n型单晶硅

背面继续使用这一材料呢。答案是否定的，上面已经提到，SiNx钝化的机制之一在于利用其正电荷减少正面n型区的少子浓度，可是到了p型的背面，其正电荷将有可能在背面诱导形成一层n型反转层(inversion

学术年会第六分会场，乐叶光伏两位技术专家分别讲解《N型单晶电池技术发展》、《单晶硅与多晶硅光伏组件发电性能对比分析》，更多精彩详情请关注乐叶光伏官方微信公众号（微信号：LerriSolar）。

处于先进水平。在这几年里面，不管是普通的多晶硅技术，还是高性能的多晶硅电池，还是N型单晶硅等，包括IDC、MWT等等一些新技术方面，我们都已经有了大量的储备，主要的组件企业、电池片企业，都已经有了非常

达到17.6-18.5%，虽然在高效电池方面差距还比较大，但是我国整体的水平在国际上仍处于先进水平。 在这几年里面，不管是普通的多晶硅技术，还是高性能的多晶硅电池，还是N型单晶硅等，包括IDC、MWT

效率，铸锭装料量的增加、金刚线切片在多晶的应用将有助于降低多晶硅片的成本。毋庸置疑在未来的5年内，多晶硅片还将继续占据绝对主流，但是N型单晶硅片确实是一个发展方向，对多晶硅片的威胁还将持续存在。
；　　图4、阿特斯湿法黑硅制绒技术四、电池环节单晶的转换效率高于多晶，但是目前P型多晶量产效率也即将突破20%，因此从性价比看，P型单晶还是不如P型多晶，但是N型单晶电池确实具备一定的优势。P型单晶因为

在国际上仍处于先进水平。在这几年里面，不管是普通的多晶硅技术，还是高性能的多晶硅电池，还是N型单晶硅等，包括IDC、MWT等等一些新技术方面，我们都已经有了大量的储备，主要的组件企业、电池片企业，都已

光伏发电装机容量 7.73GW，比去年同期大增 134%，全年17.8GW 目标定能完成， 光伏行业发展势头良好。 随着近些年国内外对分布式光伏的大力支持， 高效晶硅电池的占比从 12 年开始持续攀升，N 型单晶硅

将有助于提高多晶硅片的效率，铸锭装料量的增加、金刚线切片在多晶的应用将有助于降低多晶硅片的成本。毋庸置疑在未来的5年内，多晶硅片还将继续占据绝对主流，但是N型单晶硅片确实是一个发展方向，对多晶硅片的威胁还将持续存在。

，是以光照射侧的 p-i 型a-Si: H膜( 膜厚 5 ～ 10nm) 和背面侧的 i-n 型 a-Si: H膜( 膜厚 5 ～ 10nm) 夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成