2.CTM封装损失
CTM(Cell-to-Module)：即从电池到组件的功率封装损失，电池片在封装成为组件的过程中，封装前后发电功率会变化，通常称为CTM。
CTM实测：单晶较多晶高2.0%以上，同样效率电池封装成组件，单晶功率低于多晶。
单晶封装损失：2-5%
多晶封装损失：-1~1%
图3显示，单晶CTM均在2.0%以上，甚至高达5%，而多晶则在0.5%以内，甚至封装后功率有提升。
这就是为什么单多晶最终组件效率的差异要小于电池片效率差异，在主流量产的功率输出上单多晶相差不多，以晶科和某品牌为例，其60片多晶的量产主流功率档265-275W，而某品牌单晶同样在270-275W。
CTM差异原因：从电池到组件，由于电池与组件发电面积与光学反射原理差异，单晶光学利用率的降低及有效发电面积的减少，均较多晶更高，导致单晶CTM高于多晶。
1）电池与组件反射率的巨大差异：单晶硅片反射率约10%，电池片反射率约2%；多晶硅片反射率约20%，电池片反射率约6%。就电池片而言反射率多晶不如单晶，这是常规多晶效率低于单晶的主要原因；但当电池封装成为组件以后，组件的反射基本发生在玻璃表面，玻璃反射率约4%，这样单晶电池片原本在反射率上的优势就被牺牲掉了。这也是为什么多晶的封装损失可能甚至出现负值，是因为多晶电池被封装以后，电池表面反射率大幅下降，电池实际接受到的光线获得了增益，所以效率可能不降反升。
2）外量子效率EQE：多晶，短波区域(380-560nm区域)，组件较电池更高，即该波段区域，组件对光子的利用率更高；而单晶，整个波段，组件较电池均有显著降低，即整个波段组件对光子的利用率均小于电池。
此外，多晶，长波区域(900-1200nm），组件较电池更低，即该波段区域，组件反射的光少于电池；而单晶，在该长波区域，组件与电池反射率相当，组件反射的光与电池相当。
从图4的单多晶电池到组件—外量子效率EQE及反射率Ref-变化图可以清楚得看到短波区域(380-560nm区域)和长波区域(900-1200nm)，多晶组件较多晶电池对光的利用更好，而单晶组件较单晶电池对光的利用差，如此导致单晶电池到组件的CTM更高，而多晶更低。所以就封装以后的光学损失方面，单晶显著高于多晶。
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