一个英国研究人员团队正在研究用于太空阵列的轻质碲化镉 (CdTe) 太阳能器件。其目标是开发效率为 20%
的超薄器件,为卫星和天基制造应用提供轻便、紧凑、低成本的太阳能。MOCVD 沉积的高度
,”他说。该集团的CdTe太阳能设计采用超薄、灵活的保护层,可用作基材和辐射防护。“基于CdTe 的光伏层直接沉积在盖板玻璃上,”Lamb
说,并指出这降低了传统盖板玻璃层压的成本和重量。这种特种
钙钛矿膜使用蒸气/溶液混合两步法沉积,其中PbI 2和CsBr以10:1的速率共蒸发至350 nm的厚度。将FAI/FABr(MABr)的混合物以61/20(15)mg/mL的浓度溶解在乙醇中+5 mg
+ y 1),目标钙钛矿的钙钛矿为CsxFA 1-xPb(I,Br)3(0x 1)。3. 蒸镀20 nm C60,ALD 10nm SnO2; 4. 在25 ℃下通过直流(DC)溅射沉积120 nm的
说明HTL优化与埋底钝化锚定策略;m呈现沉积在PEDOT:PSS和2F衬底上NBG薄膜的KPFM图像。缩写说明:EDA-乙二铵,HAADF-高角环形暗场成像,FF-填充因子,QFLS-准费米能级分裂
备的ITO纳米晶(NC-ITO)层能减少对底层子电池的损伤,并展现出550小时T95稳定性的优异表现(图2i)。另一种常用结构SnO₂/溅射TCO/PEDOT则通过溅射ITO或氧化铟锌等透明导电氧化物
碘MAPbI₃、甲脒铅碘FAPbI₃),负责吸收阳光,产生电子-空穴对光活性层的制备工艺1.
溶液法工艺一步旋涂法:快速简便但受操作者技术影响大两步旋涂法:先沉积PbI₂层,再与有机盐反应,重现性
有机铵盐,需精确控制沉积速率顺序蒸发法:分步沉积前驱体,简化速率控制但需管理反应混合沉积法:结合溶液与气相沉积优势,可引入添加剂光活性层相稳定性策略纯FAPbI₃具有接近理想的窄带隙(~1.48
?尽管激子裂变在材料内效率很高,但如何将裂变产生的两个三重态激子的能量有效地转移到相邻的硅太阳能电池并产生光电流,一直是个巨大挑战。 直接将四并苯沉积在硅上会显著降低电池效率 尝试使用氟化
双层界面结构,成功解决了能量传递难题:关键中间层
- 酞菁锌(ZnPc):在四并苯和硅之间插入一层极薄(约1.5 nm)的ZnPc分子层:作用一(能量梯子):
ZnPc的最高占据分子轨道
氧化铝(AlOx)钝化层,防止转移的电荷载流子在硅表面立即重新组合,以及作为电子供体材料的锌酞菁(ZnPc)层。“为了最大限度地减少背面的复合,添加了一个结深为1
μm的背表面场(BSF)层和一个
局部背接触,”科学家们说。“微网格电极用作前电极,以有效地收集载流子。”研究人员对电池性能进行了一系列测量,发现在器件上沉积ZnPc和Tc会改变短路电流密度,开路电压和填充因子的降低可以忽略不计,从而
量产设备完整系列。机台产品兼容各种尺寸玻璃和硅片,原子层沉积氧化锡、氧化铝、氧化锌铝工艺成熟,镀膜速率高,对钙钛矿层无损伤,多台设备已成功获国内钙钛矿电池头部企业使用和验证。
和工艺上的一系列挑战,为降低成本、提高性能的TCO材料的应用提供了可能性。此外,在对氧化锌和氧化锡等非铟TCO新材料探索中,通过缺陷工程,团队成功抑制了Sn2+与Vo关联的吸收,显著提升了材料的光学和
材料的重新整合,设备企业有必要进行整体改进,尤其是对于制备微晶硅的难点,包括氢稀释率、沉积速率、VHF电源等方面的挑战。异质结电池在硅片成本较低、头尾料利用等方面具有优势,华晟有望成为产业化中的开拓者
钙钛矿电池设备-空间域ALD覆盖从实验室研发到GW级量产的完整系列。产品兼容各种尺寸玻璃和硅片,原子层沉积氧化锡、氧化铝、氧化锌铝工艺成熟,镀膜速率高,对钙钛矿层无损伤,多台设备已成功获国内钙钛矿电池头部企业使用和验证。
TCO 玻璃。ZnO
玻璃:氧化锌基薄膜结构为六方纤锌矿型,材料易得、制造成本低、无毒且 易于掺杂、在等离子体中稳定性好,但大面积镀膜存在难度。TCO 制备的方法包括化学气相沉积(CVD)、溅射
2013-2016
年。BSF 电池是在晶硅光伏电池 PN 结制造完成后,通过在硅片的背光面沉积一层铝膜,制备
P+层,从而形成铝背场。铝背场有减小表面复合率和增加长波吸收等优点,但铝背
场