p型硅料

用低质量的硅料。2）在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率N型硅料苰IC的废N型硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的P型单晶材料。尽管电阻率合适，但硼一氧浓度非常高从而导致太阳电池性能出现较大幅度的

%已接近实验室水平，但P型与N型单晶转换率已达到19%-19.5%、21%-24%的水平，且上升空间更大；2）更大的成本下降空间：单晶在单位产出提升、引入金刚线切割、薄片化等方面更具优势，高转换效率

李振国看来，多晶电池目前的转换率已经接近实验室水平。多晶继续做到18.5%已经是极其困难，但对单晶来讲，转化率向上提升的空间还很大。目前，P型与N型单晶转换率已达到19%-19.5%、21%-24%的

制造技术，使得多晶电池效率达到了18%左右。在李振国看来，多晶电池目前的转换率已经接近实验室水平。多晶继续做到18.5%已经是极其困难，但对单晶来讲，转化率向上提升的空间还很大。 目前，P型与N型

可能持续实现的成本下降空间。观点摘要1、从P型单晶与多晶的生产工艺来看，单晶与多晶的差异主要在于硅片前的单晶拉棒与多晶铸锭，这也是当前单晶和多晶主要的成本差异来源；2、目前国内单晶硅棒领先企业非硅成本约
不变，根据我们的测算，当电池转换效率提高0.2%时，单晶硅片单W非硅成本下降1.03%；当转换效率增加1%时，单晶硅片单W非硅成本下降4.94%。目前全球量产多晶的转换率在17.5%-18%左右，P型

成本下降路径进行分析，探寻未来单晶可能持续实现的成本下降空间。　　观点摘要1、从P型单晶与多晶的生产工艺来看，单晶与多晶的差异主要在于硅片前的单晶拉棒与多晶铸锭，这也是当前单晶和多晶主要的成本差异来源；2
，单晶硅片单W非硅成本下降1.03%；当转换效率增加1%时，单晶硅片单W非硅成本下降4.94%。目前全球量产多晶的转换率在17.5%-18%左右，P型单晶转换率在18.5%-19.5%左右，N型单晶

构造是运用P型与N型半导体接合而成的。对其而言，最重要的参数是光电转换效率。在单晶电池中，目前所研发的N型单晶电池的产业化水平大概在21%-24%左右，P型单晶电池的国内产业化水平在18.7