p型硅片

(a,b)为Bi³⁺–Eu³⁺共掺杂YVO₄材料在可见光(a)与紫外光(b)照射下的发光现象，展示了一个紫外光子“切割”成两个可见光子;(c)示意了将透射型量子裁剪层沉积于晶硅太阳电池正面，以实现紫外
还需解决转换材料的稳定性、硅片贴合和封装技术等细节。总体而言，随着背接触晶硅工艺不断成熟和替代材料研究突破，光子倍增技术在未来5–10年内有望实现产业化示范，为晶硅光伏效率突破30%提供关键助力。成功

了从P型到N型的最快技术迭代，预测2025年TOPCon市场占比将攀升至81.4%，预计到2030年TOPCon市场占比为60%，充分展现了TOPCon技术具有长生命周期属性。TOPCon 5.0实现

，成功打造出精质硅片及Bycium+ 5.0电池，由此将TOPCon组件转换效率提升至25.5%，功率提升至700W+。目前该成绩已得到TÜV实测，再次刷新了n型TOPCon组件转换效率纪录。晶弦
中，欧阳子博士指出，正面低掺杂硼扩技术、背面局部poly技术、先进印刷技术皆可以进一步提升TOPCon产品的发电效能。其中，低掺杂硼扩技术降低了正面接触对p+掺杂浓度的依赖，可使金属复合得到有效控制

2382mm×1134mm的黄金尺寸实现功率700W+，功率密度超过259W/㎡，组件效率高达25.9%。爱旭第三代ABC满屏组件此次参展，爱旭展出了54、72、78版型满屏组件，满屏技术得以实现多元
场景覆盖，使更广泛的客户享受到爱旭ABC满屏组件“黑科技”带来的独特价值。其中，78版型满屏组件功率可达800W至810W，转换效率高达25%。█ 叠层组件之最在本次SNEC展会上，天合光能展出了刚刚

使用的p型非晶硅(p-a-Si:H)存在两大缺陷：导电性差：电阻高，电流传输“堵车”;活化能高：载流子跃迁困难，能量损失大。这导致电池的接触电阻率(ρc)居高不下，填充因子(FF)和效率难以突破。二

持平;P型多晶硅成交均价为3.13万元/吨，环比下降3.10%。硅业分会指出，造成本周多晶硅市场价格出现小幅下跌的主要原因依旧为库存存量过大及下游产品价格快速下跌两方面。从行业硅料库存角度看，目前月度
情况还需参照企业实际公告情况。硅片价格下跌走势也并未见好转，数据显示，本周，N型G10L单晶硅片成交均价在0.95元/片，周环比跌幅5.94%;N型G12R单晶硅片成交均价在1.10元/片，周环比跌幅

终端需求不振情况下，对高价硅片抵制心态浓厚，市场博弈下，硅片价格延续跌势。另外，由于P 型硅片属于定制产品，本周暂无大规模成交。据统计，本周行业整体开工率小幅降低至在55%左右，两家一线企业开工率在