PVD
到：中来J-TOPCon 2.0采用板式PVD技术沉积poly层，无绕镀。无需额外的去绕镀工艺使得TOPCon的制造成本更低，良率更高。目前中来J-TOPCon实现了效率高达26.7%的电池片实验室
干法刻蚀机。围绕HJT电池领域，自主研制了平板PECVD、平板PVD设备，以及应用于钙钛矿电池的原子层沉积设备、连续式磁控溅射设备，以高端装备持续为行业发展赋能。打造“中国方案”，迈向“零碳未来”与土耳其
、清洗剂等产品。产品研发背景来看，主要有LPCVD、PECVD和PVD三种，
从研发机理来看，分成了POLY、PSG、BPSG的腐蚀速率，我们做到了在增强POLY腐蚀速率同时，降低PSG和BPSG的
推出铜栅线异质结电池(C-HJT)技术。其中，国电投新能源公司的铜电镀栅线制备工艺，在PVD后增加镀铜腔体即可完成种子层制备，无需增加额外PVD设备。超窄铜栅线电镀工艺实现了20微米线宽的量产工艺，比银
核心技术突破和装备国产化，自主开发的PVD和ALD设备已批量交付于光伏龙头企业、中央研究院和多个研发中心的产线，在钙钛矿电子传输层、空穴传输层、钝化层、缓冲层等膜层制备上已取得了突破性进展，技术实力
光电瞄准前沿，积极研发HJT高效电池装备，深度布局钙钛矿电池工艺路线，核心工艺技术取得重大突破，开发了低阻高透TCO 复合薄膜、旋转磁控阴极等技术，推出了大产能异质结专用PVD设备;推出的系列高端装备
、通威股份、东方日升等。多家机构认为，钙钛矿产业化进程持续加速，未来2-3年各企业百兆瓦中试线及GW级量产线有望加速落地，PVD/RPD设备、激光设备厂商、TCO玻璃等环节将显著受益。
，其中发明专利34件，在国内各大核心期刊发表论文23篇。此外，工程中心通过核心技术攻关，形成了系列创新产品，包括立式硼扩散设备、等离子体增强隧穿氧化和Poly生长设备、国内首款超大产能异质结专用PVD
氧化层并对多晶硅进行原位掺杂。这种技术路线的优点是不会产生绕镀现象，效率较高。但缺点是成本较高，而且容易出现气泡等问题。PVD原位掺杂：这种技术路线利用PVD设备，在真空条件下采用溅射镀膜，使材料沉积
48,273.47 万元，预计使用本次募集 资金 41,000.00 万元，不足部分公司将以自有资金或者通过其他融资方式解决。(二)高效电池片 PVD 设备产业化项目本项目旨在进行高效电池片用 PVD
技术，服务龙头企业” 的战略，积极深入研发PECVD/Cat-CVD/RPD/PAR/PVD、印刷/铜电镀/新型组件焊接等先进技术和装备，积极推进HJT的产业化发展，为光伏新能源行业贡献力量。从HJT
