4)少子寿命≥2μs，
5)厚度为200μm±20和180μm±20两种，
6)TTV≤30μm,
7)弯曲度≤15μm，
8)大晶粒晶向<100>±5o
质量好的单位准单晶硅锭按照切片后同一晶向晶粒所占硅片面积的比例大
小可分为A、B、C三个质量等级区域：
A区：占硅锭比例为16%，同一晶向晶粒面积占硅片面积50%以上
B区：占硅锭比例为48%，同一晶向晶粒面积占硅片面积70%以上
C区：占硅锭比例为36%，同一晶向晶粒面积占硅片面积90%以上
6、准单晶电池片效率
准单晶硅锭中A、B、C区制成的电池片获得了不同的技术参数，具体如下：
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