PVD设备
技术，CIGS共蒸发技术，小尺寸组件的转换效率：1cm2电池转换效率达到21.0%，硅基薄膜生产设备以及流程，柔性光伏组件，透明导电氧化玻璃(TCO，掺杂或本证氧化锌膜层)镀膜工艺。PECVD，PVD和低压
技术光伏组件生产项目落地，光伏核心设备制造研发，同时在能源互联网领域发力。
协鑫集成
在光伏电池和组件产品坚持多晶与单晶技术路线并举，提供满足客户需求的高效定制化产品，其中多晶黑硅PERC电池量产
开发、PECVD/PVD设备开发、薄片技术和铜丝金属化WEM技术。其中，公司已成功将硅片的厚度从180微米减至130微米，使得硅片的成本降低约30%，保持了成本优势地位。赛维技术负责人介绍：在寿命周期
的四项核心技术：智能制造系统和工艺开发、PECVD/PVD设备开发、薄片技术和铜丝金属化WEM技术。其中，公司已成功将硅片的厚度从180微米减至130微米，使得硅片的成本降低约30%，保持了成本优势
、PECVD/PVD设备开发、薄片技术和铜丝金属化WEM技术。其中，公司已成功将硅片的厚度从180微米减至130微米，使得硅片的成本降低约30%，保持了成本优势地位。 在寿命周期内，HIT双面组件可比常规组件
系统和工艺开发、PECVD/PVD设备开发、薄片技术和铜丝金属化WEM技术。其中，公司已成功将硅片的厚度从180微米减至130微米，使得硅片的成本降低约30%，保持了成本优势地位。赛维技术负责人介绍：在
剂柠檬酸钠的水溶液，在镀 Mo 薄膜的钠钙玻璃衬底上，采 用恒电位电沉积方法制备出太阳能电池薄膜材料 CIS 和 CIGS 薄膜。电化学法是非常有 竞争力的方法之一，它的制备设备简单，对原料的纯度
。现在发展的喷墨打印、流延方法等都属于此类的非真空方法。 其最大的优点是材料利用率高，设备简单。 技术瓶颈是制备符合元素化学计量比的 CIGS 薄膜比较困难，并且容易出现二元或一元杂相，导致
(纳斯达克代码：GTAT)今天宣布已经向Kyma Technologies, Inc.收购其等离子体汽相淀积(PVD)技术及专门知识的独家使用权。Kyma所开发的等离子体汽相淀积柱状纳米技术(PVDNC
Tom Gutierrez 表示：Kyma创新的柱状纳米PVDNC技术为我们不断扩张的LED生产基地带来了重要的补充。我们的目标是提供一系列的解决方案，以提升LED生产的质量及降低成本。将GT的PVD
PVD的方法形成Al背面电极。背面磷掺杂的a-SiCx钝化层具有很好的钝化效果，金属接触区域n++局部重掺在降低接触电阻的同时，减少了金属接触区域的复合，提升了电池的开路电压和填充因子。电池Uoc达
沉积一层20nm厚的磷掺杂非晶硅层，经过高温退火后形成掺杂多晶硅，二者共同形成钝化接触结构，最后通过PVD的方法形成全背面金属接触。背面TopCon结构的隧穿效应示意图如图12所示，1~2nm厚的化学
，但是现在不同了，中心是将来想建生产线的企业这么多，先是现在每一个设备，像PCVD、PVD，还有植绒、浆料，都有很多的设备商和材料商来给它供货，这么多企业靠全世界的工业基础，靠中国的大规模生产降本
很多，但是最终目标所有努力的方向都是降低电站成本，度电成本。现在太阳电池整个技术的进步我们可以分成两种类型的技术进步，第一种就是渐进式的技术进步，就是它整个生产设备的格局基本的概念，比如说扩散等等，这些
专注于亚洲的市场拓展服务领导者大昌华嘉(DKSH)，与高度创新的瑞士薄膜沉积设备制造商 INDEOtec 签订协议，帮助其扩大在中国与台湾地区的业务。
苏黎世，2017 年 4 月
19 日 大昌华嘉科技事业部， 专注于为科技企业提供市场拓展服务的领导者与知名瑞士薄膜沉积设备制造商 INDEOtec 签订合作协议，为 INDEOtec 的 OCTOPUS 系列设备提供市场
