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索比光伏网讯:1、准单晶硅的意义光伏发电作为一种最具潜力的可再生能源利用方式，成为取代传统的石化能源，支持人类可持续发展的主要技术，在最近几年来获得了飞速的发展。目前晶体硅太阳能电池占据着光伏产业的
的填装方式如附图2a、2b所示，掺杂剂为硼、稼或磷，掺杂后目标晶体的电阻率为1.50～2.0.cm。装料后抽真空，控制功率进行加热;进入熔化阶段后，采用温度控制分段加温，到熔化最后一步将加热器控制温度

太阳能光伏市场的国家依次是捷克共和国（2010年太阳能光伏发电安装量为1,151,000kW）、日本（990,979kW）、美国（918,000kW）、法国（719,000kW）、中国（400,000
一些地区进行考察，寻找可能的合作伙伴。泰丰资本投资董事总经理丁冠杰表示，最新出台的上网电价将使他们重新评估在中国的投资机会。此前，泰丰资本在意大利进行投资的RTR现在已成为意大利最大的光伏发电

杠杆作用，减少政策变动对产业可能造成的伤害。光伏行业的所有从业人员(尤其是领导层)必须有这样清醒的认识：不管行业景气与否，产业中各个环节的产品价格必须不断下降，直到光伏发电的成本切切实实地低于火力发电
案例来简要说明如何通过交互式可视化的分析，事半功倍地提高生产能力，降低劣质成本。简单太阳能电池生产的过程基本上分为八个主要步骤，大致可以用下面这张流程图表示。简单太阳能电池的大致整体工艺流程首先，在收集

Si由于本身内部长程有序的晶格结构，其电池效率明显高于多晶Si电池，是Si基高效太阳电池的首选材料。然而，单晶Si内部杂质和晶体缺陷的存在会影响太阳电池的效率，比如：B-O复合体的存在会导致单晶电池的
传输过程对晶体缺陷的形成与生长起着决定性的作用。提高晶体的温度梯度，能提高晶体的生长速率，但过大的热应力极易产生位错。在图3(b)中甚至可以很清楚地看到旋涡缺陷，旋涡缺陷是点缺陷的*，产生于晶体生长时

PowerGate?业界领先逆变器系列产品为基础，是全球部署最广泛的大型解决方案，能提高全系统的能源收获和太阳能发电厂的产量，实现大型太阳能产业界最低的平准化能源成本(LCOE)。利用Equinox的先进
Rhoades说，“下一代公用事业规模太阳能发电需要能够连续提供最高级别的全系统性能、智能和可靠性的新一套解决方案。”“过去25年来，Satcon赢得了全球最先进太阳能装置之首选的领导者地位，其产品包括

电力需求激增，为加以因应，每年需装设发电量达数万百万瓦的发电设备，倘若其增设的发电设备中，有2%~3%采用太阳能电池，其规模就不容小觑。在光伏市场的推动下，光伏电池组件专用材料成为投资和发展热点
工业聚合物部都出售这些材料用于硅基光伏电池，己有约30年历史。2004年杜邦组建了杜邦光伏解决方案（Photovoltaic Solutions）公司来协调该公司太阳能发电产业有关活动。　　杜邦公司麾下

。 2006年，国务院颁布的《可再生能源法》第十七条明确规定，“国家鼓励单位和个人安装和使用太阳能热水系统、太阳能供热采暖和制冷系统、太阳能光伏发电系统等太阳能利用系统”能源行业最引人瞩目
销售人员在销售素质方面的高水平，获得优良的销售业绩。 B、分批对终端销售人员进行培训。培训督导部成立后并且经过全面培训内容测试，符合标准后，即展开了对已有经销商各销售人员的系统培训，并且

　　摘　要：独立太阳能发电系统需要进行最佳化设计。介绍了一种简明合理而又实用的最佳化设计方法。应用目前国外常用的倾斜面上太阳辐照量的计算公式，根据不同的蓄电池维持天数，应用能量平衡原理，得到相应的
　　1　前　言　　近年来太阳能（又称光伏）发电得到了迅速的发展，在我国各种光伏系统及应用产品不断涌现，出现了前所未有的可喜局面。然而稍加分析便可看出，很多产品都没有经过仔细的最佳化设计，有的系统和产品是

“让阳光照亮保定、温暖保定，让阳光融入生活、推动发展。”这句话在古城保定正在变成现实。去年以来，我市“太阳能之城”建设按照全市统一部署，有计划有步骤地稳步推进，从居民生活小区到公园广场、旅游
太阳能热水器导致的破坏楼顶等问题的发生概率。他们还投资对新一代A区、B区楼房进行改造，安装太阳能集中供热水系统，让更多住户用上太阳能热水。新一代小区只是我市众多推广应用太阳能热水小区（单位）的

几乎改变了一切，甚至人类的思维，20世纪末．我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快。生产过程大致可分为五个步骤：a、提纯过程 b、拉棒过程 c、切片过程 d
太阳能电池是一种光有效应并能将光能转换成电力的器件。能产生光伏效应的材料有许多种，如：单晶硅，多晶硅，非晶硅，砷化镓，硒铟铜等。它们的发电原理基本相同，现以晶体为例描述光发电过程。P型晶体硅经过掺杂

％的填充因子和20．8％（AM1．5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术
步骤：①金属杂质的释放／扩散决定了吸杂温度的下限；②分凝模型控制了吸杂的最佳温度。另有学者提出，在磷扩散时硅的自间隙电流的产生是吸杂机制的基本因素。常规铝吸杂工艺是在电池的背面蒸镀铝膜后经过烧结