p型硅片

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丝网印刷优化的n型太阳能电池效率达到20%来源:SEMI 发布时间:2012-09-18 23:59:59

索比光伏网讯:目前,全世界生产的太阳能电池组件85%以上是基于晶硅,其中大多数是基于p硅片。在p硅片上加磷扩散发射极和铝背面场得到了常见的多晶或单晶太阳能电池,为绝大多数(95%)基于硅片的PV

光伏观察:不同的“疯狂” 不同的未来?来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-09-11 01:29:59

   提到光伏界的疯狂,业内便会联想到赛维LDK,因为LDK就意为超越光速。当年,这家号称全球最大的太阳能多晶硅片生产商仅用了两年时间就实现从无到有、继而赴美上市的奇迹,还创下中国企业
创始人彭小峰也以400亿元身家超越尚德的施正荣,成为中国能源业首富。此后3年,赛维更是一跃成为世界上产能最大的太阳能硅片生产商,并不断向光伏产业上下游拓展。上至上游的硅料硅片,下至下游的系统安装,以及

光伏企业动态每日速览(第五十三期)来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-09-06 09:31:59

了证明。M-155P是加热熔化后进行粘合的热熔胶型丁基橡胶类合成橡胶密封胶,据称丁基橡胶类密封胶获得110℃认证尚属首次。光伏发电模块密封胶用于粘合模块基板及其外侧安装的铝框架,可防止湿气进入基板而导致的
太阳能光伏网讯 日本横滨橡胶公司生产的光伏发电模块密封胶M-155P日前在耐热耐久性方面获得了美国安全标准UL认证,RTI值为110℃。结合此前已经获得的阻燃性认证,该产品具备高度的安全性及可靠性得到

光伏企业动态每日速览(第五十二期)来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-09-05 09:14:59

、赛秀电池片及同系列组件受到市场热捧。得益于晶澳有效提升了组件端的制造技术,此次晶澳太阳能又成为业内首家基于P电池技术大批量生产260/265W组件的厂商,使得封装损失有了明显的下降。与此同时其今年6
降级,并削减至A,由于这家硅片制造商运营亏损且前景黯淡,因此这是自6月以来该公司第二次下调LDK的信用评级。上海新世纪资信评估投资服务有限公司日前下调了江西赛维LDK太阳能高科技公司的信用评级,并维持

【光伏技术】8.3 国产高效晶体硅电池-英利熊猫Panda来源: 发布时间:2012-09-03 13:31:25

N型双面电池技术已经成功得通过设备制造商Tempress(Ametech Systems子公司)植入英利的熊猫电池。与传统的硼或者其他3价元素扩散的P硅片不同,熊猫电池的基础是磷掺杂的N硅片。后者

【光伏技术】8.2 国产高效晶体硅电池-中电SE电池来源: 发布时间:2012-09-03 13:23:36

索比光伏网讯:SE高效电池(选择极发射SelectiveEmitter)是一种在现有加工制造工艺设备和P硅片原料的基础上的单晶硅电池。其转化效率平均达到17.5%,性能更稳定,受主要原材料硅片

“N型四少”将强力威胁保利协鑫、赛维单晶硅片市场来源: 发布时间:2012-09-03 10:47:33

,多数投入N型太阳能硅片厂都是本身多晶硅片产能负担不大,甚至是新投入业者,以N型四少来看,主力产品都是以成熟P单晶为主,并非是多晶硅片代表厂,因为多晶厂拥有相当庞大的设备产能,要转换跑道至N型单晶,短期投资效益不佳,近年来类单晶虽被积极推广,然目前市场接受度有限。

【光伏技术】国产高效晶体硅电池-中电SE电池来源: 发布时间:2012-08-31 10:13:14

索比光伏网讯:SE高效电池(选择极发射SelectiveEmitter)是一种在现有加工制造工艺设备和P硅片原料的基础上的单晶硅电池。其转化效率平均达到17.5%,性能更稳定,受主要原材料硅片

国产高效晶体硅电池-尚德冥王星来源: 发布时间:2012-08-30 11:09:59

Pluto电池是采用PERL结构的、基于P硅的高效晶硅电池。属于UNSW的PERL的衍生技术。单晶硅电池18.8%及多晶硅电池17.2%的转化效率,与目前传统量产化电池拉开一定差距。据称未来2年
的是1:4,而Pluto为1:2。较窄的正面电极可以减少阳光的遮挡并减少与硅片的接触面积。减少遮挡这一点很容易理解;而减少接触主要是因为任何与硅的直接接触会导致较高的表面复合速率,使少子寿命减少

【光伏技术】8.1 国产高效晶体硅电池-尚德冥王星(Pluto)来源: 发布时间:2012-08-30 10:09:57

索比光伏网讯:Pluto电池是采用PERL结构的、基于P硅的高效晶硅电池。属于UNSW的PERL的衍生技术。单晶硅电池18.8%及多晶硅电池17.2%的转化效率,与目前传统量产化电池拉开一定差距
线的高宽比典型的是1:4,而Pluto为1:2。较窄的正面电极可以减少阳光的遮挡并减少与硅片的接触面积。减少遮挡这一点很容易理解;而减少接触主要是因为任何与硅的直接接触会导致较高的表面复合速率,使少子