S4
官方还提供了一套完整的安装电池的工具，适用于iPhone 4/4S/5/5S/6/6+/6S/6S+/7/7+和三星Galaxy S3/S4/S5/S6/S6edge/S7/S7edge。当然，官方
能量损耗极低，效率是其他太阳能充电产品的2倍。 官方还提供了一套完整的安装电池的工具，适用于iPhone 4/4S/5/5S/6/6+/6S/6S+/7/7+和三星Galaxy S3/S4
电池的工具，适用于iPhone 4/4S/5/5S/6/6+/6S/6S+/7/7+和三星Galaxy S3/S4/S5/S6/S6edge/S7/S7edge。当然，官方也提示，拆机会使手机失去保修
“鑫多晶S1+”，之后两年又相继推出s2、s3、s4，每款新品相较上一代产品转化效率上均有0.3%~0.4%的提升。“鑫多晶s4”运用在普通电池工艺上的平均转换效率达到18.33%。2014年推出的
多晶硅片S1+起，保利协鑫平均每半年推出一款高效硅片，到现在已经是S4，每款产品较上一代相比平均有0.3%-0.4%的提升。公司还独辟蹊径开发了铸锭单晶技术，采用多晶的方法生产单晶。据朱战军介绍，公司的
硅片业务以来，保利协鑫已先后推出鑫单晶G1、G2，鑫多晶S1、S2、S3、S4等一系列高效产品，每代产品均带动转换效率迈上新台阶。保利协鑫的硅片出货量也位居全球首位。数据显示，截至2015年底，保利协鑫
高达18.33%的鑫多晶S4，又有高大上的鑫单晶代G2电池。加上各种硅烷流化床法制备多晶硅技术，完美的展示了晶体硅太阳能ink"光伏发电的发展前景
，其中鑫多晶S4试用平均转换效率达到18.33％。GCL新高效工艺高纯坩埚的使用，有效解决了多晶硅片边缘的黑边及转换效率问题；鑫单晶代G2通过特殊的籽晶铺设工艺和长晶工艺，解决了鑫单晶G1时代缺陷增殖
目前以传统电池工艺可以做到18.8%的转换效率，相当于制备265W组件，S3与G2计划2015年成为市场主推产品。截至2016年3月末，公司推出的S4多晶及G3单晶，制成电池后，两类产品预期比上
21%升至61%，平均效率提升大于2Wp。 图二是B客户将多晶硅片由S2升级为S4之后，270Wp多晶组件的比例由23%提升至78%。 由上述数据可以得出，使用大尺寸多晶硅片将可以较大幅度的提升
