产能扩张将促使价格明显下降,但其预计未来美国、日本、欧洲、澳大利亚等地区的屋顶分布式市场将持续增长,对高效组件的需求会稳定提升。PERC潮流如果用普通的P型单晶,电池效率能做到19.8%的效率,如果不用
经有企业进行了量产并推向市场。作为高效电池领先者,SunPower是IBC技术的代表,但其N型单晶IBC电池由于价格较高并没有大范围推开;HIT的代表企业是收购了三洋的松下,其市场售价约1美元/瓦
硅片上产生了机械应力或热应力。 近几年,晶硅组件厂家为了降低成本,晶硅电池片一直向越来越薄的方向发展,从而降低了电池片防止机械破坏的能力。 2011年,德国ISFH公布了他们的研究结果:根据电池片
隐裂的形状,可分为5类:树状裂纹、综合型裂纹、斜裂纹、平行于主栅线、垂直于栅线和贯穿整个电池片的裂纹。 图1:晶硅电池隐裂形状 2、隐裂对组件性能的影响 不同的隐裂,对电池片功能造成的影响是不一样
。 另一方面,单晶自身结构的完美性和可靠性决定了单晶组件在转换效率上拥有更加明显的优势。目前在主流P型晶硅技术路线中,多晶电池转化效率为18%-18.4%,单晶电池已经达到19.8%-19.9%。应用
晶体结构的自身特性,晶硅电池片十分容易发生破裂。晶体硅组件生产的工艺流程长,许多环节都可能造成电池片隐裂(据西安交大杨宏老师的资料,仅电池生产阶段就有约200种原因)。隐裂产生的本质原因,可归纳为在硅片上
,可分为5类:树状裂纹、综合型裂纹、斜裂纹、平行于主栅线、垂直于栅线和贯穿整个电池片的裂纹。图1:晶硅电池隐裂形状2、隐裂对组件性能的影响不同的隐裂,对电池片功能造成的影响是不一样的。先来看一张电池片的
路线图方面可能更具影响力。 换个角度,最近几年硅片质量提高占多晶硅电池0.5至0.9%年度平均电池效率提高的50%左右。 仍无需改变p型多晶硅生产 当我们着眼于2016年
PREC提升。尽管保利协鑫等公司的硅片供应,肯定对p型多晶硅(标准或PERC结构)市场份额产生重大影响,但是也有可能其他更相关因素阻止向单晶硅(n型或p型基板结构)直接转变。要问的第一个问题是:为什么要
团队的研发方向是将硅片中的含氧量降下来,普通P型单晶比多晶的初始衰减要高,如果降低含氧量,可以把衰减降下来。要提升效率则要控制碳含量,这个参数影响硅片整体的平均效率。硅片的转换效率还体现在工艺上。邓良
,最近几年硅片质量提高占多晶硅电池0.5至0.9%年度平均电池效率提高的50%左右。仍无需改变p型多晶硅生产当我们着眼于2016年SMSL内部电池技术时,画面与今年看到的类似,唯一真正的变化是一组选定的
单晶硅片供应商,邓良平团队的研发方向是将硅片中的含氧量降下来,普通P型单晶比多晶的初始衰减要高,如果降低含氧量,可以把衰减降下来。要提升效率则要控制碳含量,这个参数影响硅片整体的平均效率。硅片的转换效率还
PREC提升。尽管保利协鑫等公司的硅片供应,肯定对p型多晶硅(标准或PERC结构)市场份额产生重大影响,但是也有可能其他更相关因素阻止向单晶硅(n型或p型基板结构)直接转变。要问的第一个问题是:为什么要