黑硅抗反射
进行了调控，同时可控地构建包括有趣的双尺度微/纳米结构在内的各种抗反射纹理，形成了一系列表面结构，包括DMN、纳米线、纳米孔和倒矩形锥体，可以大大降低表面反射率并产生黑硅硅片。 3.研究成果惊人 通过
组件功率。多主栅圆形焊带可减少遮光面积，将光有效反射到电池上，提高组件短路电流，焊带区域光学利用率由5%以下提高到40%以上。多主栅技术兼容强，可叠加多晶、单晶、PERC、黑硅、HJT、双面、单玻、双玻
透明背板的双面组件减重可达15%~30%，能将双面组件重量控制在30kg左右，确保安装的便捷和高效。
(2)透明背板组件抗冰雹性能更好，双玻组件抗风压、雪载荷性能更好。
(3)抗紫外性能良好：透明背板
主要集中在晶体硅电池的发射极及背电极钝化技术(PERC)、异质结技术(HIT)、叉指背接触技术(IBC)、电极绕通背接触技术(MWT)，以及硅片的黑硅、n 型技术。但是由于电池的产业化要求和工艺
的优点主要为：1) 双面发电可以带来更多的发电量;2) 双玻光伏组件可以带来更高的耐用性，较传统背板而言，其还具有零透水、抗UV老化和抗降解腐蚀的特征。在目前技术可行的情况下，第三批光伏发电
主要集中在晶体硅电池的发射极及背电极钝化技术(PERC)、异质结技术(HIT)、叉指背接触技术(IBC)、电极绕通背接触技术(MWT)，以及硅片的黑硅、n 型技术。但是由于电池的产业化要求和工艺
的优点主要为：1) 双面发电可以带来更多的发电量;2) 双玻光伏组件可以带来更高的耐用性，较传统背板而言，其还具有零透水、抗UV老化和抗降解腐蚀的特征。在目前技术可行的情况下，第三批光伏发电
，P5高效多晶电池采用了157mmx157mm P5多晶硅片，并整合了选择性发射极、氧化硅钝化、叠层减反射、氧化铝背钝化、先进金属化等多项电池技术。其中湿法黑硅陷光技术具有阿特斯自主知识产权，在大幅
降低电池片正面反射率的同时，进一步提高了电池片发电性能，目前成为多晶技术主流工艺。
围绕P5高效多晶技术，阿特斯开发并商业化量产了一系列叠加黑硅电池技术和铸锭单晶技术的高效P5组件产品。除了效率较P4
2017年对于光伏行业来说，又是收获满满的一年，转眼间已经到了2017年的末尾，光伏行业在2017年取得了空前的成就，超过50GW的光伏新增装机令人惊叹。在产品研发方面，也取得了辉煌的成绩，黑硅
保利协鑫发布第二代高效黑硅片
11月2日，在第九届中国(无锡)国际新能源大会开幕当天，保利协鑫重磅发布TS+系列第二代黑硅片，引发客商广泛关注。TS+黑硅片采用保利协鑫最新一代湿法黑硅技术，其效率更高
来看一下吧。
N4：先导全球首款量产超3200片/小时丝印叠瓦焊接机
叠瓦组件技术是光伏组件技术领域的热门高效技术，拥有高功率、高可靠性、高兼容性等多种优势，可兼容PERC、黑硅、HJT、N型等
多种电池技术，在热斑风险控制上还可以减少线损，抗裂能力强。
据索比光伏网小编了解，先导此次展带来的丝印叠瓦焊接机，在全球范围内首先实现了量产超3000片/小时，其产能在业界遥遥领先，可兼容各种不同
看起来特别黑，称之为黑硅(Black silicon)。 黑硅听起来是个好主意，不仅解决角度问题，还能省下抗反射涂层的成本，但是实际开发却没有当初预想到的好效果，主要原因是光子在硅晶太阳能电池结构中
多晶硅片制绒后的反射率，采用特殊制绒工艺在多晶硅片表面形成纳米结构，增加有效多晶硅片对入射光线的吸收。采用这种制绒工艺生产的多晶电池有更低的反射率，从肉眼来看比普通多晶电池更黑，因此这种工艺被称为黑硅
单晶硅片，结合在选择性发射极(SE)、氧化硅钝化层、背钝化等全方位的工艺优化，达到23.95%的高转化效率。晶科能源特有的黑硅陷光技术和多层减反ARC技术，使电池片正面反射率达到了0.5%以下，最大
晶科保持的23.45%。而不仅在单晶领域，晶科在今年10月也打破了P型多晶太阳能电池转换效率世界纪录(22.04%)。该电池采用了高质量工业级硼掺杂多晶硅片，将陷光、钝化技术及抗光衰等先进技术统一集成在
