化铝加氮化硅叠层膜起钝化和减反作用，背面采用
156cm156cm的N型Cz硅片，分别进行双面硼扩散(B|B)对称结构，双面SiOx/polySi(P|P)对称结构，正面硼扩散+背面SiOx/polySi(B|P)非对称结构。之后，将这三种样品同时进行

优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化，到正面氮化硅钝化，再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC设计。PERC概念的核心就在于为常规光伏电池增加全覆盖的背面钝化膜
，从而降低少数载流子浓度。背钝化材料在钝化膜材料的选择上。氧化铝(Al2O3)由于具备较高的电荷密度，可以对P型表面提供良好的钝化，目前被广泛应用于PERC电池量产的背面钝化材料。除氧化铝外

可能更侧重于解决电导、低温方面的问题。进行碳包覆，适度纳米化(注意，是适度，绝对不是越细越好的简单逻辑)，在颗粒表面处理形成离子导体都是最为典型的策略。 B、三元材料本身电导已经比较好，但是其反应
问题，其表面对于电解液较为敏感，锂的嵌入反应带有强的方向性，因此进行石墨表面处理，提高其结构稳定性，促进锂离子在基上的扩散是主要需要努力的方向。 B、硬碳和软碳类材料近年来也有不少的发展：硬碳材料嵌