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620亿元!近两年隆基销售、采购大单来源:光伏资讯 发布时间:2020-12-19 15:18:51

单晶硅片数量合计38.20亿片,每月实际销售数量以当月本合同的补充协议所确定的数量为准。根据PV Infolink于2020年1月8日公告的光伏产品市场平均价格测算(P单晶硅片-180um3.06元

新能源国际金融和前沿技术论坛召开 中外嘉宾共商“十四五”发展新机遇来源:索比光伏网 发布时间:2020-12-18 16:19:56

在新能源领域的合作空间非常广阔。迄今为止,据估算阿联酋绿色投资总额超过220亿美元。阿联酋拥有世界上最大的单体太阳能项目和拥有320万块面板的超大太阳能发电厂两个可再生能源旗舰型项目,均有中国公司参与
有限公司、江苏中信博新能源科技股份有限公司、BP lightsource、EDF Renewable、ENEL S.P.A、国电投黄河上游水电开发公司、Macquarie & Blueleaf

“十四五”国内新增光伏装机将超70GW 大尺寸、高效异质结成增长关键词来源:金融界 发布时间:2020-12-18 10:32:38

,设备端将开启大尺寸更新迭代时代,长晶炉、切片机、电池片设备均受益。 在电池环节,从PPERC电池转向N型HJT电池引领了短期内光伏行业的新一轮技术革新。异质结电池在转换效率、工艺步骤和温度、双面率

扩产再发力!内蒙古通威4.5万吨高纯晶硅项目签约仪式成功举行来源:苏大光伏校友会 发布时间:2020-12-11 13:53:09

,内蒙古通威高纯晶硅一期项目自2018年建成投产以来,公司产品质量、各项指标行业领先,全面满足P和N型单晶需求,部分达到电子级晶硅水平。公司目前积极推动高效、清洁、低碳的新能源产业快速发展,投入大量

内蒙古通威4.5万吨高纯晶硅项目签约仪式成功举行来源:通威集团 发布时间:2020-12-11 09:45:39

技术进步、升级。 内蒙古通威高纯晶硅一期项目自2018年建成投产以来,公司产品质量、各项指标行业领先,全面满足P和N型单晶需求,部分达到电子级晶硅水平。公司积极推动高效、清洁、低碳的新能源产业快速

无损激光划裂技术:加速光伏“平价时代“到来来源:大族激光 发布时间:2020-12-11 08:40:35

断裂,进而随着激光及后续冷却的移动轨道稳定扩展,见图四、图五。 大族光伏装备无损激光划裂设备 设备亮点 兼容单、双面PERC电池、N型Top-con电池、N型HJT电池等
; 产能(划二):单侧产能3600P/H(整片),双侧产能7200P/H(整片); 划二划六,可模块化快速灵活切换; 切割效果:开槽长度1.5um,深度可调整,定位精度:0.05mm;来料检测

中信建投2021年光伏投资策略展望:25%超高效震撼行业,N-HJT强势承载未来来源:金融界 发布时间:2020-12-10 17:50:29

PERC电池,当两种电池的价差、成本差缩小到一定程度,市场需求将被充分激活,形成不可逆趋势。 从板块变革角度,推荐关注顺序:电池硅片硅料组件; 电池环节:从PPERC转向N-HJT,是光伏未来10年
最重要的主题; 硅片环节:大尺寸、薄片化、N型高品质硅片是大趋势。HJT可以很好兼容182/210大尺寸,薄片化是HJT的独享技术;高品质N型硅片可以释放HJT的超高效潜力。拉晶环节,CCZ还处于前期

中信建投2021年光伏投资策略展望:25%超高效震撼行业 N-HJT强势承载未来-股票频道-金融界来源:中信建投 发布时间:2020-12-10 11:52:48

PERC电池,当两种电池的价差、成本差缩小到一定程度,市场需求将被充分激活,形成不可逆趋势。 从板块变革角度,推荐关注顺序:电池→硅片→硅料→组件; 电池环节:从PPERC转向N-HJT,是光伏未来
10年最重要的主题; 硅片环节:大尺寸、薄片化、N型高品质硅片是大趋势。HJT可以很好兼容182/210大尺寸,薄片化是HJT的独享技术;高品质N型硅片可以释放HJT的超高效潜力。拉晶环节,CCZ还

迈为股份HJT2.0产品发布会纪要来源:调研纪要 发布时间:2020-12-09 09:47:06

;3)半片色差效率分档;4)工艺简单;5)减少N型复投料。 HJT战略第三步:研制适用于HJT的新型组件技术,降低银耗量,提升组件功率。SMBB技术:降低pad点面积,让焊带和细栅直接汇联,降低主栅
; 4)电池转换效率:24.3%;整线良率:97.5%@M10; 5)镀膜顺序:i-i-n-p。最新已验证的效率达到24.61%@9BB。1GW产能标配三条产线(后道5台丝印)。 PECVD参数

2021年光伏行业策略:能源革命大幕拉起 光伏加速上行来源:点新成金 发布时间:2020-12-05 11:31:27

电池片、组件的需求而定。2019年多晶硅片平均厚度是180um,P单晶硅片平均厚度175um左右,N型单晶硅片平均厚度170um,相对2018年厚度均有所下降,用于异质结电池片的硅片厚度为150um