TCO导电
差，需要再在电池两侧沉积透明导电薄膜(TCO)来进行导电，最后采用丝网印刷技术形成双面电极。 图片来源：HJT电池结构示意图 从N型晶体硅到能够商用的HJT电池，一共需要几步呢?答案是4
空穴数量决定了导电能力，硼与硅相容性更好，制造工艺简单且成本更低，但硼氧复合体导致电池效率衰减大。而 N 型硅掺磷元素，与硅单质混合型成电子，产生的电子数量决定了导电能力，磷与硅相溶性更差，制造工艺复杂
%，最高效率达到 25.06%，通威最高实现了 25.18%，效率潜力明显优于 PERC 电池;
2)光衰减低+温度系数低，稳定性强。HJT 电池通过良好的镀膜工艺来降低界面复合改善 TCO 层及 Ag
转换效率
靶材的选择决定了薄膜的光电特性，进而影响电池转换效率。目前TCO镀膜主要采用PVD或RPD技术，PVD主要采用ITO和SCOT靶材，目前ITO靶材已较为成熟，ITO的锡含量越低，电池转换效率
3-4*10-6cm，电阻降低可有效提升HJT电池效率。
组件结构优化：无主栅设计提升转换效率
无主栅技术具备提升光照面积并降低电阻的优势。光伏栅线的责任在于传导电流，从电阻率的角度分析，栅线越细则
爱康引进全球第一台能达到5000片/小时产能的设备，RPD技术所沉积的TCO膜具有很高的迁移率和光的透过率，有效提升 HJT 电池的整体转换效率。工序作用
在沉积完成非晶硅膜硅片的正反面沉积
上透明导电膜，减少对光的反射，并将硅片体内的电流导出。
上道工序流入的硅片放入沉积设备配套的自动化设备内，通过自动化设备将硅片放入载板内，载板装满硅片后，送入设备内部，进行工艺完成工艺后，通过回传
，后期将逐步提升;另外产品技术方面也取得了重大突破，其中PECVD工序在一定条件下电池核心性能少子寿命平均突破3.5ms(毫秒)，从而导致TCO导电薄膜稳定在100c㎡/vs以上，极大的提高了异质结电池
、透光率等指标对光伏组件的寿命和长期发电效率起核心作用。目前光伏玻璃有三种主要产品形态：超白压花玻璃、超白加工浮法玻璃，以及透明导电氧化物镀膜(TCO)玻璃。
通常来说，硅片光伏组件主要使用超白
中掺入其它元素，增加大量自由电子，使半导体主要靠电子导电，此类产品称为电子型半导体，或称为N型半导体。使用此类半导体的光伏电池即为N型电池。
目前，单晶PERC产品作为主流光伏电池，生产工艺成熟
本竞争力不足，核心因素在于两方面：
1) 设备投资额度大，国产化进行仍在路上。由于HJT与目前主流的PERC产线不兼容，因此非晶硅薄膜沉积和TCO膜沉积等核心设备需要重新购置，投资额度相对较大，但
的2倍以上，TCO进口材料价格偏高等多个因素共同推升成本。
因此，材料与设备国产化共同推动HJT产线降本：
1) 材料方面降本。降低硅片成本方面，主要
增益显著;且仅有清洗制绒、硅基薄膜沉积、透明导电薄膜沉积和丝网印刷这四道工艺制程;此外，作为平台型技术，异质结有叠加其他先进工艺使转换效率更高幅度提升的潜力，是有望让光伏行业降本增效从希冀变为现实的
任务，并进行定位、二次配等工作，各项介质也将陆续供应，确保项目在7月底顺利投产。
与其他电池技术相比较，HJT核心工艺只有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备4个步骤，加之HJT电池
有三种主要产品形态：超白压花玻璃、超白加工浮法玻璃，以及透明导电氧化物镀膜（TCO）玻璃。
通常来说，硅片光伏组件主要使用超白压花玻璃或超白加工浮法玻璃，一方面可以对太阳能电池起到保护作用，增加
导电，此类产品称为电子型半导体，或称为N型半导体。使用此类半导体的光伏电池即为N型电池。
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目前，单晶PERC产品作为主流光伏电池，生产工艺成熟，产能高
异质结。硅片的背面又通过沉积厚度为5-10nm的i-a-Si: H 和掺杂的 N 型非晶硅(n-a-Si: H )形成背表面场,双面沉积的透明导电氧化物薄膜(TC0)不仅可以减少收集电流时的串联电阻
N 型单晶硅为磷掺杂,不存在 P 型晶硅中的氧复合、础铁复合等,所以 HJT 电池对于 LID 效应是免疫的。HJT 电池的表面沉积有 TCO 薄膜,无绝缘层,因此无表面层带电的机会,从结构上避免
