p型硅片
转换效率于2015年已达到25.6%。2015年三洋的HIT专利保护结束，技术壁垒消除，是我国大力发展和推广HIT技术的大好时机。
下图是HIT太阳能电池的基本构造，其特征是以光照射侧的p-i型
a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)和背面侧的i-n型a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的HIT太阳能电池。
图表1：HIT太阳能电池结构
到单晶硅技术路线，目前单晶硅技术路线中有两个分支：P型单晶硅和N型单晶硅。单晶硅中掺磷是N型(电子导电)，掺硼是P型(空穴导电)。 当前技术条件和生成成本综合对比，使用P型单晶硅材料的PERC电池(双面
光伏产业链中，电池环节的技术仍在快速进步与迭代，继p-PERC快速推广之后，N型电池开始受到业内越来越多的关注或认可，在各类N型电池中，异质结电池(HIT)由于效率更高，在一些BOS成本高的市场已
发布新闻宣布，公司研发的大面积高效P型多晶PERC太阳电池转换效率达到22.88%，创造了P型多晶PERC电池的世界新纪录。该结果于2019年12月获得中国光伏权威检测机构国家太阳能光伏产品质量监督检验
了260MWp，大规模生产的平均电池效率为22.8%。 技术开发 从图1中可以看到，SHJ电池的结构非常简单，并且仅需要6道工艺制造步骤。通常，SHJ电池由n型c-Si硅片制成，该硅片在两侧涂覆有薄的本
公布的光伏产品市场均价测算(P型单晶硅片-180um含税3.12元/片，预估此次合同总金额约人民币22.09亿元(不含税)，占中来股份2018年度经审计营业收入的82.06%。 中来股份12月6日在
大面积高效P型多晶PERC太阳电池转换效率达到22.88%，创造了P型多晶PERC电池的世界新纪录。该结果于2019年12月获得中国光伏权威检测机构国家太阳能光伏产品质量监督检验中心(CPVT)的认证
，近期开工的产线都在考虑兼容M12硅片，大硅片的市场份额将逐步增加。如果未来HIT为代表的新技术突破，新产线带动下大硅片切换将更加顺畅。 2.4以HIT为代表的新技术在酝酿突破 P型电池少子寿命
异质结电池一般是以 N型硅片为衬底，在正面依次本征富氢非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜，然后在背面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜。在非晶硅薄膜两侧再沉积80-100nm的透明导电氧化物薄膜 TCO
主要集中在晶体硅电池的发射极及背电极钝化技术(PERC)、异质结技术(HIT)、叉指背接触技术(IBC)、电极绕通背接触技术(MWT)，以及硅片的黑硅、n 型技术。但是由于电池的产业化要求和工艺
运行。而目前运用在山地项目中的单轴跟踪支架系统，还没有成熟可用的技术。
特变电工新疆新能源股份有限公司 王忆麟
来源：《太阳能》杂志
2019年第11期(总第307期)P29~31
