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。若以两者现阶段在实验室所能达到最佳的世界记录效率来对比，铜铟镓硒的21%早已超越多晶硅的20.4%，再一次证明铜铟镓硒拥有更好的光电转换特性，在技术上有潜力超越多晶硅电池。 b.成本
技术在量产尺寸下的工厂良品率已高达九成以上，具备量产条件，而且随着不断的研发投入，将以逐年提升1%~2%良品率的脚步前进，提供给投资者较强的成本竞争力。另外，Manz沿用在显示屏产业处理大尺寸玻璃的

，单晶硅片厂商无法大规模地批量生产同一规格，如A公司要的是一个硅片尺寸，B公司要另一个尺寸，在我们生产端就要用不同的生产装置。而如果A公司的效益不好，其可能采购硅片的数量不够，我们又会增加相应库存，并且这
批原来供给A公司的货也无法卖给B公司。　　现在，几家大的单晶硅企业有了统一标准之后，这个问题就会得到相应解决。　　他透露，目前大家共同推出了M1和M2两种单晶硅片的规格（205毫米和210

的直径（如200毫米到210毫米）和边距尺寸，但仍令客户出现选择性困难。规格不统一的话，单晶硅片厂商无法大规模地批量生产同一规格，如A公司要的是一个硅片尺寸，B公司要另一个尺寸，在我们生产端就要
用不同的生产装置。而如果A公司的效益不好，其可能采购硅片的数量不够，我们又会增加相应库存，并且这批原来供给A公司的货也无法卖给B公司。　　现在，几家大的单晶硅企业有了统一标准之后，这个问题就会得到相应解决

重量（边皮厚度差别不大）增加较少，所以硅锭成品区域（A、B、C区）重量增加，成品率(利用率/成晶率)相应提高，见图1。图1.不同铸锭炉的成品率随着市场复苏，过剩问题正在缓解，但是，还难有根本性改观
，铸锭过程中受坩埚中所含杂质的污染较少，平均硅片质量将提高，一般C区具有相对较高的转换效率，有助于提升整锭的平均效率，见下图4。图3. G5~G8硅锭A,B,C区的不同分布图4.G5~G8中 A.B

高硬度的碳化硅作为磨料，用钢线切割硬脆材料。其优点是能切割大尺寸硅锭，效益和效率高，加工表面损伤小，片厚一致性好，主要应用于高新科技产业的半导体、液晶面板和光伏硅片的切割。英利公司因进入太阳能行业
较早，硅片切割技术在行业内领先，采用瑞士生产的HCT-B5机床多线切割技术，该技术是目前世界上比较先进的加工技术，其原理是通过金属丝的高速往复运动，把磨料带入加工区域对工件进行研磨，将棒料或锭件一次

吧）、ST南江B的大股东南江集团，与宁波墨西科技设立合资公司，分别研发石墨烯油墨、功能性涂层产品等。消息一出，两家公司的股价均出现大涨。不过，墨西科技能否实现那么大的产能，尚待确定。　　中国宝安尽管
，这些有助于公司逐步实现打造石墨深加工基地的战略构想。　　中航三鑫中航工业航材院宣布，已突破制备大尺寸、高质量石墨烯薄膜的技术难题。随后，该消息在网络上广泛传播，受消息影响，在大盘承压大跌之下，一众石墨烯

子专用设备工业协会常务副秘书长金存忠今年，制备高转换效率纳米表面结构的黑硅材料使用的等离子体浸没离子注入设备、采用定向凝固生长技术的吨位级多晶硅铸锭炉和大尺寸开方机、带二次
和火力发电电价抗衡，还是环保需求性都已经没有理由来阻止这一大趋势了。分布式我更愿意称之为后B2B时代，即它的终端用户或参与者不仅仅是之前的那几家国企、央企的大型电力公司，而是普通的工商业客户。而真正

定向凝固生长技术的吨位级多晶硅铸锭炉和大尺寸开方机、带二次加料装置并采用下排气结构的高效低能耗全自动硅单晶炉、6～8英寸区熔硅单晶炉、高效可靠的硅片切割设备和融合了更先进工艺技术的新一代全自动化晶硅
的经济性已能和火力发电电价抗衡，还是环保需求性都已经没有理由来阻止这一大趋势了。分布式我更愿意称之为后B2B时代，即它的终端用户或参与者不仅仅是之前的那几家国企、央企的大型电力公司，而是普通的工商业

