n型硅片

硅基薄膜工艺形成p-n结发射区，制程中的最高温度就是非晶硅薄膜的形成温度(200℃)，避免了传统晶体硅电池形成p-n结的高温(950℃)。可以降低能耗、减少对硅片的热损 伤。 ③获得较高的转换效率

(InterdigitatedBackContact，IBC)产品。 作为被寄望成为未来主流之一的IBC电池，正是基于高效N型单晶硅片生产，而中环股份的高效N型单晶硅片全球市场占有率已经超过了70%。

IBC太阳电池。其中，2014年在N型CZ硅片上制备的第三代IBC太阳电池的最高效率达到25.2%。资料显示，SunPower量产效率达25%，LG量产效率达24.5%。 国内天合光能一直致力于
转换效率，标志着天合在高端光伏电池技术研究上迈出了重要的一步。 IBC电池技术的研究进展(天合光能，2018，25.04%) 关键制备技术 在高寿命的N型硅片衬底的背面形成

、铜靶、钼靶、铬靶以及 ITO 靶、AZO 靶(氧化铝锌)等，HIT电池主要使用ITO靶材作为其透明导电薄膜。 目前国内光伏电池主要以硅片涂覆型太阳能电池为主，薄膜电池以及HIT占比较低，但是从目前
光伏领域对靶材的使用主要是薄膜电池和HIT光伏电池。其中光伏薄膜电池用靶材主要为方形板状，纯度要求一般在 99.99%(4N)以上，仅次于半导体用靶材。目前制备薄膜电池较为常用的溅射靶材包括铝靶

电池本身的提效可提升电池的成本空间，而硅成本则有望受益于后续 N 型硅片的持续减薄。 预计在 HJT 电池成本进入临界范围的过程中，产业化脚步即有望逐步加快，成本进入临界范围后，HJT 电池对

HJT 电池本身的提效可提升电池的成本空间，而硅成本则有望受益于后续 N 型硅片的持续减薄。 预计在 HJT 电池成本进入临界范围的过程中，产业化脚步即有望逐步加快，成本进入临界范围后，HJT 电池对

决定了铸锭单晶会占有相当的市场份额。保利协鑫30GW的铸锭单晶产能将是全行业最优质的产能。 第五，N型硅片会有显著进步。未来的光伏发电是钙钛矿叠加N型硅片的方式，虽然目前N型的成本还比较高，但成本

年Perc电池新增产能投资依然有65GW的规模。同时，1-2年内随着N型电池降本路线更加成熟，将成为新一代高效电池技术投资主力方向之一，带动电池片设备环节持续前行。 当下全球市场的需求仍旧超过
，单晶硅和多晶硅电池优于非晶硅电池。 太阳能电池主要包括晶硅电池和薄膜电池，靶材主要应用于薄膜太阳能电池的背电极环节以及HIT(异质结)电池的导体层。晶体硅太阳能电池按照生产工艺不同可分为硅片涂覆型

异质结电池主要降本项目加以说明和分析，希望能给读者相应的启发： 硅片薄化 N型硅片是异质结电池生产成本中所占比重最高的成本中心之一，因此利用薄化硅片以降低材料成本成为降本必要路径。由于异质结电池结构

项目加以说明和分析，希望能给读者相应的启发： 硅片薄化 N型硅片是异质结电池生产成本中所占比重最高的成本中心之一，因此利用薄化硅片以降低材料成本成为降本必要路径。由于异质结电池结构对称，加上电池工艺