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、硅片、电池和太阳能组件；通过设计、制造和提供高效经济的地面晶体太阳能光伏组件，向世界各地的并网和离网状态下的民用、商用、工用和公共设施提供可靠、环保的清洁电能。现任东营光伏太阳能有限公司董事长是王安全
决策权。随后，世纪新能源网记者致电CNPV首席运营官B. Veerraju Chaudary先生，他向记者证实了此说法。 CNPV 成立于2006 年，是业界领先的多产品太阳能公司，主要生产硅锭

晶体科技集团总裁兼首席运营官佟兴雪认为：欧盟这次反倾销调查长期来看对企业是挑战，对上游硅片、硅料影响是很小的，但下游的影响，譬如中国生产的组件，如果反倾销调查成立，它的税率比较高，几乎在短期内，不能
1.73亿美元。大全新能源收盘0.82美元，总市值2864万美元，公司同样收到纽交所退市警告。另外，英利绿色能源、昱辉阳光、中电光伏、赛维LDK等股价都不足2美元。B》》库存猛增，报价落四成三季度仍陷行业

美元，是迄今为止世界贸易争端之最。面对已经到来的风暴，企业正咬紧牙关，希望度过危机。在采访中，江西赛维LDK晶体科技集团总裁兼首席运营官佟兴雪认为：欧盟这次反倾销调查长期来看对企业是挑战，对上游硅片
，总市值1.73亿美元。大全新能源收盘0.82美元，总市值2864万美元，公司同样收到纽交所退市警告。另外，英利绿色能源、昱辉阳光、中电光伏、赛维LDK等股价都不足2美元。B》》库存猛增，报价落四成

产量提高20%以上，能耗降低15%以上，线耗降低20%或更多，从而实现HCT B5性能的显著提高。　　离子注入提升电池效率、改善成品率应用材料公司的Solion离子注入机为晶体硅电池效率和低成本生产设立
，同时使得电池效率的绝对值提升0.2%。这些优势可以转换成显著的额外收益，在仅6个月内即可实现投资回报。细线二次丝网印刷作为技术升级被提供给全球使用Baccini丝网印刷生产线的现有晶体硅电池厂家。先进

产品征收象征性的反补贴关税和反倾销税；2012年9月6日，欧盟正式启动对中国光伏太阳能产品反倾销立案调查，范围包括晶体硅光伏组件、电池片和硅片；同时，印度也跟进，提出对中国光伏产品的限制。中国光伏行业一夜间
逆变器500VA~400KVA全功率段、1.5KW~500KW功率段光伏并网逆变器、SPB系列智能汇流箱、光伏离网控制器等系列产品均通过金太阳认证。其中，光伏并网逆变器SPI500K-B的最高转换效率可达98

受到冲击呢？　　程裂萍　赛维LDK晶体科技集团销售部副部长　　　程裂萍：因为我们说实话，我们硅片在欧洲，在欧洲跟美洲市场并不大，这个出口并不大，主要是组件这一块，因为组件我们有并购的（欧洲）赛维子公司，所以
=VodCycleData.xml&outsideChannelId=channelBugu&videoCenterId=7edd7c0583b349e483be0d0e554a97fb" 　　晚上好，欢迎收看经济半小时。9月6日，欧盟宣布对中国光伏产品发起

都没有怎么太在意，提出来，大家讨论一下：标题：通告将要启动对来自中国的晶体硅技术的太阳能组件以及电池片和硅片倾销调查。短评：仅仅只是说价格低而已，只能说是单反。网络上暴多的人把政府补贴也拿出来
说事，完全是拿美国双反那时候的资料在说。都什么时候了，还在唱八股？第2条：将要调查的商品是 400微米厚度以下的硅片和电池片。短评：这下国内的切片机厂商该笑了，犯不着切那么薄啊，切厚点，不就多用点硅吗？反正

