PVD
单晶电池绿水系列，其平均效率高达21.3%，成本价格也大幅领先。 在HIT电池技术领域，新赛维也掌握了实现量产的四项核心技术：智能制造系统和工艺开发、PECVD/PVD设备开发、薄片技术和铜丝金属化
技术，CIGS共蒸发技术，小尺寸组件的转换效率：1cm2电池转换效率达到21.0%，硅基薄膜生产设备以及流程，柔性光伏组件，透明导电氧化玻璃(TCO，掺杂或本证氧化锌膜层)镀膜工艺。PECVD，PVD和低压
开发、PECVD/PVD设备开发、薄片技术和铜丝金属化WEM技术。其中，公司已成功将硅片的厚度从180微米减至130微米，使得硅片的成本降低约30%，保持了成本优势地位。赛维技术负责人介绍：在寿命周期
的四项核心技术：智能制造系统和工艺开发、PECVD/PVD设备开发、薄片技术和铜丝金属化WEM技术。其中，公司已成功将硅片的厚度从180微米减至130微米，使得硅片的成本降低约30%，保持了成本优势
、PECVD/PVD设备开发、薄片技术和铜丝金属化WEM技术。其中，公司已成功将硅片的厚度从180微米减至130微米，使得硅片的成本降低约30%，保持了成本优势地位。 在寿命周期内，HIT双面组件可比常规组件
系统和工艺开发、PECVD/PVD设备开发、薄片技术和铜丝金属化WEM技术。其中，公司已成功将硅片的厚度从180微米减至130微米，使得硅片的成本降低约30%，保持了成本优势地位。赛维技术负责人介绍：在
专 利。1969 年，美国的 IBM 公司，研制成功磁控溅射镀膜技术。这两种技术与蒸镀方法， 构成了现在广泛使用的物理方法制备薄膜(PVD)的三大系列。 进入 70 年代，随着真空技术的发展，PVD
安装，从而可以显著地降低系统的高度。由于新品研发和试生产的需要，著名的UNIVEX系列PVD真空镀膜系统提供给客户多种腔室容积的外形选择，包括不锈钢钟罩型、箱型和团簇型。UNIVEX可以提供很多标准化的
(纳斯达克代码：GTAT)今天宣布已经向Kyma Technologies, Inc.收购其等离子体汽相淀积(PVD)技术及专门知识的独家使用权。Kyma所开发的等离子体汽相淀积柱状纳米技术(PVDNC
Tom Gutierrez 表示：Kyma创新的柱状纳米PVDNC技术为我们不断扩张的LED生产基地带来了重要的补充。我们的目标是提供一系列的解决方案，以提升LED生产的质量及降低成本。将GT的PVD
PVD的方法形成Al背面电极。背面磷掺杂的a-SiCx钝化层具有很好的钝化效果，金属接触区域n++局部重掺在降低接触电阻的同时，减少了金属接触区域的复合，提升了电池的开路电压和填充因子。电池Uoc达
沉积一层20nm厚的磷掺杂非晶硅层，经过高温退火后形成掺杂多晶硅，二者共同形成钝化接触结构，最后通过PVD的方法形成全背面金属接触。背面TopCon结构的隧穿效应示意图如图12所示，1~2nm厚的化学
