在坩埚底部，放置时尽量使籽晶居中，即周边籽晶的最边沿面距坩埚内壁尺寸相近。籽晶上面再放置原生多晶，包括籽晶在内共装料430kg，籽晶的具体排列方式和籽晶、硅料及掺杂剂的填装方式如附图2a、2b所示，掺杂剂为硼、稼或磷，掺杂后目标晶体的电阻率为1.50～2.0Ω.cm。
装料后抽真空，控制功率进行加热;进入熔化阶段后，采用温度控制分段加温，到熔化最后一步将加热器控制温度调节至1540℃，保持至籽晶熔化阶段，待坩埚底部温度为1350℃，且底部升温速率为0.07℃/min上下时，结束熔化步骤，跳转至长晶阶段。进入长晶阶段，快速将温度由1540℃降至1440℃，并关闭隔热板(笼)保持1h，之后将隔热板(笼)快速打开5cm，底部散热实现定向凝固，待界面生长平稳后，再分段将温度降1415℃，隔热板(笼)打开速度先后按0.5cm/h、0.7cm/h的速度打开至20cm，达到稳定长晶。
将上述长成后的硅晶体，经退火、冷却得到硅锭，所得硅锭开方得25块小方锭，通过观察发现籽晶剩余约15～20mm未熔化，晶体顺延籽晶方向上继续生长。硅锭中大晶粒由底部贯穿整个硅锭至顶部，上表面大晶粒(>50mm)面积大于50%，单晶籽晶小方锭制备获得的准单晶硅片的形貌图如附图4a、4b所示。对比三种籽晶块对应的长晶效果：单晶籽晶处延续单晶生长，至10cm以上出现少量分裂晶粒，大晶粒延续至硅锭顶部，小锭切片380～470片间，95%为准单晶硅片，其中大晶粒硅片占35～60%;重复利用的底部剩余籽晶引晶及后续长晶效果与单晶籽晶没有太大差别;回收利用的顶部大晶粒籽晶同样延续大晶粒生长，小锭所得硅片70～90%为准单晶片，其中15～34%为大晶粒硅片。各小方锭的整体平均少子寿命均大于4us，按少子寿命2us进行检测划线，硅锭得率62.7%。所得准单晶硅片制作的电池片转换效率最高达17.9%，与同样生产线的常规单晶硅片相当。
5、准单晶硅片基本参数
以凤凰光伏准单晶硅片为例，其基本参数是：
1)导电类型：P型
2)尺寸为156×156mm
3)电阻为0.5—3Ω.cm，
>
>
