与STC实验室条件下（1000W/m2,250C,AM1.5)的额定功率相比，PTC的值（1000W/m2,200C,AM1.5)更能说明组件在实际工作环境中的真实功率。晶科60片多晶的PTC值约在91~92%，而单晶一般在87-90%。
技术发展路线和时间节点
晶科将利用光学二次利用技术，电路优化增效技,组件新结构技术,2年内实现60P多晶组件300W量产，5年内实现60P多晶组件330W量产。
发展黑硅技术,通过特殊的表面陷光处理，电池绒面结构接近单晶，反射率和光学吸收率也优于单晶。较传统多晶光谱响应波段更宽(拓展至红外波段)，具有更高的光学利用率。晶科研发的黑硅电池量产效率已经达到20.13%。
II代多晶技术,效率堪比单晶，但CTM/LID等较单晶更低;可采用传统多晶原料及铸锭工艺制备，生产成本远比拉晶而成的单晶低廉。内部缺陷及杂质更少，量产转换效率较传统多晶提升约1.0%。
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