SE技术
解决方案、低压及控制元器件及其绿色创想新品在此次展会上亮相，充分展示了其“技术创新”和“绿色创想”两大发展战略，并推出了与我国节能环保及智能电网开发政策相吻合的新产品，奏响其绿色创想的主旋律。国内各大电力集团
，推出城市轨道交通解决方案。SecoCube气体绝缘中压开关柜采用整体模块化设计，最大限度减少六氟化硫气体的使用，充分体现了绿色环保的理念；SE Rapid直流配电柜配以Gerapid直流快速断路器，可
一家专业生产太阳能电池用硅墨的一家材料公司，该公司专有的硅墨及加工技术在提高产能、太阳能电池性能和降低成本具有优势。根据协议，双方将在多晶硅上采用硅墨技术研发生产选择性发射极(SE）电池，该项目将利用Innovalight公司提供的硅墨，在英利现有的多晶电池基础上，共同研发选择性发射极(SE）电池。
月开始运营。是一家开发及制造高效率太阳能电池单元的技术主导型电池单元专业厂商。拥有10条生产线，生产能力达到320MW。在极力追求扩大规模的众多中国厂商当中独树一帜。 在首席技术官（CTO）赵建华
和负责研发的副总经理王艾华的带领下，该公司的研发小组经过3年的研究和试制，于2007年11月向市场成功推出了SE太阳能电池。这是一款在现有工艺和p型晶圆基础上提高了性能的单结晶硅太阳能电池。这种电池受
出了转换效率超过20％的结晶硅型太阳能电池。目前，该电池的转换效率已达到25％。
格林教授此次演讲的题目是，“第3代太阳能电池”的候补技术是什么？格林表示，结晶硅型属于第1代太阳能电池，非晶硅
型等薄膜太阳能电池属于第2代太阳能电池。
格林认为，第3代太阳能电池应具备的条件是，兼顾高效率和低制造成本，额定功率的制造成本为0.2～0.5美元/W。目前制造成本最低的太阳能技术为0.8美元
Technology，Sunvim）开发出了主要成分由铜（Cu）、铟（In）、镓（Ga）、硒（Se）以及硫（S）五种元素构成的太阳能电池面板。尺寸为1206mm506mm30mm的模块转换效率约为8.8％。该公司
表示，将在近期以年30MW的规模开始生产面板。目标是将来使制造规模达到年240MW。另外，苏州高赛太阳能技术有限公司（Suzhou GroupSat Solar Technologies
Solar Technology，Sunvim）开发出了主要成分由铜（Cu）、铟（In）、镓（Ga）、硒（Se）以及硫（S）五种元素构成的太阳能电池面板。尺寸为1206mm×506mm×30mm的模块
底板 三星DIAMOND工业展出的制图＆切断装置演示设备
另外，苏州高赛太阳能技术有限公司（Suzhou GroupSat Solar Technologies，Ysolars）展出了柔性CIGS
矿产（copper, tin, zinc, sulfur, and selenium — aka, Cu2ZnSn(Se,S)4)）。这就解决了其他薄膜技术中碲和铟的稀有问题。IBM声称，其原材料也是
IT & PV
光伏与信息，本系同宗，都是半导体技术。二者又有所不同：信息是世界发展的关键，而光伏所代表的能源又是人类生存的基础。不论是多晶硅——两者产业链的共同开始；还是终端的
太阳能光电建筑应用的实施意见》和《金太阳示范工程财政补助资金管理暂行办法》（以下简称“金太阳工程”），其旨在推动光伏技术的发展、市场的开拓，“金太阳工程”更是明确提出，计划在未来2－3年内，采取财政补助
数条生产线；以及前面提到Sunshine倒闭等。面对着来自中国竞争对手的近五年“市场压迫”，Q-Cells SE的总裁指责中国产品的价格处于“倾销的边缘”。更另德国同行们恐惧的是，已经有十几家企业因为
本趋势。CdTe太阳能电池的低成本在2009年击败了其他技术，但薄膜硅太阳能电池看来在2010年也可能降到此一水准。图由Nikkei Electronics依据FujiKeizai和First
马来西亚及世界各地的工厂在2009年都已开始量产，而该公司已宣布在2009年第三季的制造成本达到了每瓦0.85美元。这还不到竞争对手太阳能电池技术制造成本的40％。除了低制造成本之外，富士经济补充道：系统的
，目前已开发出CIGS的溅镀(sputter)机台，并与国外合作开发快速升温(RTP)与硒化氢(H2Se)两种技术的硒化炉，在南科厂中已架设1条CIGS的实验线，整厂保证转换效率10%，预计于2012年
输出的意向订单，其中30MWp将于2010年底交货，预计2011年CIGS的订单将倍数成长。
北儒为真空镀膜制程与真空精密零组件制造厂，其多年在真空镀膜的技术，也获美商应材
