TCO导电

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国内40家光伏薄膜电池厂商大盘点(上篇)来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-10-30 01:09:59

太阳能电池生产线,同时将建设1-2条TCO镀膜玻璃生产线。6.成都中光电阿波罗太阳能有限公司成都中光电阿波罗太阳能有限公司成立于2009年12月26日,注册资本1.428亿元,是由中国建材集团蚌埠玻璃
的技术实力、先后进行LCD导电线连接片以及将光能转化为电能的环保型太阳能电池的研发生产和销售,并于2005年投产ITO镀膜线。  17.普乐新能源(蚌埠)有限公司普乐新能源有限公司成立于2006年初

江苏秀强玻璃工艺股份有限公司2012第三季度报告来源: 发布时间:2012-10-22 23:59:59

,按参股比例相应减少了本公司净利润206万元。报告期内,公司经营情况良好,对外投资项目以及募集资金投资项目建设工作顺利进行:(1)募投项目薄膜太阳能电池用TCO导电膜玻璃项目已建成年产30万平方米
玻璃生产为主转型向新能源新材料方向发展,公司将在保持现有家电玻璃市场占有率的同时,继续大力发展增透晶体硅太阳能封装玻璃、薄膜太阳能电池用TCO导电膜玻璃、家电镀膜玻璃等高新技术项目,充分利用公司已经积累

【光伏技术】高效晶体硅太阳能电池-HIT电池来源: 发布时间:2012-08-14 10:59:15

:H层;利用溅射技术在电池的两面沉积透明氧化物导电薄膜(TCO),用丝网印刷的方法在TCO上制作Ag电极。值得注意的是所有的制作过程都是在低于200 ℃的条件下进行,这对保证电池的优异性能和节省能耗具有重要的意义。图 3:三洋公司 HIT电池 h=23%

光伏人物彭小峰的戏剧人生 三条路三个老板来源: 发布时间:2012-07-24 12:06:39

年底在湖南衡阳建设新能源基地,其中包括4条不同型号的超白玻璃和TCO导电玻璃生产线;此外中国建材集团还参与多个海外光伏项目中,集团旗下的中国建材进出口公司(该公司还通过下属的中建材国际贸易有限公司进行
支撑,发展循环经济,使矿产资源的应用范围扩展到国家战略性新兴产业高附加值的高端产品。发展新兴产业:就是在衡阳松木工业园区建设晶硅太阳能电池用基板玻璃、非晶硅薄膜太阳能电池导电膜玻璃、薄膜太阳能电池及

彭小峰的三条路和三个“老板”来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-07-24 11:32:59

、新能源材料和热带海岛新型房屋等方面的研究。中国建材集团已经开始涉足新能源产业,2010年底在湖南衡阳建设新能源基地,其中包括4条不同型号的超白玻璃和TCO导电玻璃生产线;此外中国建材集团还参与多个海外光伏
循环经济,使矿产资源的应用范围扩展到国家战略性新兴产业高附加值的高端产品。发展新兴产业:就是在衡阳松木工业园区建设晶硅太阳能电池用基板玻璃、非晶硅薄膜太阳能电池导电膜玻璃、薄膜太阳能电池及工程化应用基地

欧盟1000万欧元研发薄膜项目来源: 发布时间:2012-07-16 14:22:59

开发新的特性评价分析手段,并由此进一步改善硫族化合物吸收材料的质量。通过这些新手段,也将实现在放大生产时的高的转换效率以及高的产量。新的研究策略包括把薄膜吸收材料与透明纳米导电氧化物(TCO)复合

欧盟为薄膜太阳能电池项目提供1000万欧元资助来源:世纪新能源网 发布时间:2012-07-15 23:59:59

此进一步改善硫族化合物吸收材料的质量。通过这些新手段,也将实现在放大生产时的高的转换效率以及高的产量。新的研究策略包括把薄膜吸收材料与透明纳米导电氧化物(TCO)复合在一处。为此,来自柏林自由大学和亥姆霍兹

太阳能发电科技发展“十二五”专项规划来源: 发布时间:2012-07-11 15:56:31

实现硅材料生产的环境友好。相关内容包括:改良西门子法、硅烷法、物理、化学冶金法多晶硅材料生产技术,太阳电池用银浆、银铝浆、TPT背板材料、EVA封装材料、薄膜电池用TCO玻璃基板等关键配套材料制备技术等
背板材料、EVA封装材料、薄膜电池用TCO玻璃基板等关键配套材料制备技术。 2、器件方向 (1)新型太阳电池中试及前沿技术研究 建成年产能2MW的薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池中试示范线,中试效率达到

光伏企业动态每日速览(第十七期)来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-07-03 08:44:59

比将从目前的29%逐步提升至40%。同时公司上市前已完成一条30万m2TCO导电膜玻璃生产线的试生产,产品通过质检基本达到预期效果,最终目标产能210万m2,目前已在部分金太阳工程上取得进展,预计今年

用ECR-CVD改善硅基异质结太阳电池的界面钝化的影响来源:SEMI 发布时间:2012-06-20 23:59:59

)和外延Si薄膜。另一方面,由于-Si:H层的侧向导电性相当差,因此在电池设计中,必须加入支撑透明导电氧化物(TCO)。已经证明,用能在450℃时生长同质外延n+Si发射层,不需要TCO层就能得到约15