宁波的晶元太阳能就是如此。据该公司负责人介绍，虽然现在形势很严峻，但是公司一直在满负荷生产，这得益于其一直努力改进生产工艺，提高产品效率的努力。据了解，公司还引进了新的生产设备用于生产高效多晶硅片
的表示。　　三、德国肖特太阳能将停产晶体硅光伏产品据OFweek太阳能光伏网了解，德国肖特太阳能Schott Solar AG将于今年10月关闭其位于德国的一家晶体硅光伏产品工厂。此后，该公司产品开发

索比光伏网讯:摘要高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向。背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注。概括了目前国际上研究较多的几种背接触硅太阳电池,对其
,从而使开路电压得以提高。在前表面的钝化层下又进行了浅磷扩散以形成n+前表面场,提高短波响应。背面电极与硅片之间通过SiO2钝化层中的接触孔实现了点接触,减少了金属电极与硅片的接触面积,进一步降低

扩散到硅中去。箱法扩散，又称半开管扩散（如图４．３ｂ），是封管扩散的改进，采用一个石英或硅制成的带盖子的箱子，扩散时把硅片和杂质源一起放入箱内，盖上盖子送入扩散炉管中，炉管内的惰性气体起保护作用。封管
索比光伏网讯:在太阳电池制备中，扩散是一道重要工艺，其主要目的就是形成Ｐ－Ｎ结。对硅进行扩散的典型做法是将硅片置于高温石英管中（通常为８００℃～１２００℃范围），并通入含有待扩散元素的混合气体。在

形成电极。2.要求：稳定良好的银-硅欧姆接触；高导电率较低成本；良好的焊接性、附着力、印刷性能以及适宜大规模生产的工艺性。与硅片连接牢固，对酸碱、水汽等的侵蚀有一定抵抗力。这些都对光伏" title
范围，较细的颗粒有利于转换效率提高。4.玻璃粉的作用：1.腐蚀晶体，通过腐蚀SiNx，形成导电通道。2.在浆料-发射极界面间作为传输媒介。5.粘合剂：粘合剂又称结合剂，是导电银浆中的成膜物质。导电银浆

内量子效率曲线图5 白色TPT的反射率曲线封装损失的分析常规晶体硅太阳电池组件的封装结构如图1所示，自上而下的顺序分别是钢化玻璃-密封胶-晶体硅太阳电池-密封胶-背板；封装之前的单焊、串焊工艺将电池片通过涂锡
电流；不适合的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。封装试验及讨论不同氮化硅膜厚电池的封装对比选族三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶

作者：王祺、倪志春、任方星、赵建华、王艾华，中电电气南京光伏有限公司研发中心摘要晶体硅太阳电池封装成组件后，其实际功率通常会小于理论功率，称之为功率损失或封装损失（powerloss）。本文对
了一些初步的结论，可为组件公司提高产品性能提供参考。另外我们只针对组件封装时的功率损失进行了研究，未涉及电池片光致衰减（LID）导致的组件输出功率下降等问题。　　封装损失的分析常规晶体硅太阳电池组件的

索比光伏网讯:作者：王祺、倪志春、任方星、赵建华、王艾华，中电电气南京光伏有限公司研发中心　　摘要:　　晶体硅太阳电池封装成组件后，其实际功率通常会小于理论功率，称之为功率损失或封装损失
。　　封装损失的分析　　常规晶体硅太阳电池组件的封装结构如图一所示，自上而下的顺序分别是钢化玻璃-密封胶-晶体硅太阳电池-密封胶-背板；封装之前的单焊、串焊工艺将电池片通过涂锡焊带连接；组件层压封装

）：PESC电池1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对电池的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集
因子和20．8％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高

电池1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对光伏电池的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集
％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高的主要因素。PERC和PERL

本周光伏产品价格小幅下滑，其中多晶硅价格下降0.08%至24.64美元/kg,156多晶硅片下降0.65%至1.074美元，125单晶硅片下降0.67%至0.886美元/kg；156多晶电池片下降
发布《太阳能发电科技发展十二五专项规划》，在太阳能发电规划中，我国将把实现太阳能大规模利用、使其发电成本可以与常规能源竞争作为十二五规划的总体目标。《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大