TOPCon叠层

相对P型晶硅电池，N型晶硅电池的少子寿命高，无光致衰减，弱光效应好，温度系数小，是晶硅太阳能电池迈向理论最高效率的希望。 TOPCon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触(Tunnel
工艺，量产化困难度低。 图2. TOPCon 工艺流程图 目前用于生长高质量重掺杂多晶硅层的方法有LPCVD(低压化学气相沉积)和PECVD两种。一种是用LPCVD原位(或离位

，但背面开槽处金属接触区域增加额外的复合电流;N 型电池技术路线繁多，其中 N-PERT 是 P-PERC 技术的改进型，在形成钝化层基础上进行全面的扩散，加强钝化层效果;TOPCon 在电池表面

首台异质结叠层 PECVD 设备正式启运，6 月实现第一片电池出片 2)迈为股份：领先的国产设备厂商，PECVD和激光切割设备同时发力。为通威 250MW 异质结试验产线提供核心 PECVD 设备
产能约 4GW，规划产能约 20GW，产能占比不到 1.6%。从产量和产品渗 透率的角度，当前 PERC 电池和传统 BSF 电池市占率达到 93.5%，排除其他 TOPCON 等 PERC+技术的

微乎其微。TOPCon 电池结构无需背面 开孔和对准，极大地简化了电池生产工艺，相较于 PERC 电池，TOPCon 仅需增加氧化硅及多晶硅叠层钝化、绕镀 清洗工序，同时将扩磷改为扩硼，便可与当前的

产线上升级改造，可延续存量产能使用寿命 TopCon 电池：基于N 型硅衬底，前表面采用叠层膜钝化工艺，背表面采用基于超薄氧化硅和掺杂多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构，可双面发电。得益于超薄氧化硅和掺杂

大连化学物理研究所目前通过将半透明钙钛矿电池与高效硅异质结薄膜电池结合，组成光电转化效率达到 27.0%的钙钛矿硅叠层太阳能电池。 综上所述，HJT 与 IBC 电池结合可生产 HBC 电池，效率可
。 HJT(异质结)工序大幅简化，不兼容性为设备商提供更大发挥舞台。从工序 数量看，目前主流的 PERC+SE 工艺需要 9 步，HJT(异质结)工艺只需要 4 步，TOPCon 工艺经过研发和设备的

相比， PERC 电池背面增加了氧化铝 AlOx，氧化硅 SiOx 和氮化硅 SiNx 等钝化叠层， 因此电池的表面复合速率大大的降低，电池的开压 VOC 可以提升 15-20mV。而且，由于背面钝化
和设备关键性能整体均处 于国际先进水平。管式PECVD设备主要采用业内领先的背面钝化叠层膜技术， 有效提高晶体硅电池的转换效率。公司研发技术及生产能力覆盖电池片前中端 生产所有核心设备，是国内仅有

，银浆成本下降0.2元/瓦，同时由于主栅更细，遮光更少，电池效率还提升了0.5%，HIT的性价比得到质的提升，让HIT量产的可行性大幅增加。 三、HIT兼容下一代叠层技术。晶硅电池的理论效率极限在30
去布局HIT其实也是在为未来开发叠层电池做准备，PERC到HIT，设备基本上都不能用，HIT到叠层，只需要增加三台设备，4层膜，HIT完全兼容下一代技术，因此HIT的升级潜力也让更多企业去布局HIT

见的PERC电池(背面Al2O3/SiNx(SiO2)叠层钝化)、TOPCon电池(SiO2和多晶/微晶硅层钝化)、异质结电池(氢化本征非晶硅钝化)结构的产生均受钝化接触思路的影响，而异质结电池结构是