提高了光伏系统的效率；而且使系统安装更方便，大大节省了安装成本，产品在民用光伏屋顶市场成熟的欧美国家具有巨大的空间。另外中利腾晖还展出了黑色边框黑色背板的TP660P-B多晶组件，产品在外观上浑然一体
，具有高度的美观性，组件效率十分优良，相信在细分市场中有良好的市场表现。在本次展会中，中利腾晖光伏的展台清新简洁，整体由橘黄和白色组成，组件置于通道醒目位置，在中央安置了多幅大尺寸由中

国家专家组统一的项目验收，但验收成功尚存在不确定性。资料显示，公司于2007年4月研发出国内首台全自动单晶硅生长炉产品，当年实现批量销售。此外，公司还研发出了TDR80A-ZJS、TDR80B
-ZJS、TDR120A-ZJS、TDR100B-ZJS等型号的全自动单晶硅生长炉产品，不仅可以用于太阳能级单晶硅材料的制备，还可满足在均匀性和缺陷密度等方面要求更高的半导体行业客户需求，突破了国内高端晶体硅

因子和20．8％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高
达到了18.6％。　　多晶硅高效电池　　多晶硅太阳电池的出现主要是为了降低成本，其优点是能直接制备出适于规模化生产的大尺寸方型硅锭，设备比较简单，制造过程简单、省电、节约硅材料，对材质

％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高的主要因素。PERC和PERL
制备出适于规模化生产的大尺寸方型硅锭，设备比较简单，制造过程简单、省电、节约硅材料，对材质要求也较低。晶界及杂质影响可通过电池工艺改善；由于材质和晶界影响，电池效率较低。电池工艺主要采用吸杂、钝化、背

核心的研发团队，成功研发出准单晶硅铸锭技术，但门槛在于晶体生长速度与晶体质量的无法兼顾，且大尺寸硅锭的量产难度高，几经锤炼，于2011年3月，晶澳集团针对这一高效率低成本的准单晶硅电池下线并向市场进行
的填装方式如附图2a、2b所示，掺杂剂为硼、稼或磷，掺杂后目标晶体的电阻率为1.50～2.0.cm。装料后抽真空，控制功率进行加热;进入熔化阶段后，采用温度控制分段加温，到熔化最后一步将加热器控制温度

、HCPV-TDB3B156、HCPV-TDB125W。 8 9 10 11 12 1111118 下一页余下全文　　巨力
，太阳能电池组件生产线6条，年可产电子级多晶硅3000吨，单晶硅棒2500吨，多晶硅锭2000吨，单晶硅及多晶硅片3亿片，太阳能电池组件120兆瓦，8英寸单晶硅棒、大尺寸超薄型单晶硅片分别获得国家级

、小批量生产测试，通过对GT铸锭炉改造实现了准单晶的量产能力，并有效解决了等温曲线精确控制、0.5CM厚度超大尺寸无损伤籽晶制备技术和超低成本应用问题、错位等影响产品品质问题、电池制造工艺匹配问题，为
：A区、B区、C区大晶粒晶向：100±5° 准单晶在大大生产线投放后，效率数据如下： A区：16.61% 占硅锭中的比例16% B区：17.02% 占硅锭中的比例48% C

，并有效解决了等温曲线精确控制、0.5厘米厚度的超大尺寸无损伤籽晶制备技术以及低成本应用等一系列问题。凤凰光伏成为了全球第一家使用GT Solar DSS炉制造准单晶铸锭的光伏企业，并且首次实现了准
，大晶粒晶向1005。技术方面，凤凰光伏在理论上得出，准单晶A区比普通多晶高0.1%0.2%，准单晶B区比普通多晶高0.40.6%，准单晶C区效率比CZ单晶低0.20.4%；在准单晶正常投料的情况下

、上海天迪科技投资发展有限公司为本公司2009年非公开发行股票的对象，该次发行的股份自发行结束之日起12个月内不得转让。　　B、大成基金管理有限公司10,000,000股分别以其旗下的大成景阳领先
。　　美国及欧洲地区掌握上游外延及芯片核心技术，在大尺寸LCD背光源、白光照明及汽车应用等高端市场占有优势。　　公司是国内最早从事LED外延片及芯片制造的企业，引进了当今世界先进的LED外延生长

的电子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。　　目前国内主要采用CZ法　　CZ法
，是最普遍被采用的。酸性腐蚀液由硝酸（HNO3），氢氟酸（HF），及一些缓冲酸（CH3COCH，H3PO4）组成。　　　　　　　　（B）碱性腐蚀，碱性腐蚀液由KOH或NaOH加纯水组成。　　抛光