n型硅片
效率提升20%以上，综合生产成本降低10%以上。 通过CCZ技术生产出来的产品轴向电阻率、氧含量都是均匀的，更加适用于P型PERC电池工艺及更加高效的N型电池工艺，并且是掺镓P型硅片最有效的拉晶技术
310W、295W。为了同时实现高效、低价，最流行的高效技术几乎都得到了应用：
PERC、双面、N型、半片、MBB、MWT、黑硅......
可见，在领跑者的推动下，很多新技术从实验室加速走向应用实践
的必要配置;而2017年的领跑者中，PERC组件无疑各家的必选项。
2)采用N型组件
2017年，N型组件的技术和产业化也得到了较大的进步。N型+pert+半片可使组件功率达到320W，2018年产
PERC工艺，电池片量产平均效率21.8%;多晶PERC已开始进入产业化阶段，电池片量产平均效率20.6%;P-型PERC电池已经开始向双面电池发展;N型、HIT等产业化应用速度超预期，MBB、双面
，继PERC电池成为行业热点后，HIT电池技术初有突破，性价比优势开始显现，未来将是P型PERC电池与N型HIT电池争霸光伏产业的时代。 HIT目前最大的障碍来自于关键设备为实现国产化，但中国制造
间衬底为n 型晶体硅，经过清洗制绒的n 型c-Si 正面依次沉积厚度为5～10 nm 的本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H)、p 型非晶硅薄膜(p-a-Si:H)，从而形成p-n 异质结。在硅片背表面
固定正电荷会产生场效应钝化作用而降低表面复合速率。 文献中席俊华设计了一种外置式电感藕合等离子体增强化学气相沉积装置，并利用该装置在n型硅片上低温沉积了SiO2薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)测试
、双面、N型等新型电池片的制造需求。特别是奇元裕重点推出的荷商Tempress低压化学气相沉积设备(LPCVD)和Topcon相关工艺整合解决方案，在国内的市占率为业内第一。Tempress的LPCVD
事半功倍。
简聪明表示在高效产品的时代，未来看好N型电池的发展。企业能否成功的关键在于产品的品质，要不然产能做的再大，产品还是卖不出去，然后也无法盈利。展望2018年的市场，简聪明认为，今年的光伏市场因为政策原因而有不确定性，但还是看好光伏产业长期的发展，同时期望光伏市场能够保持高速增长。
容忍度高等等。 (1)少子寿命高。金属杂质是半导体中常见的杂质之一，而N型基底的抗杂质能力很强，对铁、铜等常见金属杂质的容忍度更高，也就是说在相同金属杂质污染的情况下，N型硅片的少子寿命要比P型硅片高
杂质污染的情况下，N型硅片的少子寿命要比P型硅片高。少子寿命高最终有利于对外输出电流，同等光照条件下，转换的光能则会更多。 无光致衰减 常规P型电池由于使用硼掺杂的硅基底，初始光照后易形成硼氧对
薄膜厚度和折射率的影响 实验采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备氮化硅薄膜,使用PD-220N型镀膜机,源气体采用硅烷和氨气,基片采用单面抛光的硅片。由于本实验是3因素(射频功率A、沉积温度B
