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产量为11617.84万片，多晶硅电池产量为956.13MW、单晶硅电池产量为27.47MW、晶体硅电池组件产量为1323.98MW。公司为国内少数拥有晶体/硅锭生长、硅片加工、电池制造、组件封装
EPS 0.71元、0.84元、0.97元，对应12.8倍、10.8倍、9.42倍P/E，1.31倍、1.19倍、1.08倍P/B。风险提示业务发展或低预期；行业估值中枢或现波动。森源电气重大事件快评

光致衰减原理分析组件初始光致衰减（LID）是指光伏组件在刚开始使用的几天其输出功率发生大幅下降，之后趋于稳定的现象。普遍认为的衰减机理为硼氧复合导致，即由p型（掺硼）晶体硅片制作而成的光伏组件经过光照，其
硅片中的硼、氧产生复合体，从而降低了其少子寿命。在光照或注入电流条件下，硅片中掺入的硼、氧越多，则生成复合体越多，少子寿命越低，组件功率衰减幅度就越大。1.2、组件初始光致衰减的实验分析本研究采用对比

市场份额将从2014年的5%左右提高到2025年的35%左右。而且，高效电池已经成为行业发展必然趋势，各种高效技术纷纷呈现。顺应时代发展趋势，中来股份选择走n型晶体硅高效电池技术路线。 *图一
中来双面电池技术 A. 核心工艺技术中来双面电池使用n型硅片，正面硼扩散形成p+层，背面离子注入磷扩撒形成n+层，双面沉积氮化硅减反膜，最后印刷银电极，核心工艺技术为：扩散工艺(源的选择

日至投标截止日期间至少具有同类型晶体硅片或电池组件500MW生产供货业绩; 3.8 投标人不能作为其他投标人的分包人同时参加投标;两个及两个以上企业的法定代表人为同一自然人的关联企业或有关联关系的
报名，包括a.企业法人营业执照副本(复印件);b. 法人授权委托书或单位介绍信 (原件);c. 被授权人身份证(复印件及原件);d.业绩合同(复印件)等，复印件加盖公章，经初审合格后领取招标文件。联系人: 张涛电话: 13261169391 邮箱:chinazbcg@163.com

每锭C15块挑选底部相同高度位置硅片进行形核对比如图1(b)与1(c)。可以看出两种技术都可以获得尺寸小而且均匀的晶粒分布。有籽晶高效多晶硅技术硅锭获得的小尺寸晶粒来源于底部碎小的硅料外延生长，而无
，因此较高的随机晶界对应的位错团簇密度相对较低，所以有籽晶高效多晶硅锭的硅片具有较低的位错密度与较高的晶体品质。这一检测分析结果与图3所示PL检测结果相吻合。有籽晶高效多晶硅锭具有较高比例的随机晶界归因于

，硅片的体少子寿命有很大改进。普通多晶硅电池的转换效率也有显著的提高，目前业内平均转换效率在18.4%左右。晶体硅电池的扩散层属于掺杂较重的区域，相比于电池的基底区域，少数载流子复合较为严重。降低
索比光伏网讯:1.晶体硅电池效率损失机制太阳能电池转换效率受到光吸收利用、载流子输运、载流子收集的限制。对于晶体硅电池而言，其转换效率的理论最高值是28%。影响晶体硅电池转换效率的原因主要

Surface Field, FSF）以及良好钝化作用带来的开路电压增益，使得这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高，而且看上去更美观，同时，全背电极的组件更易于装配。IBC电池是目前实现高效晶体硅电池的技术方向
厚度的N型CZ硅片衬底，最高效率已达25%。SunPower目前拥有年产能为100MW的第三代（Gen3）电池生产线，并且还有年产能350MW的生产线在建。2014年该线生产的电池平均效率已高达

本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失可以想办法改善
，但对于光学损失的差异，针对单晶没有更好的解决方法。随着光伏产业的快速发展，使晶体硅太阳电池及其组件成为研究的热点，以实现太阳电池组件效益的最大化。电池封装为组件不仅可以使电池的电压

OFwek太阳能光伏网讯：本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼
氧复合损失可以想办法改善，但对于光学损失的差异，针对单晶没有更好的解决方法。随着光伏产业的快速发展，使晶体硅太阳电池及其组件成为研究的热点，以实现太阳电池组件效益的最大化。电池封装为组件不仅可以使电池

索比光伏网讯:本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失
可以想办法改善，但对于光学损失的差异，针对单晶没有更好的解决方法。随着光伏产业的快速发展，使晶体硅太阳电池及其组件成为研究的热点，以实现太阳电池组件效益的最大化。电池封装为组件不仅可以使电池的电压、电流

EQE测试曲线。从图7可以看到不同厚度的PERC电池量子效率的差异主要集中在900～1100m波段。这是因为晶体硅对长波的吸收较弱，硅片越薄，长波的吸收损失越明显。电致发光（EL）又称为电场发光。对电池
结结构。5.结语晶体硅电池薄片化是光伏技术的发展趋势。本文采用正面SiNx掩膜的方法对硅片进行背面抛光，使电池开路电压有一定的提升。影响电池效率的主要因素是串联电阻和填充因子。本文通过不同厚度的

生明显的电性能衰减。1997年J.Schmidt等证实硼掺杂Cz晶体电池出现光致衰减是由于光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合中心，从而使少子寿命降低，引起电池转换效率下降。2006年
由于晶硅太阳电池成熟的工艺和技术、高的电池转换效率及高达25年以上的使用寿命，使其占据全球光伏市场约90%份额。理论上讲，不管是掺硼的P型硅片还是掺磷的N型硅片都可以用来制备太阳能电池。但由于太阳能电池

生产厂家也在不断地减小硅片的厚度，以降低原材料的价格.因此必须有减少前、背两个表面的光生载流子复合的结构和措施.2、高效晶体硅太阳能电池技术　　2.1、背接触电池IBC/MWT/EWT（1）IBC电池
虽然晶硅光伏已经占据了光伏市场的绝大部分份额，但其即使研发并没有停滞下来。作为研发最新方向的高效晶体硅太阳能电池技术，目前基本已经有商业化的产品问世。下面我们就来盘点一下这几款已经商业化的高效晶体

型（掺硼）晶体硅片制作而成的光伏组件经过光照，其硅片中的硼、氧产生复合体，从而降低了其少子寿命。在光照或注入电流条件下，硅片中掺入的硼、氧越多，则生成复合体越多，少子寿命越低，组件功率衰减幅度就越
衰幅度主要取决于电池光致衰减，电池光致衰减则由硅片的硼、氧含量等决定。要消除由于组件初始功率衰减导致的问题，可利用硅片分选机来控制硅片质量，确保硅片内部的硼、氧元素含量处于正常范围，从而保障电池片的