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《巴黎协定》的要求，清洁能源的使用和开发应超过当前水平。因此，人们对低成本太阳能电池模块的开发寄予厚望。目前，晶体硅(Si)是代表性的太阳能电池材料，占各种类型太阳能电池板的90%以上。然而，随着
，太阳能电池研究取得了重大突破-在混合钙钛矿太阳能电池中实现了高转换效率。钙钛矿是具有简单立方对称性的晶体结构，杂化钙钛矿由有机阳离子和无机笼结构组成。相当引人注目的是，硅基太阳能电池需要半个世纪的时间才

科学家Czochralski发展生长单晶硅的提拉法工艺。 1921年德国物理学家爱因斯坦由于1904年提出的解释光电效应的理论获得诺贝尔(Nobel)物理奖。 1930年B.Lang研究氧化亚铜/铜太阳能电池，发表新
硫化镉光伏系统，用于教育电视供电。 1973年美国特拉华大学建成世界第一个光伏住宅。 1974年日本推出光伏发电的阳光计划;Tyco实验室生长第一块EFG晶体硅带，25mm宽，457mm长(EFG

背面场(Al-BSF)到钝化发射机和背电池(PERC)技术，因为后者能与用于标准技术的现有生产线兼容。不过，依靠氢化非晶硅(a-Si:H)实现优异的晶体硅(c-Si)表面钝化性将使得将硅薄膜生产线
系统(从TEL太阳能KAI-MT PECVD反应器))进行现代化改造，并使之成为一条新的SHJ产线。Hevel是在2017年4月份使用由其公司内部薄膜技术研发中心(TFTEHevel一个研发部门)开发

PID(Potential Induced Degradation)即电位诱发衰减。一些光伏电站实际经历表明，光伏发电系统的系统电压存在对晶体硅电池组件有持续的电位诱发衰减效用，产生原因主要为玻璃
图2 PID测试前后组件正面(A)背面(B)曲线 Source: Luo W, Hacke P, Terwilliger K, et al. Elucidating potential

一种通过光电效应或者光化学反应直接把光能转化成电能的装置。从结构上来看，太阳能电池一般是由很多层材料堆积起来的，其中起到光吸收作用的层叫做吸收层。太阳能电池也按照吸收层的材料特性来命名，比如晶体
硅太阳能电池的吸收层就是单晶硅或者多晶硅;薄膜太阳能电池的吸收层一般是厚度几个微米的薄膜材料;而钙钛矿太阳能电池的吸收层就是钙钛矿。 1883年，美国发明家Charles Fritts成功制造了人类第一

0引言近年来，能源危机与环境压力促进了太阳电池研究和产业的迅速发展。目前，晶体硅太阳电池是技术最成熟、应用最广泛的太阳电池，在光伏市场中的比例超过90%，并且在未来相当长的时间内都将占据主导地位
。其中，单晶硅的晶体结构完美，禁带宽度仅为1.12eV，自然界中的原材料丰富，特别是N型单晶硅具有杂质少、纯度高、少子寿命高、无晶界位错缺陷以及电阻率容易控制等优势，是实现高效率太阳电池的理想材料

引言近年来，能源危机与环境压力促进了太阳电池研究和产业的迅速发展。目前，晶体硅太阳电池是技术最成熟、应用最广泛的太阳电池，在光伏市场中的比例超过90%，并且在未来相当长的时间内都将占据主导地位
。其中，单晶硅的晶体结构完美，禁带宽度仅为1.12eV，自然界中的原材料丰富，特别是N型单晶硅具有杂质少、纯度高、少子寿命高、无晶界位错缺陷以及电阻率容易控制等优势，是实现高效率太阳电池的理想材料

的能量转换和利用器件时，这些激子态将成为关注点之一。图文导读图1. 不同浓度MAPbBr3分散液的光吸收特性 (a)归一化的光吸收光谱; (b)低能光吸收与浓度的关系
; (c)，(d) 0.002 M和0.2 M钙钛矿浓度的光吸收曲线及拟合; (e) 在增加钙钛矿浓度时，激子吸收的演化过程。为了清晰起见，连续带吸收项已被减去。图2. MAPbBr3薄膜温度相关的

废弃量将达到近60GW，如果这些组件处理不当也将给环境、社会带来负担，从而使原本绿色的初衷变得不再绿色。大规模应用生产光伏组件，已经大幅度增加一些稀有金属的应用。比如晶体硅电池的电极制备需要消耗银
。硅(a)、玻璃(b)、金属条(c)。第2步是将分离后的电池片进行湿法化学处理，分离铝背场、银浆电极、减反膜和PN结，得到纯硅。 4.经济效益回收废旧光伏组件的经济收益低，市场对光

光伏发电是绿色新能源中重要的组成部分，而光伏电池则是光伏发电的核心组件。目前广泛使用的光伏电池主要基于晶体硅，但是其存在成本高、生产过程污染大等缺点。随后出现的薄膜光伏电池(非晶硅、铜铟镓硒
有机光伏电池全球专利申请量趋势有机光伏电池虽然是一种新型电池，但其实它的历史与晶体硅光伏电池差不多，晶体硅电池诞生于1954年，而有机光伏电池诞生于1958年。但初期的有机光伏电池光电转化效率太低

效率晶体硅电池、新型薄膜电池技术、N型双面技术等技术研发进一步强化。诸多光伏企业正在以持续创新研发来迎接即将到来的新挑战。那么，光伏主流企业在技术研发投入上究竟有多大?这些新技术未来的市场规模如何
产品效率和性能，为行业提供了更低度电成本的全新产品选择。汉能单结电池片和组件，弯曲的光伏电池产品，光伏建筑一体化方案：发电墙、汉瓦、发电玻璃，薄膜发电产品，Solibro的CIGS薄膜

源包括：a、晶体表面的机械损伤和微裂纹;b、杂质或O-Si的原子集团，旋涡带;c、掺杂剂的局部聚集等。一般而言，热应力在硅片的边缘比较大，因此边缘的滑移位错比较明显，然后向中心蔓延，严重时可以出现星形
数据，由Fig.3-5b图可知电池片左下角黑色区域的电压高达440mV，腐蚀掉正面电极及氮化硅薄膜后扫描方阻(Fig.3-5c)后明显看出黑色区域的方阻比其他区域偏高，导致此区域与现有烧结工艺不匹配而

发射极，方块电阻为90～98 / □; 3) 刻蚀及去磷硅玻璃层(PSG); 4) 硅片背面沉积Al2O3 和SiNx 钝化膜：Al2O3 薄膜厚度20 nm，SiNx 薄膜厚度130 nm
; 5) 硅片正面沉积SiNx 减反射膜：SiNx 薄膜厚度78 nm，折射率2.08; 6) 硅片背面激光开窗：180 根线，线宽为40 m; 7) 印刷电极; 8) 高温烧结; 9) 测试分选