SE

。 　　项目简介1.铜、铟、■、硒（Cu、In、Ga、Se2）（简称CIGS），薄膜太阳能光电池。它以高转换率（光电转换率可达16%—17%）、低成本（大批量生产成本在5—6元/W，只有目前单晶硅太阳能电池

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本田子公司本田Soltec于2007年6月12日宣布开始销售“CIGS型”薄膜太阳能电池。CIGS型是在光的吸收层中利用Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)化合物的太阳能电池

本田子公司本田Soltec于2007年6月12日宣布开始销售“CIGS型”薄膜太阳能电池。CIGS型是在光的吸收层中利用Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)化合物的太阳能电池。在世

索比光伏网讯:5．晶体硅太阳电池及材料引言 1839年，法国Becqueral第一次在化学电池中观察到光伏效应。1876年，在固态硒（Se）的系统中也观察到了光伏效应，随后开发出Se／CuO

立 无定形材料第一次在光电子器件领域崭露头角是在1950年。当时人们在寻找适用于电视摄像管和复印设备用的光电导材料时找到了无定形硒（a一Se）和无定形三硫化锑（a一SbS3）。当时还不存在非晶材料
的概念及有关的领域，而晶体半导体的理论基础――能带理论，早在30年代就已成熟，晶体管已经发明，晶体半导体光电特性和器件开发正是热点。而a一Se和a一sbS3这类材料居然在没有基础理论的情况下发展成为

缺陷（如空位、填隙原子、替位原子），此外还与非本征掺杂和晶界有关。 2.3.1 导电类型 对材料的元素组份比接近化学计量比的情况，按照缺陷导电理论，一般有如下的结果：当Se不足时，Se
空位呈现施主；当Se过量时，呈现受主；当Cu不足时，Cu空位呈现受主；当Cu过量时，呈现施主。当In不足时，In空位呈现受主。当In过量时，呈现施主。 在薄膜的成份偏离化学计量比较大的情况下

材料第一次在光电子器件领域崭露头角是在1950年。当时人们在寻找适用于电视摄像管和复印设备用的光电导材料时找到了无定形硒（a一Se）和无定形三硫化锑（a一SbS3）。当时还不存在非晶材料的概念及有关的
领域，而晶体半导体的理论基础——能带理论，早在30年代就已成熟，晶体管已经发明，晶体半导体光电特性和器件开发正是热点。而a一Se和a一sbS3这类材料居然在没有基础理论的情况下发展成为产值在10亿美元

5．晶体硅太阳电池及材料引言 1839年，法国Becqueral第一次在化学电池中观察到光伏效应。1876年，在固态硒（Se）的系统中也观察到了光伏效应，随后开发出Se／CuO光电池。有关硅

=I0eqU/KT - (I0+Ip) 令Ip=SE，则 I=I0eqU/KT - (I0+SE) 开路电压Uoc： 光照下的P-N结外电路开路时P端对N端的电压，即上述电流方程中I=0时的
U值： 0=I0eqU/KT - (I0+SE) Uoc=(KT/q)ln(SE+I0)/I0≈(KT/q)ln(SE/I0) 短路电流Isc： 光照下的P-N结，外电路短路时，从P端