PVD

薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温下实现。成膜过程在真空中进行，大约在 5～500Pa范围内。 ③TCO沉积包括RPD(反应等离子体沉积)和PVD(物理化学 气象
PVD 制备的ITO薄膜。RPD 制备下的异质结电池总体比PVD约有0.5~1%的效率优势。松下公司采用的就是RPD工艺。住友重工持有RPD设备与IWO靶材两项专利技术，限制了该技术的发展。国内

)。 HIT投资成本因设备配置变化而改变。其取决的因素包括采用完全进口设备还是部分国产设备;同种工艺选择何种设备，比如非晶硅沉积选择HWCVD还是PECVD，TCO镀膜选择RPD还是PVD。目前，全
太阳能电池以及PVD工艺高转化率硅片太阳能电池，其中硅片涂覆型太阳能电池的生产不使用溅射靶材，目前靶材主要用于太阳能薄膜电池领域，而HIT作为PERC(钝化发射极及背局域接触电池)未来的替代技术，有望实现

HELiA PECVD 及沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO)的HELiA PVD 设备来说，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤
本征非晶硅膜( i-a-Si:H )和p型非晶硅薄膜( p-a-Si:H)。 03 物理气相沉积(PVD) 沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO) 04 丝网印刷机 正面金属电极制备

的透明氧化物导电薄膜(TCO)的HELiA PVD 设备来说，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤如下： 01、制绒清洗机 ： 电池
非晶硅薄膜( p-a-Si:H)。 03、物理气相沉积(PVD) 沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO) 04、丝网印刷机 正面金属电极制备 反面金属电极制备 退火 测试和分档

HELiA PECVD 及沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO)的HELiA PVD 设备来说，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤
非晶硅膜( i-a-Si:H )和p型非晶硅薄膜( p-a-Si:H)。 03、物理气相沉积(PVD) 沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO) 04、丝网印刷机 正面金属电极制备 反面

为收集光生载流子并将其输送到金属电极上，导 电性好、透过率高是 TCO 薄膜需要具备的关键特性。在工艺方面，目前主要采用 PVD(磁控溅射)和 RPD(反应 等离子体沉积法)两种方式，PVD 利用
实现薄膜沉积。PVD 技术的优势在于设备成本较低，成膜均匀性更好，镀膜工艺稳定，能 够满足大规模产业化需求，但由于等离子体中包含大量高能粒子，会对基板表面产生强烈的轰击刻蚀作用。而 RPD 技术的

内口碑，充分听取各领域专家、学者意见，并广泛调研行业上下游反馈。 获奖企业介绍 北京捷造光电技术有限公司成立于2010年，致力于真空应用技术的开发与产业化推广，在PVD(磁控溅射、有机及金属共蒸发

PECVD、PVD等核心生产设备，是全球仅有的几家掌握高效异质结太阳能电池技术(HDT)的企业之一，公司自主研发的HDT电池具有转换效率高、双面发电、高温特性好等特点，深受客户好评，具有广阔的未来发展前景。

、PVD/RPD、丝网印刷+烧结炉。 异质结电池优势 ◼ 最简洁4步工艺流程 ◼ 最高转换效率 ◼ 最低温度系数 ◼ 最佳双面效益 ◼ 无光致衰减(LID) ◼ 无电位衰减(PID

技术路线并进。TCO 沉积在异质结电池沉积工艺的后半部分，通过沉积 TCO 膜作为减反层和横向输运载流子至电极的导电层。一般 TCO 沉积在 PVD 设备中通过溅射的方式完成。捷佳伟创和 Archers
则选择的是反应等离子RPD 技术路线。RPD 和双面进行薄膜沉积的 PVD 技术路线相比，采用自下而上的单侧沉积技术，关键设备是等离子枪。 多厂商前期布局，量产转换效率突破