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碳复合材料、埚帮等单晶炉配件更是一筒难求，单晶厂采购人员都选择驻厂发货。今年以来，光伏行业经历了大规模的扩产，涉及产业链的各个环节。但是，在不少人看来，未来更需要关注的是，光伏行业即将面临技术赛道
岁末的光伏行业有多火?在碳中和及十四五目标逐步明确的情况下，上下游几乎是忙作一团。一家光伏电池供应商告诉记者，前段时间，天合、阿斯特每天都坐在我们会议室里等，让我们安排发货。而另一名从业人士谈到，碳

SiCxNy减反膜比SiNx沉积减反膜的电池初始效率要低一些，但在效率的绝对光衰减方面，采用沉积SiCxNy要比沉积SiNx的电池低0.3%，衰减后两者效率相当。其原因是在SiCxNy薄膜中含有较多的碳
，其会通过高温烧结的过程扩散到硅材料中，与氧来形成碳氧相关的复合体，减少了硅中氧的浓度，进而减少了硼氧复合体的浓度。 3)掺镓。 Meemongkolkiat等研究发现掺镓能够完全抑制光衰减，掺镓

，硅单晶的生长则主要采用悬浮区熔法，生长过程中不使用坩埚，熔区悬浮于多晶硅棒和下方生长出的单晶之间，区熔法不使用坩埚，污染少，经区熔提纯后生长的硅单晶纯度较高，含氧量和含碳量低。高阻硅单晶一般用此法生长
缩颈生长放肩生长等径生长尾部生长（1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后

、谐波抑制等技术，实现热场的恒温控制，满足了稳定、连续、高效、自动控制6〞～12〞无位错低氧碳单晶的要求,产品具有高效、节能、环保、自动化等优点。　北京京运通科技股份有限公司是我国真空晶体生长
市场需求而开发的高性能多晶硅铸锭设备。该设备将多晶硅碎块料、头尾料、埚底料、各种单晶废片等材料装入炉内化料的石英坩埚内，经融化、重新定向结晶及退火等工艺,铸成生产太阳电池的前道原料多晶硅锭。止到2010

56.7 注：1、可利用制成低档次硅产品的掺埚底料、头尾料，应按边角科征税。　　　 2、用线切割机，损耗较小。 HDB／YD003－2000 单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准编制说明　　1
：　　主要检测参数为电阻率、碳浓度、N型少数载流子寿命；外形主要是块状的大小程度；结构方面要求无氧化夹层；表面需要经过酸腐蚀，结构需致密、平整，多晶硅的外观应无色斑、变色，无可见的污染物。对于特殊要求