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HDT异质结电池的产业化技术和关键点来源:索比光伏网 发布时间:2018-11-21 16:40:37

虽然目前P晶硅电池占据晶硅电池市场的绝对份额,但不断追求效率提升和成本降低是光伏行业永恒的主题。HDT(Hetero-junction Double-side Technology )高效

高效组件中的多主栅技术及发展方向来源:pv-magazine 发布时间:2018-11-20 09:52:44

功率高于9BB。 实际验证p多晶 P 型多晶金刚线十二栅组件,半片组件较整片组件,正面功率较整片提升5.05W;相对于五栅整片整体提升10.65W,提升比例约4%。 实际验证n型单晶

东方日升:全球首家GW规模双面AlOx钝化PERC电池量产 平均效率突破22.19% , 超越ITRPV预期来源:索比光伏网 发布时间:2018-11-19 17:04:38

(ITRPV2018)数据显示,PERC电池将占据市场主导地位。在量产平均效率方面,P晶硅电池稳定量产效率已达到21.6%。该机构预测称,到2020年,这一技术量产效率有望突破至22%。 国际光伏技术
路线图ITRPV预测主要基于PECVD(等离子增强型化学气相沉积) 技术为基础的单面AlOx钝化技术,也就是AlOx仅仅钝化PERC电池背面。作为行业技术领跑者,东方日升则另辟蹊径,潜心研究行业最看好,但技术难度

一文看懂单、多晶电池光衰原理来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2018-11-19 08:58:20

1.晶硅组件的光衰 硼(B)掺杂的P单晶硅(Cz-直拉法)电池的光衰现象早在1973年已发现,该光衰之后被发现可一定程度恢复的。Jan Schmidt发现了该光衰主要是B-O对引起的并给出
了该缺陷的结构(2003)。Axel Herguth提出了再生态理论解释初始光衰后功率恢复并保持稳定的原理(2006)。P多晶硅电池的衰减则因氧含量相对少而恢复过程不明显,该衰减被认为不仅与B-O对

可提升HJT电池效率0.7%?N型电池也有光衰?来看UNSW最新研究成果来源:亚化咨询 发布时间:2018-11-16 10:41:41

也许也会在n-型硅中出现。通过控制烧结条件和扩散发射极层,UNSW找到了在n-型硅中诱导和调整光热衰变缺陷的方法。基于这些方法,他们将在报告中讨论这些发现对于n-型和p-型晶体硅的技术发展意义。

22个项目基地,11GW规模!2019年领跑者预测!来源:21世纪经济报道 发布时间:2018-11-16 10:20:29

产品成本本身也在降低。 技术路线多元化 PERC技术、半片技术、MBB多主栅技术等已相对成熟,而且具备兼容性,可以叠加使用在单晶硅片或多晶硅片上。 PPERC双面双玻组件当下成为被更多企业认可的
批领跑者基地电价肯定要比第三批电价低,在这种情况下,PPERC相对来说性价比较高。上述人士指出,不排除应该会有一些电站用到N型PERT或者N型TOPCon,但是量会很少。 不过,以中来光电为代表的一些企业

晶澳太阳能——高效PERC时代的“引领者”来源:欧乐光伏 发布时间:2018-11-15 16:25:15

。高效PERC组件应运而生,正在开启新一轮光伏技术革新战。 从上世纪八十年代,PERC电池结构被首次正式报道开始,2006年用于对PPERC电池的背面的钝化的介质膜的钝化作用引起大家重视,使得
。 图2:2015大同领跑者不同技术占比(数据来源于:中国电力科学研究院) 从组件技术路线看,2015大同领跑者基地采用了包括PERC、黑硅、N型双面等多种技术路线的新型组件,如图2所示。据中国电力

汇总!全国9省市发布利好光伏的新规划来源:光伏智库 发布时间:2018-11-15 15:02:22

目在工艺设计先进性、系统运行可靠性等方面进行了数十项优化和提升,达产后超过70%的产品能满足P单晶和N型单晶的需要。 〓 宁夏 〓 10月15日,宁夏回族自治区发改委出台《宁夏回族自治区能源发展

第四批光伏领跑者项目临近企业多条技术路径抢夺制高点来源:21世纪经济报道 发布时间:2018-11-15 13:47:48

,而且双面双玻和双玻产品成本本身也在降低。 技术路线多元化 PERC技术、半片技术、MBB多主栅技术等已相对成熟,而且具备兼容性,可以叠加使用在单晶硅片或多晶硅片上。 PPERC双面双玻
。因为明年第四批领跑者基地电价肯定要比第三批电价低,在这种情况下,PPERC相对来说性价比较高。上述人士指出,不排除应该会有一些电站用到N型PERT或者N型TOPCon,但是量会很少。 不过,以

主流多晶PERC太阳能电池组件的LID控制解决方案来源:PV-Tech每日光伏新闻 发布时间:2018-11-15 12:01:32

已经确认是B-O复合缺陷,而类型2缺陷则还未被完全解释。根据猜测,类型2缺陷由氢或 金 属杂质例 如Fe、Co和Ni引起的可能性最大。UNSW最近报道了这些类型1缺陷和类型2缺陷同样出现在了 p
单晶硅和n型单晶硅组件上。 为了解决LID这种多晶硅PERC所面临最具挑战的问题,CSI采取了多项技术创新: 1. 采用一项独特的硅锭铸造工艺以控制多晶硅硅片材料的杂质含量 。 2. 优化电池工艺