n型硅片

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单晶、多晶、薄膜“三国鼎立” 单晶或成最后赢家来源:华夏能源网作者:曹昱媛 发布时间:2016-02-01 23:59:59

协鑫集团的一大手笔,首期1GW高效单晶项目投资12亿元,将于2015年底建成投产。项目采用全球领先的科技研发成果超高效N单晶技术,2020年项目全部投产后,预计年产值超100亿元。随着PERC(钝化
长足发展,并一直占据市场绝对优势。到了2015年,这一局面逐渐被打破。受终端需求旺盛的影响,多晶硅片价栺维持相对稳定,2015年下半年以来价栺有所回升,而单晶硅片价栺不断下行。根据第三方机构PV

你了解商业化高效晶硅光伏电池技术吗?来源: 发布时间:2016-02-01 00:01:59

组件背面所替代。由于光生载流子需要穿透整个电池被电池背表面的pn结所收集,故IBC电池对硅片本身的质量要求较高,需采用载流子寿命较高(纯度较高)的硅晶片材料,一般采用质量较高的nFZ单晶硅作为衬底材料

整合拓展光伏上下游业务 卡姆丹克募资6亿港元调整业务结构来源:中国证券报 发布时间:2016-01-29 09:00:43

单晶硅片产能400兆瓦,主要生产N硅片,转化效率可达到24%,处于行业绝对领先地位,据客户反馈使用公司超级单晶的高效电池片转换率可超过25%。公司主营业务是单晶硅的拉棒和切片,2015年上半年的单晶硅片

卡姆丹克太阳能募资6亿港元调整业务结构来源:中国证券报 发布时间:2016-01-28 23:59:59

目前单晶硅片产能400兆瓦,主要生产N硅片,转化效率可达到24%,处于行业绝对领先地位,据客户反馈使用公司超级单晶的高效电池片转换率可超过25%。公司主营业务是单晶硅的拉棒和切片,2015年上半年的

【干货】晶硅光伏电池漏电的主要因素分析来源:索比光伏网作者:李吉 靳迎松等 发布时间:2016-01-27 23:59:59

;3)印刷擦片或漏浆。对上述三方面进行实验研究,在研究过程中发现除了以上三种漏电原因外,还有Si3N4颗粒、多晶晶界等也会造成电池片漏电。1、刻蚀不完全或未刻蚀造成的漏电扩散工艺中在硅片的上表面和周边都
扩散上了N结,如果不去除周边的N结会导致电池片正负极被周边的N结联接起来,使电池正负极接通,起不到电池的作用了,我们用等离子刻蚀去除太阳能电池的周边结,其腐蚀反应方程为

中科院宁波材料所在有机/无机异质结太阳能电池方面取得系列进展来源:世纪新能源网 发布时间:2016-01-27 23:59:59

完成器件制备。由n硅和具有空穴导电型的有机物poly(3,4-ethylene dioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS)构建的n

中国光伏行业协会发布《2016年中国光伏产业发展形势展望》来源:中国光伏行业协会 发布时间:2016-01-27 23:59:59

,金刚线切割技术将得到进一步应用,PERC电池、N电池规模化生产进一步扩大。与此同时,我国近99%光伏产品采用晶硅技术,新型薄膜、异质结、高倍聚光等技术路线发展缓慢,技术路线单一化程度偏高,产业后续发展
500MW多晶电池片及450MW组件厂正式投产,电池片转换率最高将达到18.5%。  卡姆丹克:2014年8月,位于马来西亚的300MW单晶硅锭及硅片厂投产,2015年3月表示计划产能至2016年底将扩充至

晶体硅电池漏电原因都有哪些?来源:索比光伏网 发布时间:2016-01-27 13:32:42

过程中发现除了以上三种漏电原因外,还有Si3N4颗粒、多晶晶界等也会造成电池片漏电。 1刻蚀不完全或未刻蚀造成的漏电 扩散工艺中在硅片的上表面和周边都扩散上了N结,如果不去除周边的N结会导致

隆基股份•银川3GW硅棒切片项目奠基仪式隆重举行(海量现场图)来源:索比光伏网 发布时间:2016-01-27 12:05:55

项目对于高效产品的需求更为迫切。目前多晶电池最高转换效率达到18%,已接近19%的理论值,而目前主流P型单晶电池转换效率为19%-19.5%,距离22%的理论转换效率还有较大提升空间,主流N单晶电池的

单晶VS多晶 未来光伏市场属于谁?来源:光伏说 发布时间:2016-01-25 09:11:58

,增长缓慢。 而P型单晶目前转换效率在19.5%-20.5%,1年内将突破21.5%,N单晶转换效率在22%-25%,N理论上甚至可以达到30%的高效率。目前P型单晶在性价比方面已经超越多晶,可以预见不远的将来随着成本迫近甚至达到持平,多晶有望大面积被单晶取代.