氢氯化反应炉

西门子法：即在西门子法的基础上增加了尾气回收和四氯化硅氢化工艺，实现了生产过程的闭路循环，既可以避免剧毒副产品直接排放污染环境，又实现了原料的循环利用、大大降低了生产成本(针对单次转化率低)。 硅烷法
流化床(FBR)高温(500℃以上，不算很高)高压(20bar以上)下氢化生成TCS，TCS通过一系列歧化反应后制得硅烷气，将硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床(FBR)反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状

硅烷流化床法技术取得了阶段性的成果，为公司的科技战略、成本战略及产品战略的实施奠定了坚实的基础。 硅烷(SiH4)是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等

。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在
%，但是产物中存在大量微米尺度内的粉尘，且粒状多晶硅表面积大，易被污染，产品含氢量高，须进行脱氢处理。 　　流化床法 以四氯化硅、氢气、氯化氢和产业硅为原料在流化床内沸腾床高温高压下天生

流化床法以四氯化硅、氢气、氯化氢和产业硅为原料在流化床内(沸腾床)高温高压下天生三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应天生二氯二氢硅，继而天生硅烷气。制得的硅烷气通进加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行

，与其他类型的生产工艺处于长期的竞争状态，很难相互取代。尤其对于中国的企业，由于技术来源的局限性，选择改良西门子法仍然是最现实的作法。 改良西门子工艺法生产多晶硅所用设备主要有：氯化氢合成炉，三
氯氢硅沸腾床加压合成炉，三氯氢硅水解凝胶处理系统，三氯氢硅粗馏、精馏塔提纯系统，硅芯炉，节电还原炉，磷检炉，硅棒切断机，腐蚀、清洗、干燥、包装系统装置，还原尾气干法回收装置；其他包括分析、检测仪

分解为主，在1050～1200℃之间以氢还原为主。但这只是一个大致的趋势，其实在900～1050℃范围内也会有氢还原反应发生。三氯氢硅反应温度较四氯化硅的略低，因此可以相应减少还原炉设备杂质挥发所引起的

硅SiCl4）的主要问题，升级版的改良西门子法被有针对性地推出。改良西门子法即在西门子法的基础上增加了尾气回收和四氯化硅氢化工艺，实现了生产过程的闭路循环，既可以避免剧毒副产品直接排放污染环境，又实现了
冶金硅（纯度要求在99.5%以上）与氯化氢（HCl）合成产生便于提纯的三氯氢硅气体（SiHCl3，下文简称TCS），然后将TCS精馏提纯，最后通过还原反应和化学气相沉积（CVD）将高纯度的TCS转化

硅SiCl4)的主要问题，升级版的改良西门子法被有针对性地推出。改良西门子法即在西门子法的基础上增加了尾气回收和四氯化硅氢化工艺，实现了生产过程的闭路循环，既可以避免剧毒副产品直接排放污染环境，又实现了
(纯度要求在99.5%以上)与氯化氢(HCl)合成产生便于提纯的三氯氢硅气体(SiHCl3，下文简称TCS)，然后将TCS精馏提纯，最后通过还原反应和化学气相沉积(CVD)将高纯度的TCS转化为高纯度

to Solar Grade二、主要硅提纯工艺分别介绍1 改良西门子法闭环式三氯氢硅氢还原法改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢(或外购氯化氢)，氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅

杜邦法2 贝尔法3 西门子法4 U.C.C法 硅烷法5 其他西门子法：氯化SI+HCL---SIHCL3+SICL4还原SIHCL3+H2---SI+HCL氢
化SICL4+H2---SIHCL3+HCL20国内外多晶硅生产的主要工艺技术1、改良西门子法闭环式三氯氢硅氢还原法改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢，氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