湿法黑硅技术
问题，既能提升电池效率又能降低电池成本，对多晶未来的发展前景至关重要。目前投入运营的黑硅技术包括制绒添加剂技术、表面预处理技术、湿法黑硅技术和干法黑硅技术，其中湿法黑硅技术性价比相对较高。 17、截至
，始终在引领全球光伏行业的技术革新和进步，始终在追踪新技术，始终走在新技术研发与量产导入的最前沿，包括大尺寸硅片技术、PERC电池技术、多主栅+半片电池技术、双面电池和双玻组件技术、湿法黑硅技术等
，阿特斯都是行业内最早研发并导入量产，有些技术如湿法黑硅也成为了整个光伏行业的标准工艺，可以说过去阿特斯为光伏行业的技术进步和产业发展做出了突出贡献。
为了迎接N型新纪元的到来，阿特斯早就开始布局不同的
了具有自主知识产权的核心技术体系，包括大尺寸硅片技术、高效单晶PERC技术、HJT电池技术、多主栅+半片电池技术、双面电池及双玻组件技术、湿法黑硅技术、多晶 P5 技术、叠瓦组件技术、轻质组件
其92.7%。
截至2017年6月末，保利协鑫金刚线切割硅片比例已超过30%，大大降低了硅片成本。而且，保利协鑫完成了配套金刚线多晶硅片的湿法制绒黑硅技术的设备调试，通过工艺开发及试验线的成功推进
的金刚线切多晶+黑硅+PERC的电池转换效率已经达到20.5%，未来有望提升至21.5%。而在成本方面，经测算，与砂线切+普通电池工艺的单位成本相比，金刚线切多晶+湿法黑硅+PERC的电池制造成本仅为
过高问题，还能附带一定电池效率的提升(转换效率能提高0.4-0.6个百分点)。 目前，比较成熟的黑硅技术技术路线主要有干法(RIE)和湿法(MCCE)两种。干法黑硅技术相比而言效果更好，但由于需要
，P5高效多晶电池采用了157mmx157mm P5多晶硅片，并整合了选择性发射极、氧化硅钝化、叠层减反射、氧化铝背钝化、先进金属化等多项电池技术。其中湿法黑硅陷光技术具有阿特斯自主知识产权，在大幅
技术大幅度提升之外，P5的组件每瓦成本也有了大幅度的降低，这使得P5的LCOE相对P4多晶和单晶PERC更具竞争力。同时，P5组件具有抗LID、抗LeTiD的优势，其应用的MCCE黑硅技术对硅片表面
技术的铸锭单晶硅片氧含量约为直拉单晶硅片的40%，光致衰减(LID,LeTID)与常规多晶相当(约0.8%)，比直拉单晶产品低0.5%以上，长期发电量更高。 二是更美外观。铸锭单晶电池采用湿法黑硅技术
集团有限公司技术集成部 高级总监王栩生 湿法黑硅技术助力多晶成为强有力的市场竞争者，阿特斯领衔20个电池生产厂家在制程端全面导入湿法黑硅技术，目前中国有194条湿法黑硅量产线，该技术已成为
，但需要新增成本较高的设备和工序。受限于设备的高资本支出,干法黑硅目前主要在部分一线电池厂家实现量产，如晶澳、品科、协鑫集成、中节能等，仍有继续发展的市场空间。湿法黑硅技术新增成本支出相对较小，可实现
技术
黑硅技术是指，针对常规制绒C艺表面反射率高并有明显线痕的缺陷增加了一道表面制绒工艺，降低了表面反射率，从而改善硅片光吸收能力和电池效率。干法黑硅技术工艺稳定成熟，绒面结构均匀， 效率提升最高
新增成本较高的设备和工序。受限于设备的高资本支出,干法黑硅目前主要在部分一线电池厂家实现量产，如晶澳、品科、协鑫集成、中节能等，仍有继续发展的市场空间。湿法黑硅技术新增成本支出相对较小，可实现0.3
黑硅技术是指，针对常规制绒C艺表面反射率高并有明显线痕的缺陷增加了一道表面制绒工艺，降低了表面反射率，从而改善硅片光吸收能力和电池效率。干法黑硅技术工艺稳定成熟，绒面结构均匀， 效率提升最高，但需要
