p型硅片

：太阳光照在半导体P-N结上，形成新的空穴-电子对，在P-N结电场的作用下，光生空穴由N区流向P区，光生电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。从发现光电效应到可以大规模地制造商业用光伏电池，人类

面积大小设计最佳化的太阳能发电系统，并方便住宅型用户安装及维修；由于日本四面环海， BenQ 太阳能也推出通过 IEC 6170 1 认证的抗 盐化腐蚀 EcoDuo PM240P00 太阳能组件，即使位处
获得 JET 认证外，并且为 符合日本当地特殊的太阳能产品需求，已陆续针对住宅型用户推出小尺寸高效率太阳能组件 PM200M00 ，并针对厂办屋顶及大型电厂项目推出优美纯黑外型的高效率太阳能组件

表面的反射率。目前获得的最佳平均反射率仅为2.8%，这一数值非常接近生产线上的氮化硅覆盖的绒面结构(STDSiNx)，其平均反射率为~2.9%。与此同时，采用Al2O3作为钝化层，对p型晶体硅片
(P-CZ-Si)进行钝化处理，并经过一定温度的钝化激活，硅片的最佳有效少数载流子寿命由钝化前的6s提升到~3ms，有效表面复合速率仅为6cm/s。对n型晶体硅片(P-CZ-Si)进行钝化处理，并经过一定

Energy）发表了两项技术突破，其中一项是名为CELCO的电池技术，通过结合背面钝化和局部背电极技术，采用6寸（156x156mm）p型Cz单晶硅片生产出CELCO电池的效率可以达到20.2%，目前该

p型晶体硅片(P-CZ-Si)进行钝化处理，并经过一定温度的钝化激活，硅片的最佳有效少数载流子寿命由钝化前的6s提升到~3 ms，有效表面复合速率仅为6cm/s。对n型晶体硅片(P-CZ-Si)进行

质量大大提高。3.硅片中杂质离子会影响P-N结的性能，引起P-N结的击穿电压降低和表面漏电，影响P-N结的性能。4.在硅片外延工艺中，杂质的存在会影响硅片的电阻率不稳定。清洗的原理要了解清洗的原理，首先

取得更高转换效率的现有技术进行部分调整。叠印、选择性发射极、发射极穿孔卷绕之类的技术属于这一列。单晶硅、多晶硅或主流P型与N型光伏产品可以通过这类工艺提高转换效率。第二种方案涉及到有关单晶硅N型

列。单晶硅、多晶硅或主流P型与N型光伏产品可以通过这类工艺提高转换效率。 　　 第二种方案涉及到有关单晶硅N型太阳能电池的技术。比如，美国SunPower公司发表量产制程的第三代交指式背接触太阳电池

接受技术升级后的设备。马克平说。 应用材料在西安的全球开发中心有一条从硅片到组件的完整生产线用以试验和技术展示，其中开方、切片及丝网印刷设备是应用材料自己生产的设备，其他设备应用材料也购买
希望用简单的工艺来生产高效电池。熊景峰说。 据胡志岩介绍，英利大规模生产基本线产出的Panda电池的效率为19%。不同于传统的多晶硅电池，Panda电池采用N型基材，它对生产工艺要求较高

备价格虽然增加了，但带来的产出增幅更大，光伏制造商愿意接受技术升级后的设备。马克平说。应用材料在西安的全球开发中心有一条从硅片到组件的完整生产线用以试验和技术展示，其中开方、切片及丝网印刷设备是应用材料
意义，所以我们是希望用简单的工艺来生产高效电池。熊景峰说。据胡志岩介绍，英利大规模生产基本线产出的Panda电池的效率为19%。不同于传统的多晶硅电池，Panda电池采用N型基材，它对生产工艺要求较高